一种单面板高精度开窗方法技术

本发明专利技术涉及一种单面板高精度开窗方法。其技术方案是包含以下步骤：1. 对双面铜箔基材干膜贴附；2.曝光显影、3.蚀刻；4退膜、5.激光开窗：使用UV‑Yag 或CO2激光对大于开窗区域进行激光腐蚀,6.贴膜、7.蚀刻8.退膜9.等离子清洗：通过等离子清洗去除激光残留碳化层，得到最终的高精度开窗，该方法获得的开窗精度可达25um。本发明专利技术的有益效果是：本发明专利技术实现了将开窗精度提高的25um级别，其方法简单，实现容易，面对一些特殊要求的工艺，可以满足其要求，并且实现了工业化生产，提高了经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种线路板开窗方法，特别涉及一种单面板高精度开窗方法。
技术介绍
单面板就是在最基本的PCB上，零件集中在其中一面，导线则集中在另一面上。因为导线只出现在其中一面，所以我们就称这种PCB叫作建和单面板（Single-sided）。因为单面板在设计线路上有许多严格的限制（因为只有一面，布线间不能交叉而必须绕独自的路径），所以只有早期的电路才使用这类的板子；单面板的布线图以网路印刷(Screen Printing)为主，亦即在铜表面印上阻剂，经蚀刻后再以防焊阻印上记号，最后再以冲孔加工方式完成零件导孔及外形。此外，部份少量多样生产的产品，则采用感光阻剂形成图样的照相法。传统的单面板采用保护膜开窗精度在100um级别，油墨曝光开窗精度在50um级别面对一些特殊要求的工艺，无法满足其要求。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种单面板高精度开窗方法，可以将开窗精度提高的25um级别。其技术方案是包含以下步骤：1. 对双面铜箔基材干膜贴附；干膜厚度为20um；2.曝光显影：通过LDI直接曝光或采用菲林图形通过平行曝光机进行曝光，采用质量百分比浓度为 1%的碳酸钠显影溶液进行显影，去除未曝光干膜；3.蚀刻：采用蚀刻药水酸性氯化铜溶液对铜面进行蚀刻；4.退膜：质量百分比浓度为3~5%氢氧化钠溶液进行退膜；5.激光开窗：使用激光设备UV-Yag 或CO2激光对大于开窗区域进行激光腐蚀，该操作会将基材去除，得到高精度的开窗；6.贴膜：保护L1面的图形线路；7.蚀刻：去除L2面的定位铜面开窗，激光残留的碳化层会形成保护层，防止L1面被蚀刻；8.退膜：退膜溶液剥离L1面干膜；9.等离子清洗：通过等离子清洗去除激光残留碳化层，得到最终的高精度开窗，该方法获得的开窗精度可达25um。步骤1中选用基材为聚酰亚胺，其中，基材的介质层厚度为12.5μm，铜层厚度为8μm。本专利技术的有益效果是：本专利技术实现了将开窗精度提高的25um级别，其方法简单，实现容易，面对一些特殊要求的工艺，可以满足其要求，并且实现了工业化生产，提高了经济效益。附图说明附图1是本专利技术的流程框图。具体实施方式结合附图，对本专利技术作进一步的描述：本专利技术提到的一种单面板高精度开窗方法，包含以下步骤：1. 对双面铜箔基材干膜贴附；干膜厚度为20um；2.曝光显影：通过LDI直接曝光或采用菲林图形通过平行曝光机进行曝光，采用质量百分比浓度为 1%的碳酸钠显影溶液进行显影，去除未曝光干膜；3.蚀刻：采用蚀刻药水酸性氯化铜溶液对铜面进行蚀刻；4.退膜：质量百分比浓度为3~5%氢氧化钠溶液进行退膜；5.激光开窗：使用激光设备UV-Yag 或CO2激光对大于开窗区域进行激光腐蚀，该操作会将基材去除，得到高精度的开窗；另外，在L1背面形成碳化物，并在其后的蚀刻工序起到保护L1铜面的作用；6.贴膜：保护L1面的图形线路；7.蚀刻：去除L2面的定位铜面开窗，激光残留的碳化层会形成保护层，防止L1面被蚀刻；8.退膜：退膜溶液剥离L1面干膜；9.等离子清洗：通过等离子清洗去除激光残留碳化层，得到最终的高精度开窗，该方法获得的开窗精度可达25um，等离子清洗用于去除碳化层，得到电气功能合格的铜面；步骤1中选用基材为聚酰亚胺（PI），其中，基材的介质层厚度为12.5μm，铜层厚度为8μm。双面铜箔同时曝光精度可达10um，通过铜面的开窗定位基材开窗，将单面板开窗精度控制在25um级别；本专利技术的开窗尺寸最小为100um。本专利技术实现了将开窗精度提高的25um级别，其方法简单，实现容易，面对一些特殊要求的工艺，可以满足其要求，并且实现了工业化生产，提高了经济效益。以上所述，仅是本专利技术的部分较佳实施例，任何熟悉本领域的技术人员均可能利用上述阐述的技术方案加以修改或将其修改为等同的技术方案。因此，依据本专利技术的技术方案所进行的任何简单修改或等同置换，尽属于本专利技术要求保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单面板高精度开窗方法，其特征是包含以下步骤：（1）.对双面铜箔基材干膜贴附；干膜厚度为20um；（2）.曝光显影：通过LDI直接曝光或采用菲林图形通过平行曝光机进行曝光，采用质量百分比浓度为 1%的碳酸钠显影溶液进行显影，去除未曝光干膜；（3）.蚀刻：采用蚀刻药水酸性氯化铜溶液对铜面进行蚀刻；（4）.退膜：质量百分比浓度为3~5%氢氧化钠溶液进行退膜；（5）.激光开窗：使用激光设备UV‑Yag 或CO2激光对大于开窗区域进行激光腐蚀，该操作会将基材去除，得到高精度的开窗；（6）.贴膜：保护L1面的图形线路；（7）.蚀刻：去除L2面的定位铜面开窗，激光残留的碳化层会形成保护层，防止L1面被蚀刻；（8）.退膜：退膜溶液剥离L1面干膜；（9）.等离子清洗：通过等离子清洗去除激光残留碳化层，得到最终的高精度开窗，该方法获得的开窗精度可达25um。

【技术特征摘要】
1.一种单面板高精度开窗方法，其特征是包含以下步骤：（1）.对双面铜箔基材干膜贴附；干膜厚度为20um；（2）.曝光显影：通过LDI直接曝光或采用菲林图形通过平行曝光机进行曝光，采用质量百分比浓度为 1%的碳酸钠显影溶液进行显影，去除未曝光干膜；（3）.蚀刻：采用蚀刻药水酸性氯化铜溶液对铜面进行蚀刻；（4）.退膜：质量百分比浓度为3~5%氢氧化钠溶液进行退膜；（5）.激光开窗：使用激光设备UV-Yag 或CO2激光对大于开窗区域进行激光腐蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王健，孙彬，
申请(专利权)人：山东蓝色电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37