【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及一种数据存储系统,更具体地说,涉及在数据存储系统中的具有模块化擦除的数据管理。
技术介绍
除了电磁硬盘之外,计算机系统中的各种形式的长期存储体包括根源于半导体或另外的存储器技术的非易失性存储体。与非(NAND)闪速存储器是固态存储设备中所使用的非易失性存储器的一种形式。在闪速存储器的普通配置中,存储器单元以典型的行列方式被布置有用于存取单独单元的电路。这些单元的数据存储元件(例如晶体管)被配置为:在单级单元(SLC)的情况下保持两个逻辑状态,或在多级单元(MLC)的情况下保持多于两个的逻辑状态。闪速存储器是基于块的存储体,并且可能要求块在被重写之前被擦除。在正执行擦除操作的同时,无法执行其它命令。这可能导致在其它命令等待擦除操作完成的同时、其它命令的较长命令时延。此外,因为擦除操作的持续时间可能随着闪速存储器老化而增加,所以命令时延可能随着时间而增加。因此,仍需要更好的可以优化命令时延的数据存储设备。鉴于日益增加的商业竞争压力,连同对于市场中的有意义的产品分化的增长的消费者期待以及减少的机会一起,寻找针对这些问题的答案是重要的。此外,对于寻找对这些问题的答案,关于减少成本、改进效率和性能并且应对竞争压力的需要对关键必要性增加了日益更大的紧迫性。先前的开发已经长期探求但并未发现对这些问题的优化解决方案。因此,仍需本领域技术人员长期规避。
技术实现思路
本公开涵盖一种数据存储系统中具有模块化擦除的数据管理的系统和方法,包括:将擦除操作划分为一个或多个部分擦除操作;在各部分擦除操作之间执行介入命令;修改所述部分擦除操作的操作值;以及实现用于部分 ...
【技术保护点】
一种在具有存储器阵列的数据存储系统中具有模块化擦除的数据管理的方法,其中,存储器阵列具有擦除块和目标块,其中,逻辑单元中的所述目标块与所述擦除块分离,包括:对所述擦除块执行擦除操作,所述擦除操作具有操作矩阵,被配置用于所述擦除块的部分擦除;更新用于所述擦除块的命令状态;基于指示不完全擦除状态的所述命令状态而在所述目标块上启用介入命令;在执行所述介入命令之后基于所述命令状态而执行擦除优化;基于所述擦除优化而执行附加擦除操作;以及基于所述附加擦除操作而将所述命令状态更新为擦除完成状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.15 US 14/082,0311.一种在具有存储器阵列的数据存储系统中具有模块化擦除的数据管理的方法,其中,存储器阵列具有擦除块和目标块,其中,逻辑单元中的所述目标块与所述擦除块分离,包括:对所述擦除块执行擦除操作,所述擦除操作具有操作矩阵,被配置用于所述擦除块的部分擦除;更新用于所述擦除块的命令状态;基于指示不完全擦除状态的所述命令状态而在所述目标块上启用介入命令;在执行所述介入命令之后基于所述命令状态而执行擦除优化;基于所述擦除优化而执行附加擦除操作;以及基于所述附加擦除操作而将所述命令状态更新为擦除完成状态。2.如权利要求1所述的方法,还包括:基于年龄度量而计算所述擦除块的存储器年龄;以及基于所述存储器年龄而执行所述擦除优化。3.如权利要求1-2中的任一项所述的方法,其中:执行所述擦除优化包括:计算用于所述操作矩阵的擦除操作值;以及通过所述擦除操作值执行所述附加擦除操作。4.如权利要求1-3中的任一项所述的方法,还包括:计算用于所述擦除块的停驻时间;以及在所述附加擦除操作之前实现所述停驻时间的停驻延迟,以增加耐久性。5.如权利要求1-4中的任一项所述的方法,其中,执行所述介入命令包括:实现小于用于所述擦除操作的最大执行时间的、用于所述擦除操作的总执行时间。6.如权利要求1-5中的任一项所述的方法,其中,启用所述介入命令包括:在具有被配置用于所述擦除块的部分擦除的操作矩阵的擦除操作与所述擦除优化之间执行多于一个的所述介入命令。7.一种数据存储系统,包括:配置模块,用于配置具有擦除块和目标块的存储器阵列,逻辑单元中的所述目标块与所述擦除块分离;部分擦除模块,耦合到所述配置模块,以用于:对所述擦除块执行擦除操作,所述擦除操作具有被配置用于所述擦除块的部分擦除的操作矩阵,所述擦除操作更新用于所述擦除块的命令状态;以及基于擦除优化而执行附加擦除操作;介入命令模块,耦合到所述部分擦除模块,以用于基于指示不完全擦除的所述命令状态而对所述目标块执行介入命令;优化模块,耦合到所述介入命令模块,以用于在执行所述介入命令之后基于所述命令状态而执行擦除优化;以及更新模块,耦合到所述优化模块,以用于基于所述附加擦除操作而将所述命令状态更新为擦除完成状态。8.如权利要求7所述的系统,还包括:检查状态模块,耦合到所述部分擦除模块,以用于基于年龄度量而计算所述擦除块的存储器年龄;以及其中:所述优化模块用于基于所述存储器年龄而执行所述擦除优化。9.如权利要求7所述的系统,还包括:检查状态模块,耦合到所述部分擦除模块,以用于计算所述擦除块的存储器年龄;以及其中:所述优化模块用于:计算用于所述操作矩阵的擦除操作值,所述擦除操作值具有擦除电压和擦除脉冲宽度;以及基于所述存储器年龄而设置所述擦除电压,所述擦除电压对于所述存储器年龄的较大值而具有较高值;以及所述部分擦除模块用于通过用于部分地擦除所述擦除块的擦除电压和擦除脉...
【专利技术属性】
技术研发人员:JM希金斯,RW埃利斯,M丹乔,J菲茨帕特里克,
申请(专利权)人:桑迪士克科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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