一种光刻干湿法混合去胶返工方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻干湿法混合去胶返工方法，它涉及半导体制造技术领域，它包含以下步骤：(1)提供PLC晶园；(2)通过圆形模具同时装载数个PLC晶园；(3)对PLC晶园表面进行预加热；(4)对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；(5)向腔室内冲O2、H2和N2的混合气体；(6)、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；(7)、将步骤(5)清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；(8)、用N2将PLC晶园吹干。它结构新颖，可以有效去除光刻胶，模具上可以同时放置多个PLC晶园提高效率。

【技术实现步骤摘要】

：本专利技术涉及一种光刻干湿法混合去胶返工方法，属于半导体制造

技术介绍
：光刻技术是集成电路制造中利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级(从毫米级到亚微米级)，已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。伴随线宽的缩小，对于图形精度和均匀性以及套准精度的要求越来越严格，半导体制造业对于关键层次的图形的关键尺寸的控制精度要求在3％～10％左右。在光刻尺寸精度、套准精度或光阻形貌超出容许范围时，PLC晶园就必须进行光刻返工处理流程。返工的目的是去除光刻时的光刻胶，对PLC晶园表面清理，使其具备第二次光刻的条件。其中，最主要的部分就是去除光刻胶。在PLC晶园生产前端工艺中，经过光刻胶涂布、曝光、显影等工艺处理后的晶圆，在高能粒子注入后，露出的图形是根据产品电学特性需求需要进行离子注入的区域，同时在光刻胶覆盖的区域表面会形成一定厚度的坚硬的外壳。表面的坚硬外壳给去胶工艺带来一定的困难。目前现有的光刻去胶返工工艺，最常见的有：干法灰化去胶或湿化 学法去胶，以及二者的结合。现有的干法灰化去胶过程中使用的静电卡盘大多为圆形，且其上部只可以放置一个PLC晶园，由于静电卡盘内部都需要设置电极，使静电卡盘带有静电可以吸附PLC晶园，目前每个圆形的静电卡盘上都设置有一个电极比较麻烦，而且增加成本，且PLC晶园都是直接与静电卡盘接触，会导致PLC晶园温度过高，影响PLC晶园的质量。
技术实现思路
：针对上述问题，本专利技术要解决的技术问题是提供一种光刻干湿法混合去胶返工方法。本专利技术的一种光刻干湿法混合去胶返工方法，它包含以下步骤：1、提供一PLC晶园，所述PLC晶园包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；2、通过方形静电卡盘同时支撑数个PLC晶园，方形静电卡盘上表面设置有数个隔热支撑柱，PLC晶园通过数个隔热支撑柱与方形静电卡盘接触；3、对PLC晶园表面进行预加热；4、对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；5、向腔室内冲O2、H2和N2的混合气体，腔室内的温度控制在150-190℃对PLC晶园表面干法去胶；6、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；7、将步骤5清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；8、用N2将PLC晶园吹干。作为优选，所述的步骤5的清洗温度控制在200±10℃。作为优选，所述的步骤5为清洗步骤4反应过程中产生的聚合物和未反应完的光刻胶。本专利技术的有益效果为：它结构新颖，将静电卡盘和PLC晶园接触点变小，降低PLC晶园的温度，保证工艺顺利进行，可以有效去除光刻胶，静电卡盘上可以同时放置多个PLC晶园，提高效率。附图说明：为了易于说明，本专利技术由下述的具体实施及附图作以详细描述。图1为本专利技术的结构示意图，图2为本专利技术的仰视图。图中：a-方形静电卡盘；b-隔热支撑柱；c-PLC晶园。具体实施方式：为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面通过附图中示出的具体实施例来描述本专利技术。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本专利技术的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本专利技术的概念。如图1-2所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含以下步骤：1、提供一PLC晶园，所述PLC晶园包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；2、通过方形静电卡盘同时支撑数个PLC晶园，方形静电卡盘上表面设置有数个隔热支撑柱，PLC晶园c通过数个隔热支撑柱b与方形静电卡盘a接触；3、对PLC晶园表面进行预加热；4、对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；5、向腔室内冲O2、H2和N2的混合气体，腔室内的温度控制在150-190℃对PLC晶园表面干法去胶；6、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；7、将步骤5清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；8、用N2将PLC晶园吹干。进一步的，所述的步骤5的清洗温度控制在200±10℃。进一步的，所述的步骤5为清洗步骤4反应过程中产生的聚合物和未反应完的光刻胶。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要 求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻干湿法混合去胶返工方法，其特征在于：它包含以下步骤：(1)、提供一PLC晶园，所述PLC晶园包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；(2)、通过方形静电卡盘同时支撑数个PLC晶园，方形静电卡盘上表面设置有数个隔热支撑柱，PLC晶园通过数个隔热支撑柱与方形静电卡盘接触；(3)、对PLC晶园表面进行预加热；(4)、对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；(5)、向腔室内冲O2、H2和N2的混合气体，腔室内的温度控制在150‑190℃对PLC晶园表面干法去胶；(6)、用1∶5的硫酸和双氧水PLC晶园进行清洗；(7)、将步骤(5)清洗后的PLC晶园用去离子水清洗；(8)、用N2将PLC晶园吹干。

【技术特征摘要】
1.一种光刻干湿法混合去胶返工方法，其特征在于：它包含以下步骤：(1)、提供一PLC晶园，所述PLC晶园包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；(2)、通过方形静电卡盘同时支撑数个PLC晶园，方形静电卡盘上表面设置有数个隔热支撑柱，PLC晶园通过数个隔热支撑柱与方形静电卡盘接触；(3)、对PLC晶园表面进行预加热；(4)、对PLC晶园光刻胶表面的硬壳进行软化；(5)、向腔室内冲O2、H2和N2的混合气体，腔室内的温度控制在1...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，翟继鑫，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32