搭配负性液晶使用的像素结构、阵列基板和显示面板制造技术

一种搭配负性液晶使用的像素结构、阵列基板和显示面板，该像素结构包括：多条数据线和多条扫描线；多个像素单元，由多条数据线和多条扫描线交叉形成；其中，多个像素单元中的每个像素单元包括：薄膜晶体管；像素电极，像素电极包括与薄膜晶体管电性连接的第一端和与第一端相对设置且远离薄膜晶体管的第二端，像素电极还包括多个电极条，相邻两电极条之间形成狭缝；其中，在像素电极的第二端，多个电极条以直线延伸至相邻像素单元中的薄膜晶体管的位置处，且相邻两电极条之间的狭缝的端部为敞开设置。相对于现有技术，该像素结构能够进一步提高穿透率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种搭配负性液晶使用的像素结构、阵列基板和显示面板。
技术介绍
FFS(fringe field switching，边缘场转换技术)显示技术中，像素电极和公共电极形成在同一个基板(即阵列基板)上。图1是现有技术中一种像素结构100的示意图。如图1所示，像素电极由连接在一起的多个电极条110形成，相邻的电极条110之间形成狭缝120。FFS显示技术通常使用正性液晶，因为正性液晶具有响应电压低等诸多优点。在使用正性液晶的场合，为了增大穿透率，在像素电极的末端设置有横向电极140，在每个电极条110的末端增设有拐角130，利用横向电极140将各个电极条110末端的拐角130连接起来，使电场和液晶分子存在一个夹角，液晶分子可以一定程度上转动，减少暗区。随着技术的进步，负性液晶的性能得到显著提高，其应用也越发广泛。而像素结构的设计仍沿用旧有的方案。像素电极110末端设置的横向电极140和拐角130，限制了穿透率的进一步提高，却没有技术人员质疑在使用负性液晶的场合横向电极140和拐角130存在的必要性。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种搭配负性液晶使用的像素结构，相对于现有技术，该像素结构能够进一步提高穿透率。本专利技术的实施例提供的解决其技术问题的技术方案如下：一种搭配负性液晶使用的像素结构，包括：多条数据线和多条扫描线；多个像素单元，由多条数据线和多条扫描线交叉形成；其中，多个像素单元中的每个像素单元包括：薄膜晶体管；像素电极，像素电极包括与薄膜晶体管电性连接的第一端和与第一端相对设置且远离薄膜晶体管的第二端，像素电极还包括多个电极条，相邻两电极条之间形成狭缝；其中，在像素电极的第二端，多个电极条以直线延伸至相邻像素单元中的薄膜晶体管的位置处，且相邻两电极条之间的狭缝的端部为敞开设置。本专利技术较佳实施例中，在像素电极的第一端，还设置一横向电极，多个电极条通过横向电极连接在一起。本专利技术较佳实施例中，在像素电极的第一端，每一狭缝具有一个拐角区，且拐角区被横向电极封闭。本专利技术较佳实施例中，像素电极的多个电极条分别与数据线平行。本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括上述搭配负性液晶使用的像素结构。本专利技术较佳实施例中，像素单元还包括公共电极。本专利技术较佳实施例中，公共电极位于像素电极的上方或下方。本专利技术实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，液晶层由负性液晶分子形成，阵列基板为上述阵列基板。本实施例提供的搭配负性液晶使用的像素结构，去掉了现有技术中像素电极一端的横向电极和拐角，并延展了像素电极狭缝的长度，使得整个像素单元的穿透率极大的提高，通过实验数据可以验证这种效果。附图说明图1为现有技术中一种像素结构的示意图。图2为本专利技术实施例提供的像素结构的示意图。图3为图2中像素电极的示意图。图4为图1和图2中像素结构在未遮BM时的穿透效果的比较示意图。图5为图1和图2中像素结构在遮BM时的穿透效果的比较示意图。图6为图1和图2中像素结构的穿透率的对比图。图7为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图。图8为本专利技术实施例提供的显示面板的结构示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术方式及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。首先需要说明的是，由于响应电压低等诸多优于负性液晶的特点，正性液晶的使用要早于负性液晶。后来，随着技术的进步，负性液晶的性能得到显著改善，其应用也愈发广泛。正性液晶与负性液晶之间有很多共同点，他们之间的差异较少有技术人员关注。所以，在使用负性液晶的产品中，技术人员直接采用使用正性液晶的产品的像素结构。换言之，本领域技术人员普遍认为使用负性液晶的产品和使用正性液晶的产品应该采用相同的像素结构。然而，对使用正性液晶的产品和使用负性液晶的产品之间的差异进行研究，从而研究出更加适合于使用负性液晶的产品的像素结构是有意义的。本专利技术提出了一种与负性液晶搭配使用的像素结构，通过改进原有使用正性液晶的像素结构，从而增大了穿透率，并通过实验检验了这种效果。图2为本专利技术实施例提供的像素结构的示意图。如图2所示，本专利技术实施例提供一种像素结构200，该像素结构200应用于使用负性液晶的产品，该像素结构200包括：多条数据线20和多条扫描线30；多条数据线20和多条扫描线30交叉形成的多个像素单元10，其中，一个像素单元10由相邻的两条数据线20和相邻的两条扫描线30交叉限定形成；其中，多个像素单元10中的每个像素单元10包括：像素电极40和薄膜晶体管50，其中，像素电极40的一端与薄膜晶体管50电性连接。图3为图2中像素电极的示意图。请结合图3，像素电极40具有与薄膜晶体管50电性连接的第一端40a和与该第一端相对设置且远离薄膜晶体管50的第二端40b。像素电极40包括多个电极条41，相邻电极条41之间形成狭缝42。在像素电极40的第一端40a，该多个电极条41通过横向电极43连接在一起，即在像素电极40的第一端40a，相邻电极条41之间的狭缝42的端部是封闭的；在像素电极40的第二端40b，该多个电极条41以直线延伸至相邻像素单元中的薄膜晶体管60位置处，而且在像素电极40的第二端40b，相邻电极条41之间的狭缝42的端部是敞开的(即非封闭)，换言之，在像素电极40的第二端40b，该多个电极条41没有通过横向电极连接在一起。需要说明的是，该多个电极条41以直线延伸至相邻像素单元中的薄膜晶体管60位置处，而非如现有技术那样在电极条41末端设置拐角，是因为在实验中发现，在电极条41末端设置拐角使得电场线偏转，该区域对应的负性液晶亦随之偏转，穿透率降低。而该多个电极条41以直线延伸至相邻像素单元中的薄膜晶体管60位置处，则不会有该问题。请同时参照图1，与现有技术相比，本专利技术实施例取消了像素电极的第二端上的横向电极140，使电极条41之间的狭缝42可以拉长并延伸至原来横向电极140所占据的区域。由于在像素电极40的第二端40b，相邻电极条41之间的狭缝42所占据的空间更大，从而穿透率可以提高。在使用负性液晶的产品上，这种结构设计可以提高像素单元10的穿透率，这一点可在下面实验中得到验证。图1中较大的虚线框150和较小的虚线框160分别表示现有技术中像素单元的中心透光区和较暗的边缘透光区，图2中较大的虚线框70和较小的虚线框80分别表示本专利技术实施例中像素单元的中心透光区和较暗的边缘透光区。通过比较可以发现，本专利技术实施例中的中心透光区较现有技术中的中心透光区大，而本专利技术实施例中较暗的边缘透光区比现有技术中较暗的边缘透光区小。请参图4和图5，图4为图1和图2中像素结构的在未遮BM时穿透效果的比较示意图，其中左图为图1(即现有技术)中像素结构的穿透效果示意图，其中右图为图2(即本专利技术实施例)中像素结构的穿透效果示意图；图5为图1和图2中像素结构的在遮BM时穿透效果的比较示意图，其中左图为图1(即现有技术)中像素结构的穿透效果示意图，其中右图为图2(即本专利技术实施例)中像素结构的穿透效果示意图。通过比较可见，本专利技术实施例较现有技术有效减小了暗区的面积，改善了像素结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种搭配负性液晶使用的像素结构，其特征在于，包括：多条数据线和多条扫描线；多个像素单元，由所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成；其中，所述多个像素单元中的每个像素单元包括：薄膜晶体管；像素电极，所述像素电极包括与所述薄膜晶体管电性连接的第一端和与所述第一端相对设置且远离所述薄膜晶体管的第二端，所述像素电极还包括多个电极条，相邻两所述电极条之间形成狭缝；其中，在所述像素电极的所述第二端，所述多个电极条以直线延伸至相邻所述像素单元中的所述薄膜晶体管的位置处，且相邻两所述电极条之间的所述狭缝的端部为敞开设置。

【技术特征摘要】
1.一种搭配负性液晶使用的像素结构，其特征在于，包括：多条数据线和多条扫描线；多个像素单元，由所述多条数据线和所述多条扫描线交叉形成；其中，所述多个像素单元中的每个像素单元包括：薄膜晶体管；像素电极，所述像素电极包括与所述薄膜晶体管电性连接的第一端和与所述第一端相对设置且远离所述薄膜晶体管的第二端，所述像素电极还包括多个电极条，相邻两所述电极条之间形成狭缝；其中，在所述像素电极的所述第二端，所述多个电极条以直线延伸至相邻所述像素单元中的所述薄膜晶体管的位置处，且相邻两所述电极条之间的所述狭缝的端部为敞开设置。2.如权利要求1所述的搭配负性液晶使用的像素结构，其特征在于，在所述像素电极的所述第一端，还设置一横向电极，所述多个电极条通过所述横向电极连接在一起。3.如权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹忠飞，李海波，郑会龙，何钰莹，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32