液晶材料制造技术

本申请涉及包含至少一种染料化合物和至少一种式(IA)或(IB)的化合物的液晶材料。所述液晶材料适合于在光切换装置中，特别是在用于均匀调控光通过区域的装置中使用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请涉及包含至少一种染料F和至少一种式(IA)或式(IB)的化合物的液晶材料，其更详细的特征在下文中。本申请还涉及光切换装置，具体涉及用于均匀调控光通过区域的装置，所述装置包括上述液晶材料。对于本申请的目的而言，术语光是指，特别是在UV-A、VIS和NIR区域中的电磁辐射，即与常规的320nm至2000nm的波长的光的定义一致。再特别是，其是指具有通常用于窗户中的材料(例如玻璃)仅小部分吸收或完全不吸收的波长的光。其的通过被根据本专利技术的装置调控的光优选是指日光。日光是由太阳发射的光。日光优选由太阳直接发射。然而，其可以由太阳经反射、折射或经任何期望的材料吸收并随后发射而间接发射。液晶材料是指在一定条件下具有液晶性能的材料。术语液晶性能对于本领域技术人员是熟知的，并且被理解为在物理化学领域中通常的含义。在较窄的含义中，其是指材料是液体并具有方向依赖性的性能。液晶性能通常取决于温度。因此，在较窄的含义中，液晶材料是指在包括室温的温度范围内具有液晶性能的材料。光切换装置是能够调控光的通过的装置。特别是，其具有两种或更多种不同的切换状态，所述切换状态中至少一种允许相对低的能量通过，和至少一种其他切换状态允许相对高的能量通过。该类型的光切换装置可以用在例如显示装置或可切换窗户中。可切换窗户被用于调控光进入房间并被综述于例如B.Jelle等人，Solar Energy Materials&Solar Cells 2012，第1-28页中。用于均匀调控光通过区域的装置是光切换装置的特定的变体，其中在相对大区域内的光的通过是均匀的，即均一地强。所述相对大的区域优选具有至少0.01m2，特别优选至少0.1m2，非常特别优选至少0.5m2，和最优选至少1m2的范围。均匀的，即均一的，在此被理解为与图案化的或分成区域的(像素化的)相反，如用于显示装置中的光切换装置一样。轻微偏离均匀性，特别是如果由缺陷造成的轻微偏离均匀性，在该定义中被忽略。用于均匀调控光的通过的装置优选用于可切换窗户中。现有技术描述了用在用于均匀调控光通过区域的装置中的包含至少一种染料化合物的液晶材料。其实例为WO 2009/141295、WO 2014/090367和尚未公开的申请EP 14000141.3。此外，现有技术描述了用在用于显示装置的光切换装置的包含至少一种染料化合物的液晶材料(US 5762824)。然而，仍然需要用于所述用途的液晶材料。特别是需要用于在用于均匀调控光通过的装置中使用的液晶材料。在此期望的技术性能是在液晶材料中染料化合物的良好溶解性，在液晶材料中染料化合物的良好的溶液稳定性，特别是在液晶材料中长期良好的和完全的溶解性，以及液晶材料的高的光稳定性。此外还需要液晶材料在其在上述切换装置中使用的持久的时间内电阻变化尽可能小。为了这个目的，期望使用具有最高的可能的电阻率和因此相应地高的所谓的电压保持比的材料。令人惊奇地，已经发现如下所述的液晶材料具有上述期望的性能中的至少一种，优选多种。因此本专利技术涉及具有高于95℃的清亮点并具有正介电各向异性△ε的液晶材料，所述液晶材料包含一种或多种染料化合物F和一种或多种式(IA)或(IB)的化合物。其中以下含义适用于出现的基团和符号：A11在每次出现时相同或不同地选自X在每次出现时相同或不同地选自F、Cl、CN、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基和具有1-10个C原子的硫代烷氧基，其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个氢原子可以被F或Cl替代，和其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个CH2基团可以被O或S替代；A12在每次出现时相同或不同地选自式(A12A)或(A12B)的基团其中由*表示的键表示连接至基团Z11的键；Z11在每次出现时相同或不同地选自-CO-O-、-O-CO-、-CF2-CF2-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-C≡C-、-OCH2-、-CH2O-和单键；E选自具有3-12个C原子的亚烷基，其中亚烷基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中亚烷基中的一个或多个CH2基团可以被CR1＝CR1、C≡C、Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、-O-CO-或-CO-O-替代；R11选自H、F、Cl、CN、NCS、R1-O-CO-、R1-CO-O-、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基、具有1-10个C原子的硫代烷氧基、具有2-10个C原子的烯基、具有2-10个C原子的烯氧基和具有2-10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、-O-CO-、-CO-O-或单元A11替代；R1在每次出现时相同或不同地选自具有1-10个C原子的烷基，其中一个或多个氢原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O或S替代。R12在每次出现时相同或不同地选自H、F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O-CH＝CF2、O-CH＝CFH、O-CF2-CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S-CH＝CF2、S-CH＝CFH、R1-O-CO-、R1-CO-O-、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基、具有1-10个C原子的硫代烷氧基、具有2-10个C原子的烯基、具有2-10个C原子的烯氧基和具有2-10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被O、S、-O-CO-或-CO-O-替代；其中基团A12中的至少一个基团R12选自F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O-CH＝CF2、O-CH＝CFH、O-CF2-CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S-CH＝CF2和S-CH＝CFH；和n在每次出现时相同或不同地为1、2、3或4。如工作实施例中所述测定介电各向异性△ε。为了改善行文中的易读性，在本专利技术中，环例如缩写成“Ax”，例如“A11”。对于本申请的目的而言，烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基、烯氧基和硫代烯氧基，其中在每种情况下一个或多个H原子可以被F、Cl或CN替代，和其中在每种情况下一个本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有高于95℃的清亮点并具有正介电各向异性△ε的液晶材料，其包含一种或多种染料化合物F和一种或多种式(IA)或(IB)的化合物式(IA)式(IB)，其中对于出现的基团和符号适用：A11在每次出现时相同或不同地选自X在每次出现时相同或不同地选自F、Cl、CN、具有1‑10个C原子的烷基、具有1‑10个C原子的烷氧基和具有1‑10个C原子的硫代烷氧基，其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个氢原子可以被F或Cl替代，和其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个CH2基团可以被O或S替代；A12在每次出现时相同或不同地为式(A12A)或(A12B)的基团其中由*表示的键表示键连至基团Z11的键；Z11在每次出现时相同或不同地选自‑CO‑O‑、‑O‑CO‑、‑CF2‑CF2‑、‑CF2‑O‑、‑O‑CF2‑、‑CH2‑CH2‑、‑CH＝CH‑、‑CF＝CF‑、‑CF＝CH‑、‑CH＝CF‑、‑C≡C‑、‑OCH2‑、‑CH2O‑和单键；E选自具有3‑12个C原子的亚烷基，其中亚烷基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、‑Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中亚烷基中的一个或多个CH2基团可以被CR1＝CR1、C≡C、Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、‑O‑CO‑或‑CO‑O‑替代；R11选自H、F、Cl、CN、NCS、R1‑O‑CO‑、R1‑CO‑O‑、具有1‑10个C原子的烷基、具有1‑10个C原子的烷氧基、具有1‑10个C原子的硫代烷氧基、具有2‑10个C原子的烯基、具有2‑10个C原子的烯氧基和具有2‑10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、‑Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、‑O‑CO‑、‑CO‑O‑或单元A11替代；R1在每次出现时相同或不同地选自具有1‑10个C原子的烷基，其中一个或多个氢原子可以被F、Cl、‑Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O或S替代；R12在每次出现时相同或不同地选自H、F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O‑CH＝CF2、O‑CH＝CFH、O‑CF2‑CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S‑CH＝CF2、S‑CH＝CFH、R1‑O‑CO‑、R1‑CO‑O‑、具有1‑10个C原子的烷基、具有1‑10个C原子的烷氧基、具有1‑10个C原子的硫代烷氧基、具有2‑10个C原子的烯基、具有2‑10个C原子的烯氧基和具有2‑10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被O、S、‑O‑CO‑或‑CO‑O‑替代；其中基团A12中的至少一个基团R12选自F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O‑CH＝CF2、O‑CH＝CFH、O‑CF2‑CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S‑CH＝CF2和S‑CH＝CFH；和n在每次出现时相同或不同地为1、2、3或4。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.11 EP 14001335.01.具有高于95℃的清亮点并具有正介电各向异性△ε的液晶材料，其包含一种或多种染料化合物F和一种或多种式(IA)或(IB)的化合物式(IA)式(IB)，其中对于出现的基团和符号适用：A11在每次出现时相同或不同地选自X在每次出现时相同或不同地选自F、Cl、CN、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基和具有1-10个C原子的硫代烷氧基，其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个氢原子可以被F或Cl替代，和其中烷基、烷氧基和硫代烷氧基中的一个或多个CH2基团可以被O或S替代；A12在每次出现时相同或不同地为式(A12A)或(A12B)的基团其中由*表示的键表示键连至基团Z11的键；Z11在每次出现时相同或不同地选自-CO-O-、-O-CO-、-CF2-CF2-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CH2-CH2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-C≡C-、-OCH2-、-CH2O-和单键；E选自具有3-12个C原子的亚烷基，其中亚烷基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中亚烷基中的一个或多个CH2基团可以被CR1＝CR1、C≡C、Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、-O-CO-或-CO-O-替代；R11选自H、F、Cl、CN、NCS、R1-O-CO-、R1-CO-O-、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基、具有1-10个C原子的硫代烷氧基、具有2-10个C原子的烯基、具有2-10个C原子的烯氧基和具有2-10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O、S、-O-CO-、-CO-O-或单元A11替代；R1在每次出现时相同或不同地选自具有1-10个C原子的烷基，其中一个或多个氢原子可以被F、Cl、-Si(R1)2OSi(R1)2OSi(R1)3、Si(R1)3或CN替代，和其中一个或多个CH2基团可以被Si(R1)2、Si(R1)2O、O或S替代；R12在每次出现时相同或不同地选自H、F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O-CH＝CF2、O-CH＝CFH、O-CF2-CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S-CH＝CF2、S-CH＝CFH、R1-O-CO-、R1-CO-O-、具有1-10个C原子的烷基、具有1-10个C原子的烷氧基、具有1-10个C原子的硫代烷氧基、具有2-10个C原子的烯基、具有2-10个C原子的烯氧基和具有2-10个C原子的硫代烯氧基，其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个H原子可以被F、Cl或CN替代，和其中烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基和烯氧基中的一个或多个CH2基团可以被O、S、-O-CO-或-CO-O-替代；其中基团A12中的至少一个基团R12选自F、Cl、CN、NCS、CF3、CF2CF3、CHF2、CH2F、CH＝CF2、CH＝CFH、CH＝CH(CN)、OCF3、OC(CF3)3、OCF2CF3、OCHF2、OCH2F、O-CH＝CF2、O-CH＝CFH、O-CF2-CF＝CF2、OSF5、SF5、SCF3、SCF2CF3、SCHF2、SCH2F、S-CH＝CF2和S-CH＝CFH；和n在每次出现时相同或不同地为1、2、3或4。2.根据权利要求1的液晶材料，其特征在于符号n在每次出现时相同或不同地为2或3。3.根据权利要求1或2的液晶材料，其特征在于式(IA)的化合物符合式(IA-1)、(IA-2)、(IA-3)或(IA-4)式(IA-1)式(IA-2)式(IA-3)式(IA-4)其中对于出现的基团适用：R111、R121、R131、R141如权利要求1中的R11一样定义；Z121、Z141选自-CO-O-、-O-CO-、-CF2-CF2-、-CF2-O-、-O-CF2-、-CH2-CH2-、-OCH2-和-CH2O-；A111、A121、A131、A141在每次出现时是相同或不...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·荣格，M·费施尔，U·帕特瓦尔，P·克施，S·贝克，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE