复合波导结构及中高频同轴复合波导结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种复合波导结构及中高频同轴复合波导结构，所述复合波导结构包括相位塞、高频壳体及中频壳体，所述相位塞固定于所述高频壳体内、并形成高频波导腔，所述高频壳体固定于所述中频壳体内、并形成两个对称设置的中频波导腔。该复合波导结构及中高频同轴复合波导结构能减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及音响
，特别是涉及一种复合波导结构及中高频同轴复合波导结构。
技术介绍
目前，在专业音响领域里，现有的单腔体同轴波导结构通常采用中频驱动器与高频驱动器从同一个波导腔负载压缩，然后又通过同一个号筒解压扩散，这样的结构能提高一定的驱动器效率，但还是存在一定的谐波失真；而现有的中高频线性复合波导结构通常采用两个波导腔，中频波导腔和高频波导腔的负载在同一个号筒向外辐射声波，高频驱动器是架在中频驱动器前面，这样两个声源的同时到达扩散号筒时有时间差，必然产生相位失真且安装复杂化。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种复合波导结构及中高频同轴复合波导结构，减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。其技术方案如下：一种复合波导结构，包括相位塞、高频壳体及中频壳体，所述相位塞固定于所述高频壳体内、并形成高频波导腔，所述高频壳体固定于所述中频壳体内、并形成两个对称设置的中频波导腔。下面对进一步技术方案进行说明：在其中一个实施例中，所述相位塞的中心线、所述高频壳体的中心线及所述中频壳体的中心线在同一直线上。在其中一个实施例中，所述相位塞为等路径相位塞，所述高频壳体设有与所述等路径相位塞相配合的等路径内腔。在其中一个实施例中，所述高频壳体设有两个对称设置的等路径外侧壁，所述中频壳体设有两个与所述等路径外壁一一对应的等路径内侧壁。在其中一个实施例中，所述相位塞设有凹部，所述高频壳体设有与所述凹部卡固配合的凸部，所述相位塞通过所述凹部与凸部的卡部配合固定于所述高频壳体内。在其中一个实施例中，所述复合波导结构还包括高频扩散号筒，所述高频扩散号筒设有与所述高频波导腔相连通的高频扩散腔，所述高频扩散腔的中心线与所述相位塞的中心线在同一直线上。在其中一个实施例中，所述复合波导结构还包括中频扩散号筒，所述高频扩散号筒设置于所述中频扩散号筒、并与所述中频扩散号筒相配合形成两个对称设置的中频扩散腔，两个中频扩散腔分别与两个所述中频波导腔相连通、且一一对应。在其中一个实施例中，所述高频扩散号筒的两对称内侧呈向内凸起的第一弧状，所述中频扩散号筒的两对称内侧呈向内凸起的第二弧状。本技术方案还提供了一种中高频同轴复合波导结构，包括上述的复合波导结构，还包括中频驱动器及高频驱动器，所述高频驱动器设置于所述中频驱动器内，所述高频驱动器设有与所述高频波导腔连通的高频输出口，所述中频驱动器设有分别与两个所述中频波导腔连通的中频输出口，所述高频输出口与所述中频输出口不相通。下面对进一步技术方案进行说明：在其中一个实施例中，中高频同轴复合波导结构还包括驱动器外壳，所述驱动器外壳与中频壳体相配合形成容纳腔，所述中频驱动器及高频驱动器设置于所述容纳腔内。上述本技术中所述“第一”、“第二”不代表具体的数量及顺序，仅仅是用于名称的区分。上述本技术的有益效果：上述复合波导结构利用相位塞与高频壳体形成高频波导腔，同时利用高频壳体(等于中频限位塞)与中频壳体形成两个对称设置的中频波导腔，使高频驱动器发出的点声源声波通过高频波导腔进行扩散，可不经干涉变成柱面波，同时中频驱动器发出声波通过中频波导腔进行扩散，可有效避免因多个元件的特性差异而引起的离散性和减少了总体的谐波失真。该复合波导结构能有效减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。上述中高频同轴复合波导结构，将所述高频驱动器设置于所述中频驱动器内，所述高频驱动器设有与所述高频波导腔连通的高频输出口，所述中频驱动器设有分别与两个所述中频波导腔连通的中频输出口，所述高频输出口与所述中频输出口不相通，形成同轴声源点，减少时间差，进而可减少相位失真。该中高频同轴复合波导结构能有效减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。附图说明图1为本技术所述的复合波导结构的半剖结构示意图；图2为本技术所述的中高频同轴复合波导结构的三维结构示意图；图3为本技术所述的图2中A向的半剖结构示意图；图4为本技术所述的图2中B向的半剖结构示意图。附图标记说明：100、相位塞，110、凹部，200、高频壳体，210、高频波导腔，220、凸部，300、中频壳体，310、中频波导腔，400、高频扩散号筒，410、高频扩散腔，420、第一弧状，500、中频扩散号筒，510、中频扩散腔，520、第二弧状，600、中频驱动器，610、中频输出口，700、高频驱动器，710、高频输出口，800、驱动器外壳。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施方式，对本技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本技术，并不限定本技术的保护范围。如图1所示，本技术所述的一种复合波导结构，包括相位塞100、高频壳体200及中频壳体300，相位塞100固定于高频壳体200内、并形成高频波导腔210，高频壳体200固定于中频壳体300内、并形成两个对称设置的中频波导腔310。如图1至3所示，该复合波导结构利用相位塞100与高频壳体200形成高频波导腔210，同时利用高频壳体200(等于中频限位塞)与中频壳体300形成两个对称设置的中频波导腔310，使高频驱动器发出的点声源声波通过高频波导腔210进行扩散，可不经干涉变成柱面波，同时中频驱动器发出声波通过中频波导腔310进行扩散，可有效避免因多个元件的特性差异而引起的离散性和减少了总体的谐波失真。该复合波导结构能有效减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。如图2及3所示，本技术所述的一种中高频同轴复合波导结构，包括上述的复合波导结构，还包括中频驱动器600及高频驱动器700，高频驱动器700设置于中频驱动器600内，高频驱动器700设有与高频波导腔210连通的高频输出口710，中频驱动器600设有分别与两个中频波导腔310连通的中频输出口610，高频输出口710与中频输出口610不相通。如图1至4所示，该中高频同轴复合波导结构，将高频驱动器700设置于中频驱动器600内，高频驱动器700设有与高频波导腔210连通的高频输出口710，中频驱动器600设有分别与两个中频波导腔310连通的中频输出口610，高频输出口710与中频输出口610不相通，形成同轴声源点，减少时间差，进而可减少相位失真。该中高频同轴复合波导结构能有效减少谐波失真和相位失真，提高启动器效率以及控制频率响应指标的不平坦特性。如图1、3所示，该相位塞100的中心线、高频壳体200的中心线及中频壳体300的中心线在同一直线上，确保形成同轴结构，减少时间差，减少相位失真；相位塞100设有凹部110，高频壳体200设有与凹部110卡固配合的凸部220，相位塞100通过凹部110与凸部220的卡部配合固定于高频壳体200内，因而实现了相位塞100的安装固定。如图1、3及4所示，该相位塞100为等路径相位塞100，高频壳体200设有与等路径相位塞100相配合的等路径内腔，使高频驱动器700发出的点声源声波，不经干涉变成柱面波；进一步的，复合波导结构还包括高频扩散号筒400，高频扩散号筒400设有与高频波导腔210相连通的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合波导结构，其特征在于，包括相位塞、高频壳体及中频壳体，所述相位塞固定于所述高频壳体内、并形成高频波导腔，所述高频壳体固定于所述中频壳体内、并形成两个对称设置的中频波导腔。

【技术特征摘要】
1.一种复合波导结构，其特征在于，包括相位塞、高频壳体及中频壳体，所述相位塞固定于所述高频壳体内、并形成高频波导腔，所述高频壳体固定于所述中频壳体内、并形成两个对称设置的中频波导腔。2.根据权利要求1所述的复合波导结构，其特征在于，所述相位塞的中心线、所述高频壳体的中心线及所述中频壳体的中心线在同一直线上。3.根据权利要求2所述的复合波导结构，其特征在于，所述相位塞为等路径相位塞，所述高频壳体设有与所述等路径相位塞相配合的等路径内腔。4.根据权利要求3所述的复合波导结构，其特征在于，所述高频壳体设有两个对称设置的等路径外侧壁，所述中频壳体设有两个与所述等路径外壁一一对应的等路径内侧壁。5.根据权利要求1所述的复合波导结构，其特征在于，所述相位塞设有凹部，所述高频壳体设有与所述凹部卡固配合的凸部，所述相位塞通过所述凹部与凸部的卡部配合固定于所述高频壳体内。6.根据权利要求1-5任一项所述的复合波导结构，其特征在于，还包括高频扩散号筒，所述高频扩散号筒设有与所述高频波导腔相连通的高频扩散腔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟东，
申请(专利权)人：陈伟东，
类型：新型
国别省市：广东;44