高效率发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管，包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于发光结构体的下表面上；及第二电极，其与第二导电型半导体层电连接，第二电极包含：第一反射金属层；及第二反射金属层；且第二反射金属层与第二导电型半导体层之间的接触电阻大于第一反射金属层与第二导电型半导体层之间的接触电阻。由此，可减少顺向电压，增加输出电力，并改善发光二极管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种包含反射金属层而光提取效率得到改善的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电能转换为光的固体状态元件。发光二极管广泛地应用于背光单元的各种光源、照明设备、信号器、大型显示器等。随着照明用LED市场扩大且其应用范围扩大到高电流、高功率装置，需要开发一种用以提高电极电连接外部结构(例如模块)至LED的半导体层的可靠性且提高发光二极管的光提取效率的电极技术。
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]本专利技术所欲解决的课题在于提供一种可通过防止障壁金属层的光吸收以改善光提取效率的发光二极管。本专利技术所欲解决的另一课题在于提供一种在第二导电型半导体层的下表面上包含具有不同电接合特性的区域以改善电流分散效率的发光二极管。本专利技术所欲解决的又一课题在于提供一种防止连接到第二导电型半导体层的电极剥离以改善可靠性的发光二极管。[解决课题的手段]本专利技术的一实施例的发光二极管包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；及第二电极，其与所述第二导电型半导体层电连接；所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；及第二反射金属层，其
覆盖所述电流阻断层的下表面与所述第一反射金属层的下表面，且与所述第二导电型半导体层的一部分相接；且所述第二反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻可大于所述第一反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻。本专利技术的另一实施例的发光二极管包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其位于所述发光结构体的上表面上，与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；及第二电极，其位于所述发光结构体的下表面上，与所述第二导电型半导体层电连接；所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；及第二反射金属层，其覆盖所述电流阻断层的下表面与所述第一反射金属层的下表面；且所述电流阻断层与所述第二反射金属层之间的接着力可大于所述电流阻断层与所述第一反射金属层之间的接着力。[专利技术效果]根据本专利技术的实施例，发光二极管的第二导电型半导体层的下表面可包含具有不同电接合特性的区域，从而可改善电流分散效率。由此，可减少顺向电压，增加输出电力。另外，可通过电流阻断层与第二反射金属层之间的较高接着力以防止第二电极的剥离，从而可改善发光二极管的可靠性。附图说明图1(a)及图1(b)是用以说明本专利技术的一实施例的发光二极管的俯视图。图2是用以说明本专利技术的一实施例的发光二极管的剖面图。图3是图2的发光二极管的部分I的放大图。图4(a)及图4(b)是对本专利技术的一实施例的发光二极管与现有的发光二极管的性能进行比较的图表。图5是用以说明本专利技术的另一实施例的发光二极管的剖面图。图6是用以说明本专利技术的又一实施例的发光二极管的剖面图。图7是用以说明将本专利技术的一实施例的发光二极管应用于照明装置的分
解立体图。图8是用以说明将本专利技术的一实施例的发光二极管应用于显示装置的剖面图。图9是用以说明将本专利技术的一实施例的发光二极管应用于显示装置的剖面图。图10是用以说明将本专利技术的一实施例的发光二极管应用于头灯的剖面图。具体实施方式以下，参照附图，详细地对本专利技术的实施例进行说明。以下所述的实施例是为了可将本专利技术的思想充分地传达给本专利技术所属的
的普通技术人员而提供的示例。因此，本专利技术并不限定于以下所说明的实施例，也能够以其他形态具体化。并且，在附图中，为方便起见，也可夸张地表示构成要素的宽度、长度、厚度等。另外，在记载为一个构成要素处于其他构成要素的“上部”或“上”的情况下，不仅包含各部分处于其他部分的“正上部”或“正上方”的情况，而且还包含在各构成要素与其他构成要素之间介置有另一构成要素的情况。在整篇说明书中，相同的参照符号表示相同的构成要素。本专利技术的一实施例的发光二极管包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；及第二电极，其与所述第二导电型半导体层电连接；所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；及第二反射金属层，其覆盖所述电流阻断层的下表面与所述第一反射金属层的下表面，且与所述第二导电型半导体层的一部分相接；且所述第二反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻可大于所述第一反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻。所述第一反射金属层与所述电流阻断层隔开。所述第二反射金属层包含Al层，所述Al层可与所述电流阻断层、所述
第一反射金属层及所述第二导电型半导体层相接。所述发光二极管还包含位于所述第二反射金属层的下表面上的障壁金属层，所述障壁金属层可包含Ni。所述电流阻断层包含与所述第二导电型半导体层相接的第一区域，所述第一反射金属层包含与所述第二导电型半导体层相接的第二区域，所述第二反射金属层包含与所述第二导电型半导体层相接的第三区域，所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域可分别具有不同的电接合特性。所述第三区域与所述第二反射金属层可具有肖特基接合特性。所述第三区域的面积可小于所述第二区域的面积。所述第二反射金属层的一部分可覆盖所述电流阻断层的侧面。所述电流阻断层的侧面可包含倾斜面。所述第二反射金属层的突出部较所述发光结构体的侧面突出。所述发光二极管还可包含位于所述发光结构体的上表面及侧面上的绝缘层。所述电流阻断层的一部分可位于所述突出部的上表面上。所述绝缘层与所述电流阻断层可彼此相接。所述绝缘层与所述电流阻断层可由相同的物质形成。在一些实施例中，所述第一电极可包含电极垫及上部延伸部，所述上部延伸部可包含与所述电流阻断层重叠的区域。另外，在所述上部延伸部与所述电流阻断层重叠时，所述电流阻断层的宽度大于所述上部延伸部的宽度，以使所述电流阻断层的部分在宽度方向上位于所述上部延伸部的两侧上方。特别是，在宽度方向上位于所述上部延伸部的两侧上方的所述电流阻断层的部分的宽度与所述上部延伸部的宽度相同或大于所述上部延伸部的宽度。通过将电流阻断层的宽度设为上部延伸部的宽度的3倍以上，可使电流均匀地分散到发光二极管的广阔区域，由此可提高光输出。本专利技术的另一实施例的发光二极管包含：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其位于所述发光结构体的上表面上，与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；及第二电极，其位于所述发光结构体的
下表面上，与所述第二导电型半导体层电连接；所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；及第二反射金属层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；以及第二电极，其与所述第二导电型半导体层电连接，其中所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；以及第二反射金属层，其覆盖所述电流阻断层的下表面及所述第一反射金属层的下表面，且与所述第二导电型半导体层的一部分相接，且所述第二反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻大于所述第一反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻。

【技术特征摘要】
2015.05.22 KR 10-2015-0071906;2016.04.20 KR 10-2011.一种发光二极管，包括：发光结构体，其包含第二导电型半导体层、位于所述第二导电型半导体层的上表面上的活性层、及位于所述活性层的上表面上的第一导电型半导体层；至少一个第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；电流阻断层，其位于所述发光结构体的下表面上；以及第二电极，其与所述第二导电型半导体层电连接，其中所述第二电极包含：第一反射金属层，其与所述第二导电型半导体层相接；以及第二反射金属层，其覆盖所述电流阻断层的下表面及所述第一反射金属层的下表面，且与所述第二导电型半导体层的一部分相接，且所述第二反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻大于所述第一反射金属层与所述第二导电型半导体层之间的接触电阻。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一反射金属层与所述电流阻断层隔开。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二反射金属层包含Al层，所述Al层与所述电流阻断层、所述第一反射金属层及所述第二导电型半导体层相接。4.根据权利要求3所述的发光二极管，还包括位于所述第二反射金属层的下表面上的障壁金属层，所述障壁金属层包含Ni。5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述电流阻断层包含与所述第二导电型半导体层相接的第一区域，所述第一反射金属层包含与所述第二导电型半导体层相接的第二区域，所述第二反射金属层包含与所述第二导电型半导体层相接的第三区域，所述第一区域、所述第二区域及所述第三区域分别具有不同的电接合特性。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中所述第三区域与所述第二反射金属层形成肖特基接合。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中所述第三区域的面积小于所
\t述第二区域的面积。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第二反射金属层的一部分覆盖所述电流阻断层的侧面。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰均，李俊熙，金起贤，孙成寿，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR