一种功率检测器制造技术

技术编号:14054029 阅读:107 留言:0更新日期:2016-11-26 10:44
本发明专利技术涉及一种功率检测器,属于功率检测技术领域。包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;输入射频信号VIN+、VIN‑分别经耦合电容耦合到M2、M1管子的栅极,管子漏端输入的射频信号与栅端输入的射频信号经M1、M2实现自混频功能,然后由低通滤波器滤除高频分量,从而得到直流电平输出,所述M8、M9组成源跟随器结构。本发明专利技术通过M9管稳定的栅源电压差来钳制M1管和M2管的栅源两端的电压差,从而稳定管子的直流偏置,不使管子截止。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率检测
,尤其涉及一种功率检测器
技术介绍
对于传统功率检测器,电路中管子的漏端电压由电流镜产生,管子工作在临界导通状态,漏源端电位几乎相等,因此漏端偏置电压决定了输出端的直流电平,由于处于临界导通状态的管子对偏置电压的变化非常敏感,就会容易造成管子截止,从而影响功率检测器的作用。
技术实现思路
针对现有技术中缺陷与不足的问题,本专利技术提出了一种功率检测器,可稳定管子的直流偏置,不使管子截止。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种功率检测器,包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。进一步的,所述M8还连有管子M5,M5与M4相连,M4与M3相连,M3与M7相连,M7与M6相连。进一步的,所述M5、M6、M8的栅端接入电源VDD,M3、M4、M7的栅端接入基准电流IREF,所述M3、M4、M7的漏端接地GND。进一步的,所述M9和低通滤波器接地。进一步的,所述CO与输入射频信号VIN+相连,C1与输入射频信号VIN-相连,低通滤波器与输出信号VOUT相连。进一步的,所述A点与C点电位相等,B点与D点电位相等。本专利技术具有如下有益效果:本专利技术具有很高的输入阻抗,约在千欧级,功率检测节点的阻抗为50欧姆,因此引入的损失极小;电路的功耗很小,微安级别;由于通过自混频方式实现,因此工作频率很宽;灵敏度很高,能检测输入功率低至-15dBm的载波泄漏信号。附图说明图1为本专利技术电路示意图。具体实施方式下面结合具体实施例,进一步阐述本专利技术。应理解,这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解,在阅读了本专利技术讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。如图所示,一种功率检测器,包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。进一步的,所述M8还连有管子M5,M5与M4相连,M4与M3相连,M3与M7相连,M7与M6相连。进一步的,所述M5、M6、M8的栅端接入电源VDD,M3、M4、M7的栅端接入基准电流IREF,所述M3、M4、M7的漏端接地GND。进一步的,所述M9和低通滤波器接地。进一步的,所述CO与输入射频信号VIN+相连,C1与输入射频信号VIN-相连,低通滤波器与输出信号VOUT相连。进一步的,所述A点与C点电位相等,B点与D点电位相等具体地,输入射频信号VIN+、VIN-分别经耦合电容C2、C3耦合到M2、M1管子的栅极。漏端输入的射频信号与栅端输入的射频信号经M1、M2实现自混频功能,然后由R5、C5、C4组成的低通滤波器滤除高频分量,从而得到直流电平输出。M1、M2管子的漏端电压由电流镜产生,管子工作在临界导通状态,漏源端电位几乎相等,因此漏端偏置电压决定了输出端的直流电平。PMOS管M8、M9组成源跟随器结构,M8为电流源。当电流一定时,C、D两点的电位差为一定值,从而A、B两点之间的电位差也为定值。即通过M9管稳定的栅源电压差来钳制M1管和M2管的栅源两端的电压差。因此通过这种方式来稳定管子的直流偏置,不使管子截止。本文档来自技高网...
一种功率检测器

【技术保护点】
一种功率检测器,其特征在于:包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。

【技术特征摘要】
1.一种功率检测器,其特征在于:包括隔直电容器C0、C1,耦合电容C2、C3,偏置电阻R1、R2、R3、R4,由R5、C4、C5组成的低通滤波器和PMOS管M8、M9;CO与C2、C1与C3相连,再分别连到M1、M2的栅极,由M1、M2的栅端分别经R3、R4连到A点,由M1、M2的漏端连到B点,B点与低通滤波器相连,所述M8、M9漏端相连,组成源跟随器结构,C点位于M8、M9之间,A点与C点相连, M9的栅极通过D点与低通滤波器相连,所述CO、C2之间与C1、C3之间通过R1、R2加有偏置电压VB。2.根据权利要求1所述的一种功率检测器,其特征在于:所述M8还连有管子...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈友兵
申请(专利权)人:池州睿成微电子有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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