检测装置及半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种检测装置及半导体加工设备。该检测装置包括发射部、接收部和反射部，发射部用于朝向反射部发送光；反射部用于将发射部发送的光反射至少一次且反射至接收部；接收部用于接收反射部反射回来的光；发射部和反射部对应设置在位于检测位置的晶片的上下两侧，接收部与发射部设置在同一侧，光传输路径经过位于检测位置的晶片所在位置，通过判断接收部是否接收到光来判断检测位置是否存在晶片。本发明专利技术提供的检测装置，可以降低晶片反射的光对检测造成的影响，从而可以实现检测表面具有凹槽等结构、表面如镜面般和反光度与腔室底壁相近的特殊晶片，进而可以提高检测装置的适用性和检测精度，提高半导体加工设备的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种检测装置及半导体加工设备。
技术介绍
半导体制造行业是一个高度自动化的行业，为提高工艺过程的可靠性，需要进行多方面的检测，再根据检测结果来判断工艺是否正常，例如，需要进行在传输过程和/或传输过程之后检测晶片是否存在，通常称之为WPS(Wafer Presence Sensor)检测。目前，为实现WPS检测，现有技术中常用以下两种检测方式实现。具体地，第一种方式为：请参阅图1a和图1b，WPS检测装置为回归反射式传感器，其包括发射接收部1和反射板2，且二者分别设置在腔室的顶壁3上方和底壁4下方，发射接收部1用于朝向反射板2发送光并接收被反射板2反射回来光，反射板2用于将发射接收部5发送的光反射回去，顶壁3和底壁4在光入射路径L1和反射路径L2的位置处设置有透明窗，以实现光在发射接收部1和反射板2之间传输。在图1a所示的检测位置未存在晶片S情况下，入射路径L1未受到晶片S的阻挡，发射接收部1会接收到反射板2反射回来的光；在图2b所示的检测位置存在晶片S的情况下，检测位置为图2b中晶片所在的位置处，晶片S会阻挡入射路径L1，发射接收部1不会接收到反射板2反射回来的光。基于上述原理，可以根据发射接收部1是否接收到反射板2反射回来的光来检测检测位置是否存在晶片。第二种方式为：请参阅图2a和图2b，WPS传感器为漫反射传感器5，其设置在腔室的顶壁3上方，用于朝向腔室的底壁4发射激光，顶壁3在激光的传输路径L1上的位置处设置有透明窗，以实现激光向底壁4发射。在图2a所示的检测位置未存在晶片S情况下，入射路径
>L1未受到晶片S阻挡，激光会打到底壁4上并发生漫反射；在图2b所示的检测位置存在晶片S的情况下，入射路径L1受到晶片S阻挡，激光会打到晶片S上发生漫反射，漫反射传感器5根据检测反射回来的光强判断是否为晶片S反射回来的光强，若是，则检测位置存在晶片S，若否，则检测位置未存在晶片S。然而，采用上述两种方式实现WPS检测在实际应用中具有一定的不足。具体地，采用第一种方式一般会存在以下问题：通常为了提高第一种方式的检测可靠性，以防止高亮镜面的晶片S的误检测，要求发射的光为偏振光且与接收到的反射偏振光之间的角度为90°，但是，对于一些表面具有凹槽等结构的晶片S，其反射回去的光同样会发生偏振，从而会导致误检测。采用第二种方式一般会存在以下问题：若检测表面如镜面般的晶片S，该晶片S不会发生漫反射，不易将光发射会漫反射传感器5，因此不易检测；而且若底壁4与晶片S表面的反光度相近，则底壁4反射回来的光强和晶片S反射回来的光强相近，容易造成误检测。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种检测装置及半导体加工设备，可以降低晶片反射的光对检测造成的影响，从而可以实现检测表面具有凹槽等结构、表面如镜面般和反光度与腔室底壁相近的特殊晶片，进而可以提高检测装置的适用性和检测精度，提高半导体加工设备的可靠性。为解决上述问题之一，本专利技术提供了一种检测装置，用于检测腔室内的检测位置是否存在晶片，所述检测装置包括发射部、接收部和反射部；所述发射部用于朝向所述反射部发送光；所述反射部用于将所述发射部发送的光反射至少一次且反射至所述接收部；所述接收部用于接收所述反射部反射回来的光；所述发射部和所述反射部对应设置在位于检测位置的晶片的上下两侧，所述接收部与所述发射部设置在同一侧，光传输路径经过位于所述检测位置的晶片所在位置，通过判断所述接收部是否接收到光来判断检测位置是否存在晶片。具体地，所述反射部为具有镜面反射功能的反射部。优选地，在所述反射部的朝向晶片的表面上形成有凹部，所述凹部的侧壁为具有镜面反射功能的表面，且其与水平面之间的夹角为45°；所述发射部用于沿竖直方向朝向所述凹部的侧壁发送光，以实现光在所述凹部的侧壁经过两次反射后沿竖直方向朝向所述接收部射出。优选地，所述反射部采用不锈钢材料制成。具体地，所述反射部为具有全反射功能的反射部，所述发射部用于沿垂直所述反射部上表面的方向朝向所述反射部发送光，以实现光在所述反射部内经过两次反射后朝向所述接收部全反射射出。优选地，所述反射部采用石英或玻璃材料制成。优选地，所述反射部的上表面水平设置，所述反射部的侧壁与水平面之间的夹角为45°。优选地，所述反射部为棱镜。具体地，所述发射部和所述接收部均设置在所述腔室的外壁上，在所述腔室的腔室壁上的发射部和接收部所在位置处安装有透明窗。优选地，所述反射部设置在所述腔室的内壁上。优选地，所述反射部设置在所述腔室的外壁上，在所述腔室的腔室壁上的反射部所在位置处安装有透明窗。优选地，所述发射部与所述反射部之间以及所述反射部与所述接收部之间的光传输路径均经过位于所述检测位置的晶片所在位置。本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括检测装置，所述检测装置采用本专利技术另一技术方案提供的检测装置。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的检测装置，其包括发射部、接收部和反射部，反射部用于至少反射一次述发射部发送的光且反射至接收部，发射部和反射部分别设置在位于检测位置的晶片的上下两侧，接收部和反射部设置在同一侧，光传输路径经过位于检测位置的晶片所在位置，在这种情况下，若检测位置存在晶片，则晶片会阻挡光传输，接收部不会接收到光；若检测位置不存在晶片，则光传输路径不会被阻挡，接收部
可以接收光。由上可知，本专利技术提供的检测装置可以通过判断接收部是否接收到光来检测位置是否存在晶片，并且，发射部和接收部为独立设置的部件，可以通过调整反射部和接收部的位置来使得反射部的反射路径会和晶片的反射路径明显错开，这与现有技术的两种检测方式中反射板或腔室底壁的反射路径和晶片的反射路径重合相比，可以降低晶片反射的光对检测造成的影响，从而可以实现检测表面具有凹槽等结构、表面如镜面般和反光度与腔室底壁相近的特殊晶片，进而可以提高检测装置的适用性和检测精度。本专利技术提供的半导体加工设备，其采用本专利技术另一技术方案提供的检测装置，可以实现检测表面具有凹槽等结构、表面如镜面般和反光度与腔室底壁相近的特殊晶片，从而可以提高检测装置的适用性和检测精度，进而提高半导体加工设备的可靠性。附图说明图1a为现有的第一种WPS检测装置在检测位置不存在晶片时的检测示意图；图1b为现有的第一种WPS检测装置在检测位置存在晶片时的检测示意图；图2a为现有的第二种WPS检测装置在检测位置不存在晶片时的检测示意图；图2b为现有的第二种WPS检测装置在检测位置存在晶片时的检测示意图；图3a为本专利技术第一实施例提供的检测装置在检测位置不存在晶片时的检测示意图；图3b为本专利技术第一实施例提供的检测装置在检测位置存在晶片时的检测示意图；图4a为本专利技术第二实施例提供的检测装置在检测位置不存在晶片时的检测示意图；以及图4b为本专利技术第二实施例提供的检测装置在检测位置存在晶片时的检测示意图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的检测装置及半导体加工设备进行详细描述。图3a为本专利技术第一实施例提供的检测装置在检测位置不存在晶片时的检测示意图；图3b为本专利技术第一实施例提供的检测装置在检测位置存在晶片时的检测示意图。请一并参阅图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测装置，用于检测腔室内的检测位置是否存在晶片，所述检测装置包括发射部和接收部；其特征在于，还包括反射部，其中，所述发射部用于朝向所述反射部发送光；所述反射部用于将所述发射部发送的光反射至少一次且反射至所述接收部；所述接收部用于接收所述反射部反射回来的光；所述发射部和所述反射部对应设置在位于检测位置的晶片的上下两侧，所述接收部与所述发射部设置在同一侧，光传输路径经过位于所述检测位置的晶片所在位置，通过判断所述接收部是否接收到光来判断检测位置是否存在晶片。

【技术特征摘要】
1.一种检测装置，用于检测腔室内的检测位置是否存在晶片，所述检测装置包括发射部和接收部；其特征在于，还包括反射部，其中，所述发射部用于朝向所述反射部发送光；所述反射部用于将所述发射部发送的光反射至少一次且反射至所述接收部；所述接收部用于接收所述反射部反射回来的光；所述发射部和所述反射部对应设置在位于检测位置的晶片的上下两侧，所述接收部与所述发射部设置在同一侧，光传输路径经过位于所述检测位置的晶片所在位置，通过判断所述接收部是否接收到光来判断检测位置是否存在晶片。2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述反射部为具有镜面反射功能的反射部。3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，在所述反射部的朝向晶片的表面上形成有凹部，所述凹部的侧壁为具有镜面反射功能的表面，且其与水平面之间的夹角为45°；所述发射部用于沿竖直方向朝向所述凹部的侧壁发送光，以实现光在所述凹部的侧壁经过两次反射后沿竖直方向朝向所述接收部射出。4.根据权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述反射部采用不锈钢材料制成。5.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述反射部为具有全反射功能的反射部，所述发射部用于沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：王肃珂，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11