胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明专利技术的目的在于提供可以减少接合线周边的空隙、并且可以减少突出的胶粘薄膜。本发明专利技术的目的还在于提供包含所述胶粘薄膜的切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜等。本发明专利技术涉及一种胶粘薄膜等，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及胶粘薄膜、切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
作为应对半导体装置的高功能化、小型化等要求的技术，已知三维安装技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-30684号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题如图12所示，通过具有将芯片接合用芯片2005压接在构件2006上的工序等的方法等可以制造半导体装置。在此，芯片接合用芯片2005具有半导体芯片2041和配置在半导体芯片2041上的薄膜状胶粘剂2111。构件2006具有被粘物2606、半导体芯片2641以及连接半导体芯片2641和被粘物2606的接合线2607。胶粘剂层2611位于半导体芯片2641与被粘物2606之间。在这样的制造方法中，有时在接合线2607的周边产生空隙。空隙导致半导体装置的可靠性下降，因此希望减少空隙量。另外，通过将芯片接合用芯片2005压接在构件2006上，有时薄膜状胶粘剂2111向侧面突出。本专利技术的目的在于解决上述问题，提供能够减少接合线周边的空隙、并且可以减少突出的胶粘薄膜。本专利技术的目的还在于提供包含所述胶粘薄膜的切割胶带一体型胶粘薄膜、多层薄膜。本专利技术的目的还在于提供使用所述胶粘薄膜的半导体装置的制造方法。本专利技术的目的还在于提供使用所述胶粘薄膜得到的半导体装置。用于解决问题的手段本专利技术涉及一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。tanδ为0.7以上，因此芯片粘接时本专利技术的胶粘薄膜是柔软的。因此，可以减少接合线周边的空隙。tanδ为2.0以下，因此可以减少突出。本专利技术的胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’优选为10000Pa以下。本专利技术的胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”优选为5000Pa以下。本专利技术的胶粘薄膜的120℃的粘度优选为2000Pa·s以下。本专利技术还涉及一种切割胶带一体型胶粘薄膜。本专利技术的切割胶带一体型胶粘薄膜包含：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割胶带、和配置在粘合剂层上的胶粘薄膜。本专利技术还涉及一种多层薄膜。本专利技术的多层薄膜包含：隔片、和配置在隔片上的切割胶带一体型胶粘薄膜。本专利技术还涉及一种半导体装置的制造方法。本专利技术的半导体装置的制造方法包括准备包含被粘物、第1半导体芯片以及接合线的构件
的工序。接合线将第1半导体芯片和被粘物连接。本专利技术的半导体装置的制造方法还包括将半导体晶片压接在胶粘薄膜上的工序、在将半导体晶片压接在胶粘薄膜上的工序之后，通过进行芯片分割而形成芯片接合用芯片的工序、和将芯片接合用芯片压接在构件上的工序。芯片接合用芯片包含第2半导体芯片和配置在第2半导体芯片上的薄膜状胶粘剂。本专利技术还涉及一种半导体装置。附图说明图1是多层薄膜的概略俯视图。图2是多层薄膜的一部分的概略剖视图。图3是半导体装置的制造工序的概略剖视图。图4是半导体装置的制造工序的概略剖视图。图5是半导体装置的制造工序的概略剖视图。图6是半导体装置的制造工序的概略剖视图。图7是半导体装置的制造工序的概略剖视图。图8是变形例4的多层薄膜的一部分的概略剖视图。图9是变形例6的半导体装置的制造工序的概略剖视图。图10是变形例6的半导体装置的制造工序的概略剖视图。图11是实施方式2的多层薄膜的概略剖视图。图12是半导体装置的制造工序的概略剖视图。附图标记1 多层薄膜11 胶粘薄膜12 切割胶带13 隔片71 切割胶带一体型胶粘薄膜121 基材122 粘合剂层122A 接触部122B 周边部4 半导体晶片5 芯片接合用芯片41 半导体芯片111 薄膜状胶粘剂6 构件606 被粘物611 胶粘层641 半导体芯片607 接合线2 复合构件407 接合线411 胶粘层8 密封树脂20 复合体1005 层叠用芯片1041 半导体芯片1111 薄膜状胶粘剂1407 接合线9 多层薄膜14 隔片15 隔片具体实施方式以下列出实施方式，对本专利技术进行详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于这些实施方式。[实施方式1](多层薄膜1)如图1和图2所示，多层薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的胶粘薄膜11。更具体而言，多层薄膜1包含隔片13和配置在隔片13上的切割胶带一体型胶粘薄膜71a、71b、71c、……、71m(以下统称为“切割胶带一体型胶粘薄膜71”)。切割胶带一体型胶粘薄膜71a与切割胶带一体型胶粘薄膜71b之间的距离、切割胶带一体型胶粘薄膜71b与切割胶带一体型胶粘薄膜71c之间的距离、……、切割胶带一体型胶粘薄膜71l与切割胶带一体型胶粘薄膜71m之间的距离是恒定的。多层薄膜1可以形成为卷筒状。切割胶带一体型胶粘薄膜71包含切割胶带12和配置在切割胶带上的胶粘薄膜11。切割胶带12包含基材121和配置在基材121上的粘合剂层122。胶粘薄膜11可以由与粘合剂层11接触的第1主面和与第1主面相对的第2主面定义两面。第2主面与隔片13接触。(胶粘薄膜11)胶粘薄膜11具有热固化性。胶粘薄膜11还具有电绝缘性。胶粘薄膜11的120℃、频率0.1Hz的tanδ为0.7以上。由于为0.7以上，因此芯片粘接时胶粘薄膜11是柔软的。因此，可以减少接合线周边的空隙。另一方面，胶粘薄膜11的120℃、频率0.1Hz的tanδ为2.0以下。为2.0以下时，可以减少突出。tanδ优选为1.9以下。tanδ为损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’。120℃、频率0.1Hz的tanδ可以通过填料的含量、丙烯酸类树脂的含量等控制。例如，通过减少填料的含量、减少丙烯酸类树脂的含量，可以降低tanδ。120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’优选为10000Pa以下，更优选为8000Pa以下，进一步优选为6000Pa以下，更进一步优选为4000Pa
以下。为10000Pa以下时，可以减少接合线周边的空隙。120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’的下限例如为100Pa、200Pa等。120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”优选为5000Pa以下，更优选为3000Pa以下。为5000Pa以下时，可以有效地减少突出。120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”的下限例如为300Pa、400Pa等。胶粘薄膜11的120℃的粘度优选为2000Pa·s以下，更优选为1500Pa·s以下，进一步优选为1300Pa·s以下。为2000Pa·s以下时，可以减少接合线周边的空隙。120℃的粘度的下限例如为100Pa·s、300Pa·s等。胶粘薄膜11含有树脂成分。作为树脂成分，可以列举热塑性树脂、热固性树脂等。热塑性树脂优选为丙烯酸类树脂。作为丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4～18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯作为成分的聚合物(丙烯酸类共聚物)等。作为所述烷基，可以列举例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。

【技术特征摘要】
2015.05.18 JP 2015-1009541.一种胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的tanδ(损耗弹性模量G”/储能弹性模量G’)为0.7～2.0。2.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的储能弹性模量G’为10000Pa以下，并且所述胶粘薄膜的120℃、频率0.1Hz的损耗弹性模量G”为5000Pa以下。3.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜的120℃的粘度为2000Pa·s以下。4.如权利要求1所述的胶粘薄膜，其中，所述胶粘薄膜用于半导体装置的制造方法，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：准备包含被粘物、第1半导体芯片以及将所述第1半导体芯片和所述被粘物连接的接合线的构件的工序；将半导体晶片压接在所述胶粘薄膜上的工序；在将所述半导体晶片压接在所述胶粘薄膜上的工序之后，通过进行芯片分割而形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：宍户雄一郎，三隅贞仁，高本尚英，大西谦司，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP