【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年5月1日提交的题为“ADAPTIVE STANDARD CELL ARCHITECTURE AND LAYOUT TECHNIQUES FOR LOW AREA DIGITAL SOC(用于小面积数字SOC的自适应标准单元架构和布局技术)”的美国专利申请号14/267,888的权益,其通过援引全部明确纳入于此。背景领域本公开一般涉及布局构造,尤其涉及用于小面积数字片上系统(SoC)的自适应标准单元架构和布局技术。背景标准单元是可用数字逻辑来实现的集成电路。专用集成电路(ASIC)(诸如SoC器件)可包含数千至数百万的标准单元。此类标准单元可占用SoC的约20%。减小ASIC的尺寸/面积覆盖区是有益的。因此,存在对减小个体标准单元的尺寸/面积覆盖区的需要。概述在本公开的一个方面中,标准单元互补金属氧化物半导体(CMOS)器件包括跨所述标准单元延伸的第一电源轨。所述第一电源轨连接到第一电压或小于所述第一电压的第二电压中的一个电压。所述标准单元CMOS器件进一步包括跨所述标准单元延伸的第二电源轨。所述第二电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的另一个电压。所述第二电源轨包括金属x层互连和连接到所述金属x层互连的金属x-1层互连集合。标准单元CMOS器件进一步包括在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间并由所述第一电源轨和所述第二电源轨供电的CMOS晶体管器件集合。所述标准单元CMOS器件进一步包括所述第二电源轨下方并且与所述第二电源轨正交地延伸的x-1层互连。所述x-1层互连耦合到所述CMOS晶体管器件集合。所述x-1层互连可 ...
【技术保护点】
一种标准单元互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,包括:第一电源轨,所述第一电源轨跨所述标准单元延伸,所述第一电源轨连接到第一电压或小于所述第一电压的第二电压中的一个电压;第二电源轨,所述第二电源轨跨所述标准单元延伸,所述第二电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的另一个电压,所述第二电源轨包括金属x层互连和连接到所述金属x层互连的金属x‑1层互连集合;CMOS晶体管器件集合,所述CMOS晶体管器件集合在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间并且由所述第一电源轨和所述第二电源轨供电;以及x‑1层互连,所述x‑1层互连在所述第二电源轨下方并且与所述第二电源轨正交地延伸,所述x‑1层互连耦合到所述CMOS晶体管器件集合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.01 US 14/267,8881.一种标准单元互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,包括:第一电源轨,所述第一电源轨跨所述标准单元延伸,所述第一电源轨连接到第一电压或小于所述第一电压的第二电压中的一个电压;第二电源轨,所述第二电源轨跨所述标准单元延伸,所述第二电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的另一个电压,所述第二电源轨包括金属x层互连和连接到所述金属x层互连的金属x-1层互连集合;CMOS晶体管器件集合,所述CMOS晶体管器件集合在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间并且由所述第一电源轨和所述第二电源轨供电;以及x-1层互连,所述x-1层互连在所述第二电源轨下方并且与所述第二电源轨正交地延伸,所述x-1层互连耦合到所述CMOS晶体管器件集合。2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述x-1层互连在作为所述第二电源轨的一部分的所述金属x-1层互连集合中的两个x-1层互连之间延伸。3.如权利要求2所述的器件,其特征在于,x等于2并且所述第二电源轨包括金属2(M2)层互连和金属1(M1)层互连集合。4.如权利要求3所述的器件,其特征在于,所述第一电源轨包括金属1(M1)层互连或金属2(M2)层互连中的至少一者。5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一电源轨和所述第二电源轨彼此平行延伸。6.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述金属x-1层互连集合在所述金属x层互连下方并且与所述金属x层互连平行地延伸。7.如权利要求1所述的器件,其特征在于,进一步包括:第三电源轨,所述第三电源轨跨所述标准单元延伸,所述第三电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的所述一个电压,所述第三电源轨包括金属x层互连或金属x-1层互连中的至少一者;以及第二CMOS晶体管器件集合,所述第二CMOS晶体管器件集合在所述第二电源轨与所述第三电源轨之间并且由所述第二电源轨和所述第三电源轨供电,其中,所述x-1层互连还耦合到所述第二CMOS晶体管器件集合。8.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述CMOS晶体管器件集合包括p型金属氧化物半导体(pMOS)晶体管器件集合和n型金属氧化物半导体(nMOS)晶体管器件集合,并且所述pMOS晶体管器件的宽度大致等于所述nMOS晶体管器件的宽度。9.如权利要求8所述的器件,其特征在于,进一步包括n型阱,所述pMOS晶体管器件在所述n型阱上,其中,所述n型阱的一个边缘大致在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间的中间。10.一种操作标准单元互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的方法,包括:通过第一电源轨和第二电源轨向CMOS晶体管器件集合供电,所述第一电源轨跨所述标准单元延伸,所述第一电源轨连接到第一电压或小于所述第一电压的第二电压中的一个电压,所述第二电源轨跨所述标准单元延伸,所述第二电源轨连接到所述第一电压或所述第二电压中的另一个电压,所述第二电源轨包括金属x层互连和连接到所述金属x层互连的金属x-1层互连集合,所述CMOS晶体管器件集合在所述第一电源轨与所述第二电源轨之间;以及使电流流过x-1层互连,所述x-1层互连在所述第二电源轨下方并且与所述第二电源轨正交地延伸,所述x-1层互连耦合到所述CMOS晶体管器件集合。11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述x-1层互连在作为所述第二电源轨的一部分的所述金属x-1层互连集合中的两个x-1层互连之间延伸。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,x等于2并且所述第二电源轨包括金属2(M2)层互连和金属1(M1)层互连集合。13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述第一电源轨包括金属1(M1)层互连或金属2(M2)层互连中的至...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·M·沙阿,K·麦迪赛蒂,V·兰加纳,A·达塔,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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