【技术实现步骤摘要】
本技术一种硅晶片生产装置，属于硅晶片生产领域。
技术介绍
用于光伏行业多晶硅料熔化后结晶生长的一个设备，由于光伏行业多晶硅料的定向凝固过程需要先对硅料进行融化，然后定向结晶生长，硅液的生长需要在结晶设备容器内进行，大多的硅料的定向结晶是用铸锭炉完成的，硅料在同一铸锭炉内进行着熔化和定向凝固，这种设备价格昂贵，生产周期较长，无法实现硅料熔化和定向凝固分开进行，对设备的要求过高，因此将传送带与超高温度溶解箱相对应，在完成溶解之后进行加热后再将硅液移动至冷却箱，操作灵活，结晶方式简单，产品质量也稳定，同样可以达到铸锭炉的效果，现实生活中我们会需要具有不同电特性的硅，往往是在生产加工出来以后在进行电离，因此，需要进一步改进。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种硅晶片生产装置，通过两种放有不同掺杂剂的石英坩埚，经过一系列的工艺可以生产出具有不同电特性的硅晶片，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案：一种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱，所述多晶硅盛放箱设有第一挡板，所述多晶硅盛放箱通过传送带连接超高温熔解炉，所述超高温熔解炉内腔设有第二挡板，所述第二挡板两侧底部均设有移动滑板，所述移动滑板顶部分别设有P型石英坩埚、N型石英坩埚，所述高温熔解炉一侧连接冷却箱，所述冷却箱从左到右依次连接切断装置、滚圆装置、切片装置与倒角装置，所述倒角装置从上到下依次连接研磨装置、腐蚀装置、抛光装置、清洗装置与检验装置，所述检验装置一侧连接自动包装装置。进一步而言，所述P型石英坩埚内腔掺杂剂为硼，所述N型石英坩埚内腔掺杂剂为磷、...
【技术保护点】
一种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱（1），其特征在于，所述多晶硅盛放箱（1）设有第一挡板（2），所述多晶硅盛放箱（1）通过传送带（3）连接超高温熔解炉（4），所述超高温熔解炉（4）内腔设有第二挡板（5），所述第二挡板（5）两侧底部均设有移动滑板（6），所述移动滑板（6）顶部分别设有P型石英坩埚（7）、N型石英坩埚（8），所述高温熔解炉（4）一侧连接冷却箱（9），所述冷却箱（9）从左到右依次连接切断装置（10）、滚圆装置（11）、切片装置（12）与倒角装置（13），所述倒角装置（13）从上到下依次连接研磨装置（14）、腐蚀装置（15）、抛光装置（16）、清洗装置（17）与检验装置（18），所述检验装置（18）一侧连接自动包装装置（19）。
【技术特征摘要】
1.一种硅晶片生产装置，包括多晶硅盛放箱（1），其特征在于，所述多晶硅盛放箱（1）设有第一挡板（2），所述多晶硅盛放箱（1）通过传送带（3）连接超高温熔解炉（4），所述超高温熔解炉（4）内腔设有第二挡板（5），所述第二挡板（5）两侧底部均设有移动滑板（6），所述移动滑板（6）顶部分别设有P型石英坩埚（7）、N型石英坩埚（8），所述高温熔解炉（4）一侧连接冷却箱（9），所述冷却箱（9）从左到右依次连接切断装置（10）、滚圆装置（11）、切片装置（12）与倒角装置（13），所述倒角装置（13）从上到下依次连接研磨装置（1...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹文龙，张力峰，田利中，白青松，梁会宁，
申请(专利权)人：苏州晶樱光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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