本发明专利技术提供可在塑料膜的表面形成即使在高电压下也能抑制表面电阻率升高且经时性变化少的固化覆膜的新的热固化型防静电涂覆剂及其固化覆膜、塑料膜。该热固化型防静电涂覆剂含有含羧酸根阴离子基团的丙烯酸类共聚物(A)、固化剂(B)、π共轭系导电性聚合物(C)和导电性无机填料(D)，(D)成分包含选自由金属氧化物系导电性填料(D1)和碳系导电性填料(D2)组成的组中的至少一种，在使用(D1)成分的情况下，以固体成分换算其量相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份为5～30质量份，在使用(D2)成分的情况下，以固体成分换算其量相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份为0.5～10质量份。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热固化型防静电涂覆剂及其固化覆膜、以及具备该固化覆膜的塑料膜。
技术介绍
一直以来，塑料膜供于广泛的用途，已知例如半导体加工等工序中使用的载带用或盖带用的膜、电子部件或陶瓷电容器的制造工序中使用的脱模膜、热烫膜、制版膜、包装用膜、装饰膜、保护膜等。塑料膜也作为光学膜加以利用，例如，作为液晶显示装置构件的棱镜片、触控面板、液晶背光、有机EL显示器等的构件使用。塑料膜在卷绕或开卷时或者在加工时容易带静电。因此，大气中的尘埃附着于表面而产生物理缺陷(针孔等)，或者在加工生产线上产生走行不良。另外，伴随着各种半导体和电子设备的微细化和高集成化，静电的发生成为引起电气制品的动作失误等问题的原因。因此，采用了在塑料膜中混炼防静电剂、或者在表面涂敷防静电涂覆剂的手段。作为后者，已知例如在有机粘合剂树脂中组合有聚噻吩、聚吡咯等π共轭系导电性聚合物的防静电涂覆剂(专利文献1、2)。但是，由这样的防静电涂覆剂构成的覆膜通常被认为在高电压下表面电阻率容易升高。因此，利用以往的防静电涂覆剂进行处理后的塑料膜有时不适合作为在高电压下使用的设备、部件的构件。作为即使在高电压下也可以抑制覆膜的表面电阻率的升高的组合 物，已知在使3,4-二烷氧基噻吩在聚阴离子的存在下在水系溶剂中进行氧化聚合而得到的导电性高分子中配合有乙炔二醇系表面活性剂的导电性组合物(专利文献3)。但是，该导电性组合物的覆膜的表面电阻率可能会经时地升高。此外，在更高的电压下施加的情况下，表面电阻率也容易升高。现有技术文献 专利文献专利文献1：日本特开2009-256623号公报专利文献2：日本特开2010-196022号公报专利文献3：日本特开2014-040550号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的主要课题在于提供可以在塑料膜的表面形成表面电阻率不易经时地变化并且即使在更高的电压下施加也能够抑制表面电阻率升高的固化覆膜的新的热固化型防静电涂覆剂。用于解决问题的方法本专利技术人进行深入研究的结果发现，利用将预定的原料组合而得到的热固化型涂覆剂，能够解决上述问题。即，本专利技术涉及下述的热固化型防静电涂覆剂、其固化覆膜及具备该固化覆膜的塑料膜。1.一种热固化型防静电涂覆剂，其含有含羧酸根阴离子基团的丙烯酸类共聚物(A)、固化剂(B)、π共轭系导电性聚合物(C)和导电性无机填料(D)，(D)成分包含选自由金属氧化物系导电性填料(D1)和碳系导电性填料(D2)组成的组中的至少一种，在使用(D1)成分的情况下，其量相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份(固体成分换算)为5～30质量份(固体成分换算)，在使用(D2)成分的情况下，其量相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份(固体成分换算)为0.5～10质量份(固体成分换算)。2.如上述项1所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(A)成分为由包含α,β不饱和羧酸类(a1)和(甲基)丙烯酸烷基酯类(a2)的单体组(α)构成的共聚物的中和盐。3.如上述项1或2所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(A)成分的羧酸根阴离子基团含量(mol/g)为0.0003～0.005。4.如上述项1～3中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(B)成分为氮丙啶系化合物。5.如上述项1～4中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(A)成分与(B)成分的固体成分质量比[(A)/(B)]为5/5～9/1。6.如上述项1～5中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(C)成分为聚噻吩类。7.如上述项1～6中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(C)成分的含量相对于(A)成分与(B)成分的合计100质量份以固体成分换算计为5～25质量份。8.如上述项1～7中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(D1)成分为选自由锑掺杂的氧化锡、锡掺杂的氧化铟、磷掺杂的氧化锡、氧化锡、铝掺杂的氧化锌、镓掺杂的氧化锌和锑酸锌组成的组中的至少一种。9.如上述项1～8中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(D2)成分为碳纳米管。10.一种固化覆膜，其为上述项1～9中任一项所述的热固化型防静电涂覆剂的固化覆膜。11.一种塑料膜，其在至少单面上具备上述项10所述的固化覆膜。专利技术效果根据本专利技术的热固化型防静电涂覆剂，能够在塑料膜的表面形成即使在高电压下施加也能够抑制表面电阻率升高的固化覆膜。进而，固化覆膜不仅是在约50％的湿度条件下、而且在约90％的非常高的湿度的条件下放置数天后也显示良好的防静电性。另外，该固化覆膜不仅与塑料膜的密合性优良，而且固化性、抗粘连性、耐溶剂性、透明性也良好。本专利技术的塑料膜在表面设置有具有上述诸特性的固化覆膜，因此，适合作为在高电压条件下使用的制品例如精密设备的保护膜、载膜等构件。具体实施方式本专利技术的热固化性防静电涂覆剂(以下称为涂覆剂)为含有含羧酸根阴离子基团的丙烯酸类共聚物(A)(以下称为(A)成分)、固化剂(B)(以下称为(B)成分)和π共轭系导电性聚合物(C)(以下称为(C)成分)、以及预定的导电性无机填料(D)(以下称为(D)成分)的组合物。作为(A)成分，只要是在分子内具有羧酸根阴离子基团(-COO-)的丙烯酸类共聚物则可以没有特别限制地使用各种公知的物质。具体而言，优选由包含α,β不饱和羧酸类(a1)(以下称为(a1)成分)和(甲基)丙烯酸烷基酯类(a2)(以下称为(a2)成分)的单体组(α)(以下称为(α)成分)构成的共聚物的中和盐。作为(a1)成分，可以没有特别限制地使用各种公知的α,β不饱和羧酸类。作为具体例，可以列举：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸和异巴豆酸等α,β不饱和单羧酸及其盐；马来酸、马来酸酐、富马酸、衣康酸和衣康酸酐等α,β不饱和二羧酸及其盐；该α,β不饱和二羧酸与碳原子数1～30左右的醇的半酯及其盐；该α,β不饱和二羧酸与碳原子数1～30左右的胺的半酰胺及其中和盐等，可以组合使用两种以上。作为上述醇，可以列举例如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、甲基溶纤剂和乙基溶纤剂等。作为上述胺，可以列举例如甲胺、乙胺、丙胺、正丁胺、正己胺和正辛胺等。作为形成上述盐的化合物，可以使用后述的中和剂。作为(a1)成分，从由本专利技术的涂覆剂构成的覆膜的固化性的观点考虑，优选上述α,β不饱和单羧酸，特别优选丙烯酸和/或甲基丙烯酸。作为(a2)成分，可以没有特别限制地使用各种公知的(甲基)丙烯酸烷基酯。该烷基可以为直链状、支链状或环状。作为直链状的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸月桂酯和(甲基)丙烯酸硬脂酯等。作为支链状的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯和(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。作为环状的(甲基)丙烯酸烷基酯，可以列举例如(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸环戊酯和(甲基)丙烯酸异冰片酯等，可以组合使用两种以上。其中，从本专利技术的固化覆膜的特别是与塑料膜的密合性的观点考虑，优选上述直链状的(甲基)丙烯酸烷基酯，特别优选烷基的碳原子数为1～20左右(优选1～8左右)的直链状的(甲基)丙烯酸烷基酯。(α)成分可以含有上述(a1)成分和(a本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种热固化型防静电涂覆剂，其含有含羧酸根阴离子基团的丙烯酸类共聚物(A)、固化剂(B)、π共轭系导电性聚合物(C)和导电性无机填料(D)，(D)成分包含选自由金属氧化物系导电性填料(D1)和碳系导电性填料(D2)组成的组中的至少一种，在使用(D1)成分的情况下，其量相对于以固体成分换算计的(A)成分与(B)成分的合计100质量份以固体成分换算计为5～30质量份，在使用(D2)成分的情况下，其量相对于以固体成分换算计的(A)成分与(B)成分的合计100质量份以固体成分换算计为0.5～10质量份。
【技术特征摘要】
2015.05.18 JP 2015-1007311.一种热固化型防静电涂覆剂，其含有含羧酸根阴离子基团的丙烯酸类共聚物(A)、固化剂(B)、π共轭系导电性聚合物(C)和导电性无机填料(D)，(D)成分包含选自由金属氧化物系导电性填料(D1)和碳系导电性填料(D2)组成的组中的至少一种，在使用(D1)成分的情况下，其量相对于以固体成分换算计的(A)成分与(B)成分的合计100质量份以固体成分换算计为5～30质量份，在使用(D2)成分的情况下，其量相对于以固体成分换算计的(A)成分与(B)成分的合计100质量份以固体成分换算计为0.5～10质量份。2.如权利要求1所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(A)成分为由包含α,β不饱和羧酸类(a1)和(甲基)丙烯酸烷基酯类(a2)的单体组(α)构成的共聚物的中和盐。3.如权利要求1或2所述的热固化型防静电涂覆剂，其中，(A)成分的羧酸根阴离子基团含量为0.0003～0.005mol/g。4.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤良树，东本徹，
申请(专利权)人：荒川化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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