基板处理设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。该气雾吸收装置能够吸收来自刻蚀区间的刻蚀液气雾，从而降低该气雾对其余基板处理部件的伤害。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及基板处理的
，尤其涉及包括气雾吸收装置的基板处理设备。
技术介绍
随着九十年代TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管-液晶显示器)技术的成熟，液晶显示面板因在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能的优势，得到了飞速的发展。为保证产品的合格率，各步工艺的均一性面临更大挑战。该工艺包括湿法刻蚀。湿法刻蚀是利用刻蚀液将玻璃基板上未被光刻胶覆盖的部分刻蚀掉，从而形成所需的金属图案。湿法刻蚀所用的刻蚀液因待刻蚀的金属不同而有所差异。如用于ITO金属的刻蚀液主要为硝酸和硫酸，用于Al金属的刻蚀液主要为硝酸、磷酸和醋酸，用于Cu金属的刻蚀液主要为双氧水的酸性溶液。参考图1，图1为目前湿法刻蚀设备的典型结构示意图。该设备主要包括APP（Atmospheric Pressure Plasma，大气压等离子）区间（在刻蚀前将大气压等离子电离出氧等活性离子，对有机物进行去除)、缓冲区间、刻蚀区间、清洗区间、缓冲区间和干燥区间（在图中从右至左示出）。刻蚀设备主要通过滚轮3传动基板，在刻蚀和清洗区间中分布着一定数量的喷管2，喷管上有喷嘴可以喷洒药液。因为刻蚀液中有挥发性的酸存在，挥发的酸气（或气雾）经过缓冲区间到达APP区间，对APP电极5进行腐蚀，减小APP电极5的使用寿命，增加发生不良的风险。在铜金属湿法刻蚀中，刻蚀液的酸气在缓冲区间出口凝结成结晶颗粒6，这增加断线不良发生风险。同时，发现，酸气和APP的交互作用导致铜金属发生氧化无法被刻蚀，造成金属残留的不良。目前的刻蚀设备为了减少酸气（或气雾）流向缓冲区间，在缓冲区间的前端安装有一个罩子4，罩子上有排气管道用于排出流过来的酸气，同时要求刻蚀区间的排气（或抽气）压力大于缓冲区间的排气压力。但是在实际使用中，排气压力容易发生波动，并且缓冲单元的排气压力大小不好把握，在排气压力太大的情况下容易把刻蚀区间的酸气吸收过来；在排气压力太小的情况下，刻蚀区间流过来的酸气不能及时被排出。因此，期望能有更好的酸气（或气雾）处理装置。
技术实现思路
鉴于以上问题，本技术提出了一种基板处理设备，其能够更好地对气雾进行处理，以减小刻蚀液气雾对刻蚀区间外的部件的影响。根据一方面，提出了一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。通过该气雾吸收装置实现对扩展到刻蚀区间外的气雾进行吸收，以减小气雾对刻蚀区间外的部件的影响。在一些所述中，所述喷淋管被布置为喷淋吸收液以使吸收液与气雾接触。在一些实施例中，所述气雾吸收装置包括供液管、排液装置和布置在所述喷淋管上的多个喷液嘴。在一些实施例中，被布置在同一个喷淋管上的多个喷液嘴之间的间距在10-50mm的范围内。在一些实施例中，所述喷嘴的出射方向是在相对于水平面向下15到向下45度之间可调的。在一些实施例中，所述气雾吸收装置还包括具有倾斜坡道的倾斜槽，所述吸收液被喷出之后经过所述倾斜坡道到达所述排液装置。该倾斜槽可以提供稳定的吸收液与气雾的接触面积，并且减小吸收液的溅出。在一些实施例中，所述倾斜槽的开口朝向所述刻蚀区间的基板入口。使吸收液的水帘直接冲向刻蚀区间的基板入口，以增大吸收效率。在一些实施例中，所述倾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。波浪形坡道能够进一步增大接触面积。在一些实施例中，所述基板处理设备还包括用于传送待处理基板的传送装置，所述气雾吸收装置被布置在所述传送装置下方。在一些实施例中，该设备还包括大气压等离子（APP）表面处理区间，所述气雾吸收装置进一步位于用于连接所述大气压等离子表面处理区间和所述刻蚀区间的缓冲区间处。在一些实施例中，该设备还包括排气罩，所述排气罩被布置在所述传送装置的上方并且在所述气雾吸收装置的上方。两者相互配合可实现更佳的阻隔效果。在一些实施例中，所述吸收液为水或醇类液体或碱性溶液。对应于不同的刻蚀液气雾，需要使用不同的吸收液。在一些实施例中，所述供液管经由阀门多个供液源，所述多个供液源分别容纳不同种类的吸收液。在一些实施例中，所述基板处理设备还包括清洗区间，而所述排液装置经由阀门连接到所述清洗区间中的管道。这可实现对使用过后的吸收液的回收利用。在一些实施例中，该设备还包括被布置在所述大气压等离子表面处理区间的出口处的多个气刀。该多个气刀能够形成用于阻隔的气帘，该气帘与气雾吸收装置的组合使用能够进一步增强阻隔效果，尽可能保护APP电极。在一些实施例中，所述气刀供有压力大小可调的清洁干燥气体（CDA）。在一些实施例中，所述缓冲区间的底部设置有排气装置，并且气雾吸收装置位于所述排气装置和刻蚀区间的基板入口之间。根据本技术的实施例的基板处理设备能够将流向缓冲区间的刻蚀液气雾进行吸收，还可进一步利用气帘阻隔气雾，一方面可以降低因气雾在缓冲区间出口结晶导致的断线不良，另一方面防止气雾对APP电极的腐蚀。此外，特别在铜刻蚀时避免了气雾和APP的交互作用导致铜的氧化，避免了因此导致的金属残留不良的发生。附图说明包括附图以提供对实施例的进一步理解并且附图被并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图图示了实施例并且与描述一起用于解释本技术的原理。将容易认识到其它实施例和实施例的很多预期优点，因为通过引用以下详细描述，它们变得被更好地理解。附图的元件不一定是相互按照比例的。同样的附图标记指代对应的类似部件。图1示出了现有技术中的湿法刻蚀设备的典型结构示意图。图2示出了根据本技术的实施例的基板处理设备的结构示意图。图3示出了根据本技术的另一实施例的基板处理设备的结构示意图。图4示出了根据本技术的实施例的气雾吸收装置的结构示意图。图5示出了根据本技术的另一实施例的气雾吸收装置的结构示意图。具体实施方式在以下详细描述中，参考附图，该附图形成详细描述的一部分，并且通过其中可实践本技术的说明性具体实施例来示出。对此，参考描述的图的取向来使用方向术语，例如“顶”、“底”、“左”、“右”、“上”、“下”等。因为实施例的部件可被定位于若干不同取向中，为了图示的目的使用方向术语并且方向术语绝非限制。应当理解的是，可以利用其他实施例或可以做出逻辑改变，而不背离本技术的范围。因此以下详细描述不应当在限制的意义上被采用，并且本技术的范围由所附权利要求来限定。应当理解的是，本文描述的各个示例性实施例的特征可以相互组合，除非特别另外指出。图2中示出了根据本技术的实施例的基板处理设备。该设备主要用于对基板（如玻璃基板）进行湿法蚀刻。在该实施例中，该基板处理设备中设置有依次连通的大气压等离子表面处理区间（APP表面处理区间，简称APP区间）、缓冲区间、蚀刻区间和清洗区间。应当理解的是，该基板处理设备还可设置有别的处理区间，例如干燥区间等。在每个区间中都设置有用于运送基板（在图中未示出）的传送装置3。缓冲区间用于连接邻近的两个区间（例如大气压等离子表面处理区间和刻蚀区间），以起到流水线作业中的缓冲作用。大气压等离子表面处理区间（简称APP表面处理区间）中设置有APP电极，用于在刻蚀前提供活性离子，以对基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。

【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括刻蚀区间，其特征在于，所述设备包括被布置在刻蚀区间的基板入口外的一个或多个气雾吸收装置，所述气雾吸收装置包括一个或多个喷淋管。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述喷淋管被布置为喷淋吸收液以使吸收液与气雾接触。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述气雾吸收装置还包括供液管、排液装置和布置在所述喷淋管上的多个喷嘴。4.根据权利要求3所述的设备，其中被布置在同一个喷淋管上的多个喷嘴之间的间距在10-50mm的范围内。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述喷嘴的出射方向是在相对于水平面向下15到向下45度之间可调的。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述气雾吸收装置还包括具有倾斜坡道的倾斜槽，所述吸收液被喷出之后经过所述倾斜坡道到达所述排液装置。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述倾斜槽的开口朝向所述刻蚀区间的基板入口。8.根据权利要求6所述的设备，其中所述倾斜坡道由平面坡道或波浪形坡道形成。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述基板处理设备还包括用于传送待处理基板的传送装置，所述气雾...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小宁，王世凯，金童燮，耿军，胡臻，梁渲祺，张沣，黄腾飞，潘洋，蒋中任，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34