【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种能隙参考电路。
技术介绍
能隙参考电路用于产生准确的输出电压。能隙参考电路所产生的输出电压不会受制造工艺、供应电源和温度变化的影响。因此,能隙参考电路可广泛使用于各种的模拟电路和数字电路中,这些电路在运作时需要准确的参考电压。图1例示一常见的能隙参考电路100。参照图1,该能隙参考电路100包含PMOS晶体管M1、M2和M3,一运算放大器OP,电阻R1和R2以及双极性晶体管(bipolar transistor)Q1、Q2和Q3。当忽略基极电流时,该能隙参考电路100的输出电压VOUT可以表示为: VOUT = VEB 3 + VT × ln N × ( R 2 R 1 ) - - - ( 1 ) ]]>其中,VEB3为双极性晶体管Q3的发射极-基极间电压差,VT为室温时的热电压(thermal voltage),N为双极性晶体管Q2的发射极面积(emitter area)和双极性晶体管Q1的发射极面积的比例。如方程式(1)所示,在调整电阻R2和R1的阻值比例后,该能隙参考电路100可以提供具有零温度系数的稳定输出电压VOUT。该电压VOUT的电压电平约为1.25V,接近于硅能隙(energy g ...
【技术保护点】
一种能隙参考电路,包括:第一电流源;第二电流源;第三电流源;第四电流源;运算放大器,电气连接至第一至第四电流源;第一双极性晶体管,其具有电气连接至所述第一电流源的发射极,和具有电气连接至接地电压的基极和集电极;分压电路,电气连接于所述第一双极性晶体管的发射极和基极之间,所述分压电路提供比例于所述第一双极性晶体管的发射极‑基极间电压差的偏压电压;第二双极性晶体管,其具有用以接收所述偏压电压的基极,具有电气连接至所述第二电流源的发射极,和具有电气连接至所述接地电压的集电极;第三双极性晶体管,其具有电气连接至所述接地电压的集电极和基极;第一电阻,其电气连接于所述第三电流源和所述第三双极性晶体管的发射极之间;以及第二电阻,其电气连接于所述第四电流源和所述接地电压之间;其中,所述第四电流源和所述第二电阻的交叉点提供能隙参考电压。
【技术特征摘要】
1.一种能隙参考电路,包括:第一电流源;第二电流源;第三电流源;第四电流源;运算放大器,电气连接至第一至第四电流源;第一双极性晶体管,其具有电气连接至所述第一电流源的发射极,和具有电气连接至接地电压的基极和集电极;分压电路,电气连接于所述第一双极性晶体管的发射极和基极之间,所述分压电路提供比例于所述第一双极性晶体管的发射极-基极间电压差的偏压电压;第二双极性晶体管,其具有用以接收所述偏压电压的基极,具有电气连接至所述第二电流源的发射极,和具有电气连接至所述接地电压的集电极;第三双极性晶体管,其具有电气连接至所述接地电压的集电极和基极;第一电阻,其电气连接于所述第三电流源和所述第三双极性晶体管的发射极之间;以及第二电阻,其电气连接于所述第四电流源和所述接地电压之间;其中,所述第四电流源和所述第二电阻的交叉点提供能隙参考电压。2.根据权利要求1所述的能隙参考电路,其中所述第一电流源由PMOS晶体管所构成,其具有电气连接至供应电源的源极,具有电气连接至所述运算放大器的输出端的栅极,和具有电气连接至所述第一双极性晶体管的发射极的漏极。3.根据权利要求2所述的能隙参考电路,其中所述第二电流源由PMOS晶体管所构成,其具有电气连接至所述供应电源的源极,具有电气连接至所述运算放大器的所述输出端的栅极,和具有电气连接至所述第二双极性晶体管的发射极和所述运算放大器的...
【专利技术属性】
技术研发人员:粘书瀚,
申请(专利权)人:晶豪科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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