反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层的光学特性的劣化的反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法。具体而言，实施方式所涉及的反射型掩膜的清洗装置具备：第1供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给包含有机溶剂及表面活性剂的至少任意一种的第1溶液；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。此外，其他的实施方式所涉及的反射型掩膜的清洗装置具备：第3供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施方式涉及反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法。
技术介绍
一种部件，其为具有包含钌(Ru)等容易被氧化的材料的层的部件。例如，在使用极紫外线(EUV：Extreme Ultra Violet极紫外线)来进行细微的图形的复制的EUV光刻法中所使用的反射型掩膜具有含钌的覆盖层(也称为阻挡层等)。在该反射型掩膜的制造中，通过在基板的主面上依次形成反射层、覆盖层、吸收层，并对吸收层进行干式蚀刻处理，而形成有具有所希望的图形的图形区域。而且，通过对吸收层、覆盖层、及反射层进行干式蚀刻处理，而形成有包围图形区域的遮光区域(也称为遮光框等)。在此，在对吸收层进行干式蚀刻处理时所使用的保护掩膜是通过进行使用有臭氧水、或硫酸和过氧化氢溶液的混合液的清洗来去除的。可是，当在覆盖层由钌形成的情况下进行这样的清洗时，则钌产生氧化而形成氧化钌。而且，当形成氧化钌时，则产生有反射率降低的问题。此外，存在有下述情况，即，在EUV光刻装置上使用反射型掩膜时，由于由保护膜产生的包含有机物的气体到达反射型掩膜，因此在反射型掩膜上附着有有机物。在反射型掩膜上附着的有机物也是通过进行使用有臭氧水、或硫酸和过氧化氢溶液的混合液的清洗来去除的(例如，参照专利文献1)。此外，存在有下述情况，即，在前述的清洗工序、干式蚀刻工序中的处理、或处理装置间的搬运的中途，反射型掩膜被暴露于含氧的气氛中。含钌的覆盖层的一部分从吸收层露出。因此，产生有下述这样的问题，即，在露出的部分上形成有氧化钌，导致反射率降低，从而导致作为反射型掩膜的光学特性劣化。专利文献1：日本特开2011-181657号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够抑制设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层的光学特性的劣化的反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法。实施方式所涉及的反射型掩膜的清洗装置具备：第1供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给包含有机溶剂及表面活性剂的至少任意一种的第1溶液；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。此外，其他的实施方式所涉及的反射型掩膜的清洗装置具备：第3供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。根据本专利技术的实施方式，可提供一种能够抑制设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层的光学特性的劣化的清洗装置及清洗方法。附图说明图1是用于例示作为被清洗物W的反射型掩膜210的模式剖面图。图2是用于例示本实施方式所涉及的清洗装置101的模式图。图3是用于例示干式清洗装置102的模式图。图4(a)～(c)是用于例示比较例所涉及的清洗方法的模式工序剖面图。图5(a)～(c)是用于例示使用有第1溶液303及第2溶液304的清洗方法的模式工序剖面图。图6是钌的电位-pH图(Pourbaix Diagram甫尔拜图)。图7(a)～(c)是用于例示进行使用有还原性气体的干式清洗、及使用有第2溶液304的湿式清洗的清洗方法的模式工序剖面图。具体实施方式下面，参照附图对实施方式进行例示。另外，对各附图中相同的构成要素标注相同的符号并适当省略详细的说明。被清洗物W可以是露出有包含容易被氧化的材料的层。被清洗物W例如可以是具有含钌的覆盖层的反射型掩膜、及具有含钌的覆盖层的基板(处于反射型掩膜的制造过程中的基板)等。图1是用于例示作为被清洗物W的反射型掩膜210的模式剖面图。如图1所示，反射层202、覆盖层203、及吸收层204以此顺序被层叠在基板201的一侧的主面上。此外，在基板201的另一侧的主面上形成有导电层205。基板201例如由低热膨胀材料(LTEM；Low Thermal Expansion Material)、石英等形成。反射层202是以使钼(Mo)层202a和硅(Si)层202b交互层叠的方式而形成的。例如，反射层202可以是层叠有40对～50对左右的钼层和硅层的对的反射层。覆盖层203包含钌。此时，覆盖层203可以是层叠有由钌构成的层203a和由氧化钌构成的层203b的覆盖层。吸收层204具有吸收体层204a和反射防止层204b。吸收体层204a例如包含钽的氮化物(例如，钽硼氮化物(TaBN)、氮化钽(TaN)等)、或铬的氮化物(例如，氮化铬(CrN)等)等。反射防止层204b例如包含钽的氧化物(例如，钽硼氧化物(TaBO)、氧化钽(TaO)等)、或铬的氧化物(例如，氧化铬(CrOx)等)等。导电层205例如包含氮化铬等。在图形区域216中，形成有所复制的图形(例如电路图形等)。遮光区域217以包围图形区域216的方式形成。如图1中的A部所示，在图形区域216中，露出有含钌的覆盖层203。因此，当进行使用有臭氧水、过硫酸的清洗时，则存在有覆盖层203的露出的部分被氧化而形成有氧化钌的情况。此外，存在有下述情况，即，被清洗物W在干式蚀刻时的搬运工序等中被暴露在含氧的气氛中，导致在清洗前，覆盖层203的露出的部分被氧化而形成有氧化钌。当形成有氧化钌时，则产生有反射率降低的问题。即，产生有导致反射型掩膜210的光学特性劣化这样的问题。图2是用于例示本实施方式所涉及的清洗装置101的模式图。清洗装置101为单片处理方式的清洗装置。如图2所示，在清洗装置101中，设置有清洗部10、第1供给部20、第2供给部30、及控制部40。在清洗部10中，设置有载放部11、罩12、及喷嘴13。在载放部11中，设置有载放台11a、旋转轴11b、及驱动部11c。载放台11a呈板状。此外，在载放台11a的一侧的主面上设置有凹部，凹部的底面作为对被清洗物W进行载放的载放面11a1。因此，通过将被清洗物W收纳在载放台11a的凹部的内部，能够实现被清洗物W的载放和被清洗物W的机械的保持。此时，将被清洗物W载放为，使包含容易被氧化的材料的层(例如，含钌的覆盖层203)朝向喷嘴13的一侧。另外，也可以通过在载放台11a上设置的未图示的真空吸盘、静电吸盘来保持被清洗物W。旋转轴11b呈柱状。旋转轴11b的一侧的端部被连接于与载放台11a的载放面11a1对峙的面。旋转轴11b在贯通部12b的内部通过，并向罩12的外部延伸。旋转轴11b的另一侧的端部在罩12的外部与驱动部11c连接。驱动部11c可以是具有电机等旋转设备的构成。驱动部11c的旋转力介由旋转轴11b而被传递到载放台11a。因此，通过驱动部11c，能够使载放台11a、进而载放于载放台11a的被清洗物W旋转。此外，不仅是旋转和旋转的停止，驱动部11c还可以使转数(转速)改变。此时，驱动部11c可以是具有伺服电机等控制电机的构成。罩12覆盖载放台11a的周围。罩12对被供给到被清洗物W且通过被清洗物W旋转而被排出到被清洗物W外部的第1溶液303、第2溶液304、及从被清洗物W的表面去除的附着物300进行阻挡。在罩12的侧壁的上部上，设置有朝向中心方向弯曲的弯曲部12a。通过设置弯曲部12a，便于实现向被清洗物W的上方飞散的第1溶液303、第2溶液304、及去除的附着物300的捕捉。在罩12的底面的中央部分上设置有朝向罩12的内部突出的筒状的贯通部12b。由于贯通部12b朝向罩12的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，具备：第1供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给包含有机溶剂及表面活性剂的至少任意一种的第1溶液；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.11 JP 2014-0473191.一种反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，具备：第1供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给包含有机溶剂及表面活性剂的至少任意一种的第1溶液；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。2.一种反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，具备：第3供给部，向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物；及第2供给部，向所述覆盖层供给还原性溶液及不含氧的溶液的至少任意一种。3.根据权利要求1所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述第1供给部向在表面上附着有有机物的所述反射型掩膜供给所述第1溶液。4.根据权利要求2所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述第3供给部向在表面上附着有有机物的所述反射型掩膜供给所述等离子体生成物。5.根据权利要求1或2所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述覆盖层还包含氧化钌，通过所述第2供给部供给所述还原性溶液及所述不含氧的溶液的至少任意一种而使所述氧化钌还原，从而使所述覆盖层中的所述氧化钌的比例减少。6.根据权利要求1或2所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述反射型掩膜具有图形区域、及以包围所述图形区域的方式设置的遮光区域，且在所述图形区域中露出有所述覆盖层。7.根据权利要求2所述的反射型掩膜的清洗装置，其特征在于，所述还原性气体包含氨或...

【专利技术属性】
技术研发人员：松嶋大辅，出村健介，铃木将文，中村聪，
申请(专利权)人：芝浦机械电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP