半导体封装制造技术

本实用新型专利技术提供一种半导体封装，其包括具有源极连接器的导电基座(基座)。漏极连接器和栅极连接器与所述基座电耦接。耗尽型氮化镓场效应晶体管(GaN FET)和增强型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)也与所述基座耦接。所述栅极连接器和所述LDMOS FET的栅极触点均包括在第一电节点中，所述源极连接器和所述LDMOS FET的源极触点均包括在第二电节点中，并且所述漏极连接器和所述GaN FET的漏极触点均包括在第三电节点中。所述GaN FET和LDMOS FET一起形成作为增强型放大器工作的共源共栅结构。所述半导体封装不包括位于所述GaN FET与所述基座之间或位于所述LDMOS FET与所述基座之间的插入器。

【技术实现步骤摘要】

本技术的各方面整体涉及半导体共源共栅装置。
技术介绍
共源共栅结构(cascode)是具有放大器和电流缓冲器的两级放大器。用半导体材料形成的常规共源共栅结构常常包括两个晶体管，诸如双极性结型晶体管(BJT)和/或场效应晶体管(FET)。一个晶体管通常作为共源极或共发射极来工作，另一个晶体管通常作为共栅极或共基极来工作。
技术实现思路
半导体封装的实施可包括：具有源极连接器的导电基座(基座：base)；与基座电耦接的漏极连接器；与基座电耦接的栅极连接器；与基座耦接的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)；以及与基座耦接并且与GaN FET电耦接的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)，该GaN FET和该LDMOS FET一起形成共源共栅结构。半导体封装的实施可包括以下各项中的一项、全部或任何一项：栅极连接器和LDMOS FET的栅极触点均可包括在第一电节点中，源极连接器和LDMOS FET的源极触点均可包括在第二电节点中，并且漏极连接器和GaN FET的漏极触点均可包括在第三电节点中。GaN FET可为平面GaN FET，其在GaN FET的第一侧面上具有源极触点、栅极触点和漏极触点。半导体封装可不具有位于GaN FET与基座之间的插入器。半导体封装可不具有位于LDMOS FET与基座之间的插入器。GaN FET可包括耗尽型GaN FET。LDMOS FET可包括增强型LDMOS FET。GaN FET可包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。共源共栅结构可作为增强型放大器工作。半导体封装的实施可包括：共源共栅结构，其包括：与横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)电耦接的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)；其中LDMOS FET的源极和GaN FET的栅极均与半导体封装的源极电耦接；其中LDMOS FET的栅极与半导体封装的栅极电耦接；并且其中GaN FET的漏极与半导体封装的漏极电耦接。半导体封装的实施可包括以下各项中的一项、全部或任何一项：密封剂包封GaN FET和LDMOS FET，并且通过密封剂暴露半导体封装的栅极、源极和漏极。半导体封装可不包括耦接在GaN FET与半导体封装的基座之间的插入器。半导体封装可不包括耦接在LDMOS FET与半导体封装的基座之间的插入器。GaN FET可包括耗尽型GaN FET。LDMOS FET可包括增强型LDMOS FET。GaN FET可包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。共源共栅结构可作为增强型放大器工作。LDMOS FET可包括含有LDMOS FET的源极的第一侧面以及含有LDMOS FET的栅极与LDMOS FET的漏极的第二侧面。GaN FET可包括与半导体封装的基座耦接的第一侧面以及包含GaN FET的栅极、GaN FET的漏极和GaN FET的源极的第二侧面。半导体封装的实施可包括：耗尽型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)，其具有与导电基座(基座)物理耦接的第一侧面和包括源极触点、漏极触点和栅极触点的第二侧面，该栅极触点通过电耦接器与基座电耦接；横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS FET)，其具有包括源极触点与基座物理耦接和电耦接的的第一侧面以及包括栅极触点和漏极触点的第二侧面；其中GaN HEMT和LDMOS FET电耦接在一起以形成增强型共源共栅结构；其中基座包括源极连接器，并且其中半导体封装还包括栅极连接器和漏极连接器，该栅极连接器与LDMOS FET的栅极触点电耦接并且该漏极连接器与GaN HEMT的漏极触点电耦接；其中密封剂包封GaN HEMT和LDMOS FET，并且至少部分地包封源极连接器、栅极连接器和漏极连接器；以及其中通过密封剂中的开口暴露的栅极连接器的栅极触点、源极连接器的源极触点和漏极连接器的漏极触点。对于本领域的普通技术人员而言，通过具体实施方式和附图以及通过权利要求，上述以及其他方面、特征和优点将显而易见。附图说明将在下文中结合附图描述各实施方式，其中类似的标号表示类似的元件，并且：图1是使用具有引线的封装来封装共源共栅结构的实施的顶部部分穿透视图；图2是沿平面A-A截取的图1的封装的剖视图；图3是使用没有引线的封装来封装共源共栅结构的实施的顶部部分穿透视图；图4是沿平面B-B截取的图3的封装的剖视图；以及图5是示出图1的共源共栅结构的若干元件的电路图。具体实施方式本公开、其各方面以及实施不限于本文所公开的具体部件、组装工序或方法元素。本领域已知的符合预期共源共栅结构半导体封装及相关方法的许多额外部件、组装工序和/或方法元素将显而易见地与本公开的特定实施一起使用。因此，例如，尽管本专利技术公开了特定实施，但此类实施和实施部件可包括符合预期操作和方法的针对此类共源共栅结构半导体封装的本领域已知的任何形状、尺寸、样式、类型、型号、版本、量度、浓度、材料、数量、方法元素、步骤等和相关方法，以及实施部件和方法。如本文所用，“电节点”和“节点”各自被定义为电路中不存在电位变化的区域。如本文所用，“插入器”被定义为用于将两个导电元件彼此电绝缘隔离的电绝缘体。现在参见图1，在实施中，半导体封装(封装)2包括共源共栅结构16，其作为增强型放大器18来工作。封装2包括栅极20、源极22和漏极24。导电基座(基座)26包括源极连接器28，其是源极引线30并且包括源极触点32。在所示的实施中，基座26是金属基板34，并且可以看到，当封装完全形成时，基座延伸穿过封装的前部(源极连接器28位于该处)，并且延伸穿过封装的背部(其中具有开口38的延伸器位于该处)。在各种实施中，开口和/或延伸器可用于将电压源耦接到封装。因此，封装包括从封装的侧边延伸出的四条引线36：三条引线位于封装的前部，该封装前部包括源极连接器、栅极连接器44和漏极连接器50，封装还包括从背部延伸出的引线36。从背部延伸出的引线和源极连接器均与基板34形成整体。栅极连接器44和漏极连接器50未与基板34形成整体，并且不是直接耦接到基板，而是通过电耦接器和其他元件与基板间接电耦接，如本文所公开，另外还通过相同元件以及通过密封剂40与基板间接物理耦接。因此，封装2包括栅极连接器44，其包括栅极引线46，该栅极引线46延伸穿过密封剂中的开口42并且具有栅极触点48。封装2还包括漏极连接器50，其包括漏极引线52，该漏极引线52延伸穿过密封剂中的另一个开口42并且具有漏极触点54。另外，如先前所描述，封装2包括源极连接器28，其包括源极引线30，该源极引线30延伸穿过密封剂中的另一个开口42并且具有源极触点32。封装2背部与基座和源极连接器形成整体的延伸器本身是延伸穿过密封剂中另一个开口42的引线36，并且由于该延伸器与基座直接电耦接，所以其还可充当封装2的源极。在实施中，位于背部的延伸器还可在需要时充当接地，其中电耦接器在需要时通过开口38将基座耦接到接地。图2是沿平面A-A截取的图1的封装2的横截面，其示出在实施中，基座实际上暴露在封装2的底部6上。在其他实施中，基板可包封在封装的底部处，但在实施中，使基座暴露有利于增加从封装提取热量。如图所示，封装2的顶部4可包封基座以及本文所描述的封装2的其他部件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于包括：导电基座，所述基座包括源极连接器；与所述基座电耦接的漏极连接器；与所述基座电耦接的栅极连接器；与所述基座耦接的氮化镓场效应晶体管GaN FET；以及与所述基座耦接并且与所述GaN FET电耦接的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS FET，所述GaN FET和所述LDMOS FET一起形成共源共栅结构。

【技术特征摘要】
2015.06.19 US 14/744,7431.一种半导体封装，其特征在于包括：导电基座，所述基座包括源极连接器；与所述基座电耦接的漏极连接器；与所述基座电耦接的栅极连接器；与所述基座耦接的氮化镓场效应晶体管GaN FET；以及与所述基座耦接并且与所述GaN FET电耦接的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS FET，所述GaN FET和所述LDMOS FET一起形成共源共栅结构。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述栅极连接器和所述LDMOS FET的栅极触点均包括在第一电节点中，所述源极连接器和所述LDMOS FET的源极触点均包括在第二电节点中，并且所述漏极连接器和所述GaN FET的漏极触点均包括在第三电节点中。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述GaN FET是平面GaN FET，包括：位于所述GaN FET的第一侧面上的源极触点、栅极触点和漏极触点。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述半导体封装不包括位于所述GaN FET与所述基座之间的插入器。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述半导体封装不包括位于所述LDMOS FET与所述基座之间的插入器。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述GaN FET是耗尽型GaN FET，并且所述LDMOS FET是增强型LDMOS FET。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述GaN FET是高电子迁移率晶体管HEMT。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述共源共栅结构作为增强型放大器工作。9.一种半导体封装，其特征在于包括：共源共栅结构，其包...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·T·勒，A·尤恩戈，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US