【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子感应设备领域，尤其涉及一种单晶硅芯片压力传感装置。
技术介绍
传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。现有技术公开了申请号为201520856831.9 的一种检测装置，包括传感测头和传感器主体，所述传感测头与传感器主体连接，所述传感器主体设有上盖、扣合与上盖中的下盖和上、下盖周围的侧板，在传感器主体的内部还设有信息发送器；所述信息发送器包括电源、微处理器；在所述传感器主体的内部还设有报警器；但是抗压性能低，易损坏，传感信号容易受到干扰。
技术实现思路
对上述问题，本技术提供了一种单晶硅芯片压力传感装置，解决了抗压性能低，易损坏，传感信号容易受到干扰的问题。为解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：一种单晶硅芯片压力传感装置，其结构包括外管、导管、保护线路器、壳体、保护膜、传感板、单晶硅芯片、磁铁、衬底、单晶硅层、单晶硅薄膜、真空腔,所述壳体连接所述导管，所述导管两端连接着所述外管，所述壳体内部连接着所述保护线路器，所述导管连接着所述磁铁，所述导管连接着所述传感板，所述传感板连接着所述保护膜，所述传感板连接着所述单晶硅芯片，所述单晶硅芯片设有衬底，所述衬底之上设置有所述单晶硅层，所述单晶硅层设有所述单晶硅薄膜，所述单晶硅薄膜与所述衬底之间形成所述真空腔，所述真空腔在任意位置的竖直方向上的截面均为梯形结构。进一步的，所述壳体为无焊接不锈钢。进一步的，所述导管贯穿连接所述壳体。进一步的，所述导管连接着所述保护线路器。进一步...
【技术保护点】
一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于：其结构包括外管（1）、导管（2）、保护线路器（3）、壳体（4）、保护膜（5)、传感板（6）、单晶硅芯片（7）、磁铁（8）、衬底（10）、单晶硅层（12）、单晶硅薄膜（9）、以及真空腔（11),所述壳体（4）连接所述导管（2），所述导管（2）两端连接着所述外管（1），所述壳体（4）内部连接着所述保护线路器（3），所述导管（2）连接着所述磁铁（8），所述导管（2）连接着所述传感板（6），所述传感板（6）连接着所述保护膜（5)，所述传感板（6）连接着所述单晶硅芯片（7），所述单晶硅芯片（7）设有衬底（10），所述衬底（10）之上设置有所述单晶硅层（12），所述单晶硅层（12）设有所述单晶硅薄膜（9），所述单晶硅薄膜（9）与所述衬底（10）之间形成所述真空腔（11）。
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅芯片压力传感装置，其特征在于：其结构包括外管（1）、导管（2）、保护线路器（3）、壳体（4）、保护膜（5)、传感板（6）、单晶硅芯片（7）、磁铁（8）、衬底（10）、单晶硅层（12）、单晶硅薄膜（9）、以及真空腔（11),所述壳体（4）连接所述导管（2），所述导管（2）两端连接着所述外管（1），所述壳体（4）内部连接着所述保护线路器（3），所述导管（2）连接着所述磁铁（8），所述导管（2）连接着所述传感板（6），所述传感板（6）连接着所述保护膜（5)，所述传感板（6）连接着所述单晶硅芯片（7），所述单晶硅芯片（7）设有衬底（10），所述衬底（10）之上设置有所述单晶硅层（12），所述单晶硅层（12）设有...
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