【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率检测
,尤其涉及一种功率检测器。
技术介绍
对于传统功率检测器,电路中管子的漏端电压由电流镜产生,管子工作在临界导通状态,漏源端电位几乎相等,因此漏端偏置电压决定了输出端的直流电平,由于处于临界导通状态的管子对偏置电压的变化非常敏感,就会容易造成管子截止,从而影响功率检测器的作用。
技术实现思路
针对现有技术中缺陷与不足的问题,本专利技术提出了一种功率检测器,可稳定管子的直流偏置,不使管子截止。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种功率检测器,包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。进一步的,所述M8还连有管子M5,M5与M4相连,M4与M3相连,M3与M7相连,M7与M6相连。进一步的,所述M5、M6、M8的栅端接入电源VDD,M3、M4、M7的栅端接入基准电流IREF,所述M3、M4、M7的漏端接地GND。进一步的,所述M9和低通滤波器接地。进一步的,所述CO与输入射频信号VIN+相连,C1与输入射频信号VIN-相连,低通滤波器与输出信号VOUT相连。进一步的,所述A点与C点电位相等,B点与D点电 ...
【技术保护点】
一种功率检测器,其特征在于:包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。
【技术特征摘要】
1.一种功率检测器,其特征在于:包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。2.根据权利要求1所述的一种功率检测器,其特征在于:所述M8还连有管子...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈友兵,
申请(专利权)人:池州睿成微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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