【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,材料生产应用领域,特别是一种用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法。
技术介绍
硅片的背封设计对于后续的外延制程有着重要的影响,不恰当的背封设计会带来自掺杂、背面硅渣异常生长等问题,导致外延制程良率损失。图1所示为常见的无去边处理的硅片背封设计,采用了内层多晶硅背封+外层二氧化硅背封的复合背封层设计。其中多晶硅背封层起到外吸杂作用,二氧化硅背封层起到背封作用。但是采用这一设计的硅片,由于其正面斜边上覆盖的是多晶硅层,而抛光面为单晶硅,所以外延时,在硅片正面斜边和抛光面上会分别生长出多晶硅层和单晶硅层。由于两者的原子排列不同,两者之间无法做到无缝衔接,会出现分层现象,并带来颗粒污染、边缘层错、角锥等一系列问题。特别是当外延层厚度超过100微米时,这些问题就会变得突出,严重影响外延制程的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种解决由分层现象所引发的颗粒污染、边缘层错、角锥等问题的用于硅片的无去边复合背封层结构及其制造方法。为解决上述技术问题,本专利技术用于硅片的无去边复合背封层结构,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区;二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧,覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米~1.2微米。所述多晶硅背封层的厚度为0.2微米~1.8微米。用于硅片的无去边复合背封层结构的制造方法,包括如下步骤:第一步,在硅片上采用低压化学气相沉积法生长多晶硅背封层,覆盖硅片的背面、背面斜边区、边缘区、正面斜边区及正面;第二步,在多 ...
【技术保护点】
用于硅片的无去边复合背封层结构,其特征在于,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区;二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧,覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。
【技术特征摘要】
1.用于硅片的无去边复合背封层结构,其特征在于,包括:多晶硅背封层,所述多晶硅背封层覆盖在硅片的背面、背面斜边区及边缘区;二氧化硅背封层,所述二氧化硅背封层覆盖在所述多晶硅背封层的外侧,覆盖了硅片的背面、背面斜边区及边缘区。2.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边复合背封层结构,其特征在于,所述二氧化硅背封层的厚度为0.2微米~1.2微米。3.根据权利要求1所述的用于硅片的无去边复合背封层结构,其特征在于,所述多晶硅背封层的厚度为0.2微...
【专利技术属性】
技术研发人员:千津井勝己,贺贤汉,洪漪,
申请(专利权)人:上海申和热磁电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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