无机填料，包含该填料的树脂组合物和使用该填料的散热基底制造技术

根据本发明专利技术的实施方案的无机填料包括氮化硼团聚体和在该氮化硼团聚体上形成并且包括Si-R1-NH2基团的涂层，其中R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及无机填料，更具体而言，涉及包括在树脂组合物内的无机填料。
技术介绍
包括发光元件例如发光二极管(LED)等的发光装置用作各种类型的光源。随着半导体技术的发展，发光元件的高输出正在加速。为稳定地处理由发光元件发出的大量光和热，对发光元件的散热性能有要求。此外，由于电子部件变得高度集成并且具有高性能，安装在电子部件上的印刷电路板的散热问题受到越来越多的关注。一般而言，包括树脂和无机填料的树脂组合物可以用于发光元件或印刷电路板的散热。此处，无机填料可以包括氮化硼。氮化硼具有优异的导热性和散热性能，以及由于其高电阻所致的优异的电绝缘性能。然而，氮化硼具有各向异性的导热性的问题。为了解决该问题，可以使用氮化硼团聚体，在氮化硼团聚体中片状氮化硼团聚在一起，但是由于氮化硼团聚体中的孔，热导率可能会降低，而且由于片状氮化硼内的低结合强度，氮化硼团聚体容易破碎。此外，由于氮化硼具有低摩擦系数和高润滑性，存在氮化硼和其他材料之间的化学亲和力低的问题。
技术实现思路
本专利技术中待解决的一个技术主题是提供包括在树脂组合物中的无机填料。根据本专利技术的一个方面，提供了无机填料，其包括氮化硼团聚体；和在氮化硼团聚体上形成的包括-Si-R1-NH2基团的涂层，其中R1选自具有1
至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。该涂层可以包括-O-Si-R1-NH2基团。该涂层可以包括以下官能团。该涂层可以包括具有以下单元的聚合物。其中R2选自氢、具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。该涂层可以具有1μm至2μm的厚度。根据本专利技术的另一个方面，提供了无机填料，其包括氮化硼团聚体；和在氮化硼团聚体中形成的孔，其中至少一些孔填充有含硅(Si)无机物质。无机填料还可以包括在氮化硼团聚体表面上形成并且由含Si无机物质形成的涂层，并且官能团可以在涂层上形成。该官能团可以包括氨基。该含Si无机物质可以包括氧碳氮化硅(SiCNO)或碳氮化硅(SiCN)。根据本专利技术的另一个方面，提供了树脂聚合物，其包括树脂；和包括氮化硼团聚体的无机填料，其中在氮化硼团聚体上形成有包括-Si-R1-NH2
基团的涂层，并且R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。该树脂可以是环氧类树脂，无机填料还可以包括氧化铝，并且树脂组合物中可以包括15体积％至35体积％的环氧类树脂，和65体积％至85体积％的无机填料。对于100体积％的无机填料，可以包括55体积％至85体积％的氮化硼团聚体(在其上形成涂层)；并且可以包括15体积％至45体积％的氧化铝。根据本专利技术的另一个方面，提供了包括树脂组合物的散热基底，该组合物包括树脂；和包括氮化硼团聚体的无机填料，其中包括-Si-R1-NH2基团的涂层形成在氮化硼团聚体上，并且R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。该散热基底可以具有18W/mK以上的热导率。该散热基底可以具有0.8kgf/cm以上的剥离强度。根据本专利技术的另一个方面，提供了由树脂组合物形成的散热基底，该树脂组合物包括树脂和表面涂布的氮化硼团聚体，并且当将预定的压力以10mm/分钟的速率施加至由散热基底制备的、高127mm、宽3.2mm且长12.7mm的方柱形样品或由散热基底制备的、高80±2mm、宽4±0.2mm且长10±0.2mm的方柱形样品以将样品破裂为第一部分和第二部分时，该第一部分和第二部分的所有断裂面均包括经表面涂布的氮化硼团聚体部。所述氮化硼团聚体部的直径可以是氮化硼团聚体的平均直径的30％以上。氮化硼团聚体的涂层可以包括-Si-R1-NH2基团。所述氮化硼团聚体部可以形成在第一部分和第二部分的断裂面的相应位置上。附图说明通过参照附图具体描述本专利技术的示例性实施方案，本专利技术的以上和其他目的、特征和优点将对本领域普通技术人员而言将变得更明显，其中：图1示出氮化硼团聚体；图2示出根据本专利技术的一个实施方案用聚硅氮烷和氨基硅烷处理的氮化硼团聚体；图3示出根据本专利技术的实施方案制备氮化硼团聚体的方法；图4是说明根据本专利技术的实施方案的印刷电路板的截面图；图5是说明根据本专利技术的实施方案的发光元件模块的截面图；图6是说明根据本专利技术的实施方案在印刷电路板上形成的发光元件模块的截面图；图7是根据实施例3-1的断裂面的SEM图；并且图8是根据比较例3-1的断裂面的SEM图。具体实施方式将在下文参照附图详细描述本专利技术的示例性实施方案。尽管本专利技术是结合其示例性实施方案而示出和描述，但对本领域技术人员明显的是，可以在不偏离本专利技术的精神和范围的情况下做出各种修改。本专利技术可以作出各种修改且可以实施为各种形式，并且将在附图中例示并描述具体实施方案。然而，本专利技术无意于受限于具体实施方案，并且应当理解本专利技术包括在本专利技术的精神和技术范围内的所有这类修改方案、等同方案和替代方案。应当理解，虽然本文中可以使用第一、第二等表述用于描述各种要素，这些要素不应受限于这些表述。这些表述仅用于区分一个要素与另一个要素。例如，第一要素可以被称为第二要素，并且类似地，第二要素可以被称为第一要素，而不偏离本专利技术的范围。如本文中所使用，表述“和/或”包括一种或更多种相关所列项目的任意组合和所有组合。本文中所使用的术语仅用于描述具体实施方案的目的，并且无意于限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文明确地另有指示，否则单数形式旨在也包括复数形式。还应当理解，当在本文中使用时，表述“包含”、“含”、和/或“包括”指出所述特征、整数、步骤、操作、要素和/或组分的存在，但不排除一种或更多种其他特征、整数、步骤、操作、要素、组分和/或其组合的存在或添加。除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语，包括技术术语和科学术语，具有和本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含意。还应当理解，除非本文明确地如此定义，否则例如在通常使用的字典中定义的用语应当解读为具有与其在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且不应解读为理想化或过于形式化的含义。在附图中，为清楚起见，放大了层的厚度、区域等。贯穿说明书，相似的附图标记指代相似的要素。应当理解当一个部分例如层、膜、区域、板等被称为在另一个部分的“前面”时，其可以直接在另一个部分的前面，或还可以存在中间部分。相反，当一个部分被称为“直接”在另一个部分的“前面”时，不存在中间部分。在下文中，将结合附图详细描述本专利技术的示例性实施方案。贯穿本说明书，相似的附图标记指代相似的要素，并且省略对其的重复说明。根据本专利技术的一个实施方案的树脂组合物包括树脂和无机填料。此处树脂可以包括环氧化合物和固化剂。此处，环氧化合物与固化剂的体积比可以在10:1至10:10范围内。在本说明书中，环氧化合物可以与环氧类树脂互换使用。此处，环氧化合物可以包括晶态环氧化合物、非晶态环氧化合物和硅氧烷环氧化合物中的至少一种。晶态环氧化合物可以包括液晶基元(mesogen)结构。液晶基元是液晶的基本单元，并且包括刚性结构。此外，非晶态环氧化合物可以是在其分子中具有两个或更多个环氧基团的常见非晶态环氧化合物，并且例如可以是衍生自双酚A或双酚F的缩水甘油醚化合物。此处，作为固化剂，可以使用胺类固化剂、酚类固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无机填料，其包含：氮化硼团聚体；和在所述氮化硼团聚体上形成并且包括‑Si‑R1‑NH2基团的涂层，其中R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。

【技术特征摘要】
2015.01.29 KR 10-2015-00145701.一种无机填料，其包含：氮化硼团聚体；和在所述氮化硼团聚体上形成并且包括-Si-R1-NH2基团的涂层，其中R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。2.根据权利要求1所述的无机填料，其中所述涂层包含-O-Si-R1-NH2基团。3.根据权利要求2所述的无机填料，其中所述涂层包含以下官能团：4.根据权利要求3所述的无机填料，其中所述涂层包含具有以下单元的聚合物：其中R2选自氢、具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。5.根据权利要求1所述的无机填料，其中所述涂层的厚度在1μm至2μm的范围内。6.一种无机填料，其包含：氮化硼团聚体；和在所述氮化硼团聚体上形成的孔，其中至少一些所述孔填充有含硅(Si)无机物质。7.根据权利要求6所述的无机填料，其中所述无机填料中还包括形成在所述氮化硼团聚体的表面上并且由所述含Si无机物质形成的涂层，并且在所述涂层上形成有官能团。8.根据权利要求7所述的无机填料，其中所述官能团包含氨基。9.根据权利要求6所述的无机填料，其中所述含Si无机物质包含氧碳氮化硅(SiCNO)或碳氮化硅(SiCN)。10.一种树脂组合物，其包含：树脂；和包括氮化硼团聚体的无机填料，其中在所述氮化硼团聚体上形成有包含-Si-R1-NH2基团的涂层，并且R1选自具有1至3个碳原子的饱和烃基和具有2至3个碳原子的不饱和烃基。11.根据权利要求10所述的树脂组合物，其中所述树脂是环氧类树脂，所述无机填料还包括氧化铝，并且在所述树脂组合物中包括15体积％至35体积％的所述环氧类树脂；和65体积％至85体积％...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱象娥，任贤九，朴宰万，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR