研磨垫调整器制造技术

本实用新型专利技术提供一种研磨垫调整器，所述研磨垫调整器至少包括：调整盘；所述调整盘表面设有金刚石颗粒及软毛刷；所述金刚石颗粒自所述调整盘中心向外分布，在所述调整盘表面形成金刚石颗粒分布区域；所述软毛刷位于所述金刚石颗粒分布区域的外围。本实用新型专利技术中，通过在调整盘表面金刚石颗粒的外围设置软毛刷，可以在调整的过程中提高研磨垫边缘与中心平整度的均匀性，进而提高抛光的速率和效果。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制备领域，特别是涉及一种研磨垫调整器。
技术介绍
化学机械抛光是一种首先在1980年代中期被开发出来的工艺技术，它使得能在衬底或晶片上生产集成电路。CMP工艺用来制备晶片，并且用来在这些晶片上制作半导体器件或结构。CMP工艺用来平坦化在晶片上的半导体层、在半导体层上的绝缘层以及在绝缘层上具有预定图案的导电层。典型的CMP系统包括晶片载体及研磨台，抛光垫被紧固在研磨台上，待抛光的晶片被紧固在晶片载体上。典型的CMP工艺为：晶片载体旋转晶片，同时研磨台旋转抛光垫，化学浆料被施加到抛光垫的表面，晶片与抛光垫接触并被抛光。在晶片被抛光是，化学浆料和从晶片被去除的材料易于在抛光垫的表面形成光滑的薄膜，使得抛光垫变得光滑，降低了抛光的速率和效率；同时，由于研磨台带动抛光垫旋转时，抛光垫中心与边缘的线速度不同，使得抛光过程中，抛光垫表面的平整度变得比较差。因此，抛光垫保持干净且保持表面平整在抛光工艺中非常重要。在现有工艺中，一般在抛光工艺过程中使用表面镶嵌有金刚石颗粒的调整盘对研磨垫的表面进行调整。所述调整盘如图1及图2所示，其中，图1为所述调整盘的俯视图，图2为所述调整盘的截面图。由图1及图2可知，所述调整盘10的整个表面镶嵌有若干个金刚石颗粒11，所述金刚石颗粒11通过粘附层12固定于所述调整盘10的表面。虽然所述调整盘可以对研磨垫的表面起到一定的调整作用，但金刚石颗粒不仅会去除废弃的材料，还会对研磨垫的表面造成损害，使得研磨垫的边缘与中心区域的表面平整度的均匀性变差，进而影响抛光的速率和效果。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种研磨垫调整器，用于解决现有技术中由于调整盘表面布满金刚石颗粒，在调整的过程中容易对研磨垫的表面造成损害，使得研磨垫的边缘与中心区域的表面平整度的均匀性变差，进而影响抛光的速率和效果的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种研磨垫调整器，所述研磨垫调整器至少包括：调整盘；所述调整盘表面设有金刚石颗粒及软毛刷；所述金刚石颗粒自所述调整盘中心向外分布，在所述调整盘表面形成金刚石颗粒分布区域；所述软毛刷位于所述金刚石颗粒分布区域的外围。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述调整盘表面还设有粘附层，所述金刚石颗粒通过所述粘附层粘附于所述调整盘表面。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述粘附层的厚度为50μm～80μm。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述调整盘为金刚石圆盘。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述调整盘的直径为12cm～12.5cm；厚度为3.5mm～4mm。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述金刚石颗粒在所述调整盘表面的投影为圆形，所述金刚石颗粒在所述调整盘表面的圆形投影的直径为100μm～150μm；相邻所述金刚石颗粒的间距为180μm～200μm。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述软毛刷横截面的宽度为3mm～3.5mm。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述软毛刷的数量为35个～38个。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述金刚石颗粒及所述软毛刷在所述调整盘表面均匀分布。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述调整盘表面还设有隔离层，所述隔离层位于所述金刚石颗粒分布区域与所述软毛刷之间。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述隔离层露出调整盘表面的高度为500μm～800μm。作为本技术的研磨垫调整器的一种优选方案，所述隔离层由下至上贯穿所述调整盘。如上所述，本技术的研磨垫调整器具有以下有益效果：通过在调整盘表面金刚石颗粒的外围设置软毛刷，可以在调整的过程中提高研磨垫边缘与中心平整度的均匀性，进而提高抛光的速率和效果。附图说明图1为现有技术中的调整盘的俯视结构示意图。图2为现有技术中的调整盘的侧视结构示意图。图3为本技术的研磨垫调整器俯视结构示意图。图4为本技术的研磨垫调整器侧视结构示意图。元件标号说明10 调整盘11 金刚石颗粒12 粘附层20 调整盘21 金刚石颗粒22 软毛刷23 粘附层24 隔离层具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图3至图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。请参阅图3至图4，本技术提供一种研磨垫调整器，所述研磨垫调整器至少包括：调整盘20；所述调整盘20表面设有金刚石颗粒21及软毛刷22；所述金刚石颗粒21自所述调整盘20中心向外分布，在所述调整盘20表面形成金刚石颗粒21分布区域；所述软毛刷22位于所述金刚石颗粒21分布区域的外围。作为示例，所述调整盘20表面还设有粘附层23，所述金刚石颗粒21通过所述粘附层23粘附于所述调整盘20表面。作为示例，所述粘附层23的厚度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述粘附层23的厚度为50μm～80μm。作为示例，所述调整盘20可以为但不仅限于金刚石圆盘。所述调整盘20的尺寸可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述调整盘20的直径为12cm～12.5cm，厚度为3.5mm～4mm。作为示例，所述金刚石颗粒21的形状可以为圆锥形，也可以为棱锥形，优选地，本实施例中，所述金刚石颗粒21的形状为圆锥形。作为示例，所述金刚石颗粒21在所述调整盘20表面的投影为圆形，所述金刚石颗粒21在所述调整盘20表面的圆形投影的直径为100μm～150μm。所述金刚石颗粒21在所述调整盘20表面的分布密度可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，相邻所述金刚石颗粒21的间距为180μm～200μm。作为示例，所述金刚石颗粒21在所述调整盘20表面形成的金刚石颗粒21分布区域的大小可以根据实际需要设定，本实施例中，所述金刚石颗粒21分布区域占据整个所述调整盘20表面的大部分区域，所述软毛刷22仅分布于所述调整盘20的边缘区域，所述软毛刷22在所述调整盘20的边缘可以呈一圈分布、两圈分布或多圈分布，优选地，本实施例中，所述软毛刷22在所述调整盘20的边缘呈一圈或两圈分布；优选地，本实施例中，所述软毛刷22的数量可以为35个～38个。作为示例，所述软毛刷22的尺寸大小可以根据实际需要进行设定，优选地，本实施例中，所述软毛刷22横截面的宽度为3mm～3.5mm。作为示例，所述金刚石颗粒21在所述调整盘20表面的金刚石颗粒分布区域内均匀分布，所述软毛刷22在所述金刚石颗粒分布区域外围均匀分布。作为示例，所述调整盘20表面还设有隔离层24，所述隔离层24位于所述金刚石颗粒分布区域与所述软毛刷22之间，适于将所述金刚石颗粒21与所述软毛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫调整器，其特征在于，所述研磨垫调整器至少包括：调整盘；所述调整盘表面设有金刚石颗粒及软毛刷；所述金刚石颗粒自所述调整盘中心向外分布，在所述调整盘表面形成金刚石颗粒分布区域；所述软毛刷位于所述金刚石颗粒分布区域的外围；所述调整盘表面还设有隔离层，所述隔离层位于所述金刚石颗粒分布区域与所述软毛刷之间。

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫调整器，其特征在于，所述研磨垫调整器至少包括：调整盘；所述调整盘表面设有金刚石颗粒及软毛刷；所述金刚石颗粒自所述调整盘中心向外分布，在所述调整盘表面形成金刚石颗粒分布区域；所述软毛刷位于所述金刚石颗粒分布区域的外围；所述调整盘表面还设有隔离层，所述隔离层位于所述金刚石颗粒分布区域与所述软毛刷之间。2.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述调整盘表面还设有粘附层，所述金刚石颗粒通过所述粘附层粘附于所述调整盘表面。3.根据权利要求2所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述粘附层的厚度为50μm～80μm。4.根据权利要求1所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述调整盘为金刚石圆盘。5.根据权利要求3所述的研磨垫调整器，其特征在于：所述调整盘的直径为12cm～12.5cm；厚度为3.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11