一种微纳米标准样板制造技术

本实用新型专利技术为一种微纳米标准样板，其特征在于：所述的微纳米标准样板包括A区域、B区域和C区域三个工作区域；所述的A区域设有向上的箭头形状的循迹标识；所述的B区域设有不同计量尺寸的第一矩阵阵列光栅和第二矩阵阵列光栅；所述的C区域设有不同计量尺寸的第一横向刻度尺、第二横向刻度尺、第三横向刻度尺和第四横向刻度尺，所述的C区域还设有四个等腰直角三角形形状的循迹标识。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种微纳米标准样板，特别是公开一种集成跨尺度计量尺寸、多参数校准功能的微纳米标准样板。
技术介绍
随着微纳米领域的快速发展，对日趋小型化的产品以及相应的生产设备、测量仪器提出了更高的准确性和精度要求。1997年9月长度咨询委员会CCL确定了在几何度量领域的几个关键特征的比对，分别为线宽标准样板（Nano1），台阶高度标准样板（Nano2），线标度标准样板（Nano3），一维光栅标准样板（Nano4），二维光栅标准样板（Nano5）。在质量体系中，为了实现量值的统一与标准化，保证几何量值传递的准确性与溯源性，越来越多的微纳米标准样板被用于测量仪器的校准与溯源性的工作中。针对各国计量院或是相关领域的公司已生产的标准样板研究，目前微纳米标准样板由于受到制备工艺或是操作方式的限制，每个样板尺度基本局限于微米或是纳米，关键特征也相对简单，导致测量功能单一。同时标准样板缺少合理的标识记号，不利于操作人员在初始测量时对被测结构区域的准准确、快速的定位，难以实现坐标重复性测量。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术的缺陷，提供一种可循迹、集成跨尺度计量尺寸、多参数校准功能的微纳米标准样板。本技术是这样实现的：一种微纳米标准样板及其循迹方法，其特征在于：所述的微纳米标准样板包括A区域、B区域和C区域三个工作区域；所述的A区域设有向上的箭头形状的循迹标识；所述的B区域设有不同计量尺寸的第一矩阵阵列光栅和第二矩阵阵列光栅；所述的C区域设有不同计量尺寸的第一横向刻度尺、第二横向刻度尺、第三横向刻度尺和第四横向刻度尺，所述的C区域还设有四个等腰直角三角形形状的循迹标识。所述A区域和B区域的长和宽都为3mm，所述三个工作区域的边框宽度均为0.125mm，三个工作区域的边框以及三个工作区域中的结构高度均为100nm。所述A区域的向上的箭头形状的循迹标识由三个特征结构组成，三个特征结构的线宽均为10μm、对称夹角为60度。所述的第一矩阵阵列光栅每行的节距（二维栅）为1μm、每列的节距为1μm，第一矩阵阵列光栅的长和宽都为600μm；所述的第二矩阵阵列光栅每行的节距为1.5μm、每列的节距为1.5μm。所述的第一横向刻度尺每一刻度的线宽均为200nm，所述的第二横向刻度尺每一刻度的线宽均为2μm，所述的第三横向刻度尺每一刻度的线宽均为20μm，所述的第四横向刻度尺每一刻度的线宽均为200μm。本技术的有益效果是：本技术能够校准微纳米测量仪器纵向高度、长度及放大倍率等。本技术A区域的向上的箭头形状的循迹标识有利于测量前实现正交扫描方向的确认，并且有助于测量时对标准结构实现快速、准确定位，通过坐标关系实现重复性测量，大大提高了测量效率和评价精度。本技术在C区域设置了四种不同计量尺寸的横向刻度尺，能够同时满足多种微纳米测量仪器跨尺度、多参数的长度计量校准需求，使得微纳米测量仪器的校准更高效、便捷，测量结果更准确。附图说明图1是本技术微纳米标准样板的结构示意图。图2是本技术微纳米标准样板的A区域的结构示意图。图3是本技术微纳米标准样板的B区域的平面结构示意图。图4是本技术微纳米标准样板的C区域的平面结构示意图。在图中：1、A区域； 2、B区域； 3、C区域； 4、向上的箭头形状的循迹标识； 5、第一矩阵阵列光栅； 6、第二矩阵阵列光栅； 7、第一横向刻度尺； 8、第二横向刻度尺； 9、第三横向刻度尺； 10、第四横向刻度尺； 11、等腰直角三角形形状的循迹标识。具体实施方式根据附图1～4，本技术微纳米标准样板的结构包括A区域1、B区域2和C区域3三个工作区域；所述的A区域1设有向上的箭头形状的循迹标识4；所述的B区域2设有不同计量尺寸的第一矩阵阵列光栅5和第二矩阵阵列光栅6；所述的C区域3设有不同计量尺寸的第一横向刻度尺7、第二横向刻度尺8、第三横向刻度尺9和第四横向刻度尺10，所述的C区域3还设有四个等腰直角三角形形状的循迹标识11。所述A区域1和B区域2的长和宽都为3mm，所述三个工作区域的边框宽度均为0.125mm，三个工作区域的边框以及三个工作区域中的结构高度均为100nm。所述A区域1的向上的箭头形状的循迹标识4由三个特征结构组成，三个特征结构的线宽均为10μm、对称夹角为60度。所述的第一矩阵阵列光栅5每行的节距（二维栅）为1μm、每列的节距为1μm，第一矩阵阵列光栅5的长和宽都为600μm；所述的第二矩阵阵列光栅6每行的节距为1.5μm、每列的节距为1.5μm。所述的第一横向刻度尺7每一刻度的线宽均为200nm，所述的第二横向刻度尺8每一刻度的线宽均为2μm，所述的第三横向刻度尺9每一刻度的线宽均为20μm，所述的第四横向刻度尺10每一刻度的线宽均为200μm。本技术能够校准微纳米测量仪器纵向高度、长度及放大倍率等。本技术A区域的向上的箭头形状的循迹标识有利于测量前实现正交扫描方向的确认，并且有助于测量时对标准结构实现快速、准确定位，通过坐标关系实现重复性测量，大大提高了测量效率和评价精度。本技术在C区域设置了四种不同计量尺寸的横向刻度尺，能够同时满足多种微纳米测量仪器跨尺度、多参数的长度计量校准需求，使得微纳米测量仪器的校准更高效、便捷，测量结果更准确。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微纳米标准样板，其特征在于：所述的微纳米标准样板包括A区域、B区域和C区域三个工作区域；所述的A区域设有向上的箭头形状的循迹标识；所述的B区域设有不同计量尺寸的第一矩阵阵列光栅和第二矩阵阵列光栅；所述的C区域设有不同计量尺寸的第一横向刻度尺、第二横向刻度尺、第三横向刻度尺和第四横向刻度尺，所述的C区域还设有四个等腰直角三角形形状的循迹标识。

【技术特征摘要】
1.一种微纳米标准样板，其特征在于：所述的微纳米标准样板包括A区域、B区域和C区域三个工作区域；所述的A区域设有向上的箭头形状的循迹标识；所述的B区域设有不同计量尺寸的第一矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷李华，邵力，李源，魏佳斯，蔡潇雨，傅云霞，张波，
申请(专利权)人：上海市计量测试技术研究院，上海计测工程设备监理有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31