固态硬盘动态储存转换层数据的方法技术

一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，由主机发出存取数据指令，判断存取数据为冷热数据，检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为部分储存模式，比较不同储存介质的存取速度，将闪存转换层的热数据调整储存至存取速度较快的储存介质，冷数据调整储存至存取速度较慢的储存介质，以提高存取速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种固态硬盘，尤其关于固态硬盘根据建立管理逻辑实体对照表的转换层，动态选择储存转换层冷热数据的方法。
技术介绍
固态硬盘(Solid State Drive，简称SSD)是由与非门闪存阵列(NAND Flash Memory Array)整合成为单一的储存装置。因闪存具有抹除次数限制，数据需分散储存在固态硬盘的闪存阵列，并利用闪存转换层(Flash Translation Layer，简称FTL)，管理数据的逻辑地址与实际储存在闪存的实体地址的对照关系，以利存取数据。如图1所示，为现有技术电子装置储存系统1。现有技术电子装置例如计算机、手机等，在主机2设中央处理器(Central Processing Unit，简称CPU)3，发出存取数据的逻辑地址至连接在传输接口4的固态硬盘5，固态硬盘5内设控制器6配合缓冲存储器7，接收主机2的存取数据的逻辑地址，再到闪存阵列8相对逻辑地址的实体地址存取数据，将数据储存至主机2的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)9，以供主机2备用。为了管理数据的逻辑地址与实际储存在闪存阵列8的实体地址的关系，固态硬盘5在启动时，读取闪存阵列8中各数据区块的管理数据，形成数据的逻辑地址与实体地址的逻辑实体对照表(Logical to Physical Table，简称L2P)，建立闪存转换层，以储存及管理逻辑实体对照表。而建立闪存转换层的位置，在固态硬盘5初始化时，已由储存在闪存阵列8中的固件，预先设定建立在缓冲存储器7或闪存阵列8，无法再行变动。因动态随机存取存储器(DRAM)较闪存的存取速度约快10倍，缓冲存储器7属于DRAM的型态，为了提高存取速度，所以现有技术固态硬盘5通常将闪存转换层优先建立在缓冲存储器7。然而，现有技术固态硬盘5设定闪存转换层建立在缓冲存储器7，一旦
缓冲存储器7损坏或部分损坏，将无法建立闪存转换层，导致固态硬盘5无法利用闪存转换层管理逻辑实体对照表存取数据，造成固态硬盘5无法使用。此外，固态硬盘5随电子装置的需求，储存系统有所差异，有些并未装设缓冲存储器，固态硬盘5的闪存转换层需设定建立在存取速度较慢的闪存阵列，难以提升固态硬盘的存取速度。现有技术的固态硬盘5无法随电子装置储存系统变化，动态变更闪存转换层的建立位置，同时导致闪存转换层的冷热数据无法机动调整适当的储存位置，更降低固态硬盘的存取速度。因此，固态硬盘在储存转换层的冷热数据方法上，仍有问题亟待解决。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，配合固态硬盘启动时动态选择闪存转换层的储存模式，动态选择冷热数据的储存位置，以提高固态硬盘的存取效率。本专利技术的另一目的提供一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，比较选择设定的储存模式中不同储存介质的存取速度，动态将热数据的储存在存取速度较快的储存介质，以提高固态硬盘的存取速度。为了达到前述专利技术的目的，本专利技术第一实施例固态硬盘动态储存转换层数据的方法，由主机对固态硬盘发出存取数据指令，判断存取数据为冷数据或热数据，检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为部分储存模式，比较部分储存模式中不同储存介质的存取速度，决定储存介质存取速度的快慢顺序，将闪存转换层热数据的储存位置调整至存取速度较快的储存介质，闪存转换层冷数据的储存位置调整至存取速度较慢的储存介质。本专利技术在主机或固态硬盘设立冷热数据判断机制，计算数据存取次数，预设存取次数阈值，超过存取次数阈值判断为热数据，而未超过存取次数阈值判断为冷数据。动态设定的闪存转换层为部分储存模式，部分储存模式包含Flash部分储存模式、DRAM部分储存模式及主机部分储存模式。动态设定的闪存转换层不为部分储存模式时，包含动态选择缓冲存储器全储存模式及闪存全储存模式，不调整冷热数据的储存位置。本专利技术第二实施例固态硬盘动态储存转换层数据的方法，由主机对固态硬盘发出存取数据指令，判断存取数据为冷数据或热数据，检查固态硬盘闪存转换层设定不为部分储存模式时，不调整冷热数据的储存位置，而动态设
定的闪存转换层为部分储存模式时，检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为Flash部分储存模式，比较储存介质缓冲存储器较闪存阵列的存取速度快，将闪存转换层的热数据的储存位置调整至缓冲存储器，而将闪存转换层冷数据的储存位置调整至闪存阵列。当检查闪存转换层设定不为Flash部分储存模式时，再检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为DRAM部分储存模式时，比较储存介质缓冲存储器较动态随机存取存储器的存取速度快，将闪存转换层的热数据的储存位置调整至缓冲存储器，而将闪存转换层冷数据的储存位置调整至动态随机存取存储器。本专利技术检查闪存转换层设定不为DRAM部分储存模式时，再检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为主机部分储存模式时，比较储存介质动态随机存取存储器与闪存阵列的存取速度。动态随机存取存储器较闪存阵列的存取速度快时，将闪存转换层的热数据的储存位置调整至动态随机存取存储器，而将闪存转换层冷数据的储存位置调整至闪存阵列。闪存阵列的存取速度较动态随机存取存储器快时，将闪存转换层的热数据的储存位置调整至闪存阵列，而将闪存转换层冷数据的储存位置调整至动态随机存取存储器。附图说明图1为现有技术电子装置储存系统的功能方块图。图2为本专利技术电子装置储存系统的功能方块图。图3为本专利技术Flash部分储存模式的功能方块图。图4为本专利技术DRAM部分储存模式的功能方块图。图5为本专利技术闪存全储存模式的功能方块图。图6为本专利技术主机部分储存模式的功能方块图。图7为本专利技术第一实施例的固态硬盘动态储存转换层数据的方法的流程图。图8为本专利技术第二实施例的固态硬盘动态储存转换层数据的方法的流程图。附图符号说明10 电子装置储存系统11 主机12 中央处理器13 动态随机存取存储器14 传输接口15 固态硬盘16 控制器17 缓冲存储器18 闪存阵列19 转换层选择单元20 闪存转换层建立位置具体实施方式有关本专利技术为实现上述目的，所采用的技术手段及其功效，兹举较佳实施例，并结合附图加以说明如下。请参阅图2，为本专利技术电子装置储存系统10的功能方块图。本专利技术电子装置储存系统10，在主机11设中央处理器(CPU)12及动态随机存取存储器(DRAM)13，由中央处理器12配合动态随机存取存储器13发出存取数据的逻辑地址至连接在传输接口14的固态硬盘(SSD)15，固态硬盘15内设控制器16及缓冲存储器17，由控制器16配合缓冲存储器17接收主机11的存取数据的逻辑地址，至闪存阵列18相对逻辑地址的实体地址，存取数据到主机2的动态随机存取存储器13，以供主机11备用。本专利技术另在固态硬盘15设置转换层选择单元19，负责在固态硬盘15启动时，动态选择建立闪存转换层(FTL)的位置。本专利技术电子装置储存系统10启动固态硬盘15时，控制器16根据闪存阵列18的数据存储容量，预估形成逻辑实体对照表所需的容量，由转换层选择单元19比较缓冲存储器17储存逻辑实体对照表的预设容量与逻辑实体对照表的预估容量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其步骤包含：主机对固态硬盘发出存取数据指令；判断存取数据为冷数据或热数据；检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为部分储存模式；比较该部分储存模式中不同储存介质的存取速度，决定储存介质存取速度的快慢顺序；将闪存转换层热数据的储存位置调整至存取速度较快的储存介质，闪存转换层冷数据的储存位置调整至存取速度较慢的储存介质。

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其步骤包含：主机对固态硬盘发出存取数据指令；判断存取数据为冷数据或热数据；检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为部分储存模式；比较该部分储存模式中不同储存介质的存取速度，决定储存介质存取速度的快慢顺序；将闪存转换层热数据的储存位置调整至存取速度较快的储存介质，闪存转换层冷数据的储存位置调整至存取速度较慢的储存介质。2.如权利要求1所述的固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其中设立冷热数据判断机制，计算数据存取次数，预设存取次数阈值，超过存取次数阈值判断为热数据，而未超过存取次数阈值判断为冷数据。3.如权利要求2所述的固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其中该冷热数据判断机制设立在主机或固态硬盘。4.如权利要求1所述的固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其中该部分储存模式包含Flash部分储存模式、DRAM部分储存模式及主机部分储存模式。5.如权利要求1所述的固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其中该闪存转换层设定不为部分储存模式时，不调整冷热数据的储存位置。6.如权利要求5所述的固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其中该不为部分储存模式包含动态选择缓冲存储器全储存模式及闪存全储存模式。7.一种固态硬盘动态储存转换层数据的方法，其步骤包含：主机对固态硬盘发出存取数据指令；判断存取数据为冷数据或热数据；检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为部分储存模式；再检查固态硬盘动态设定的闪存转换层为Flas...

【专利技术属性】
技术研发人员：林政仪，游英凯，萧亦隆，
申请(专利权)人：广明光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71