The invention belongs to the technical field of a superconducting cyclotron, in particular to a leading out structure of a miniature pan ion source under a high magnetic field. Including the anode tube anode tube is arranged in the side of Pan Ning ion source is led out of the slot and near the anode tube leads to joint electrodes arranged on the electrode leads, lead electrode seam corresponding anode tube leads to crack, when the lead electrode loaded high frequency voltage can through the electrode seam plasma anode tube from the anode tube lead joint leads, which leads to the anode tube joints in the lead anode tube on the other wall, thickness of wall thickness is less than the position of lead anode tube; the anode tube leads to crack length 6mm 10mm, a specific angle angle, width 0.5mm; electrode seam length 6mm 10mm, width 0.5mm; anode tube seam extraction the length of the electrode, the seam is consistent. As a result, the wall thickness of the outlet of the anode cylinder is reduced, the voltage of the inner cavity wall is enhanced, the extraction flow is enhanced, and the quality of the outgoing beam is improved.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于超导回旋加速器
,具体涉及一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构。
技术介绍
回旋加速器是利用磁场和电场共同使带电粒子作回旋运动,在运动中经高频电场反复加速的装置,是高能物理中的重要仪器,其中超导回旋加速器是目前医用质子治疗加速器的核心设备。医用质子治疗加速器能够实现用微观世界中的质子、重离子射线治疗肿瘤,是当今世界最尖端的放射治疗技术,仅有个别发达国家掌握并应用该技术。在超导回旋加速器中,离子源技术是一项关键技术(离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置)。离子源是束流的源头,决定着束流品质,也直接影响着超导回旋加速器的性能。超导回旋加速器中的磁场强度约为2.3T,离子源的束流通过高频电压直接引出。在这种高磁场、强束流引出中,离子源的引出结构直接决定了束流品质。引出结构中的间距、张角大小、引出端的厚度、引出电极的形状等,都是对束流品质有着直接影响。需要通过研究这些因素,确定引出结构,提高离子源的引出束流品质,进而改善加速器的性能指标。由于本专利技术所涉及的超导回旋加速器所采用的微型潘宁离子源需要安装在就极其狭小的空间内,其尺寸非常紧凑,因此对其所采用的包括引出电极在内的引出结构提出了更高的设计要求。
技术实现思路
针对微型潘宁离子源在超导回旋加速器中的高磁场强度以及引出电极的高频电压环境,需要设计一种具有较高引出流强的引出结构,以保证超导回旋加速器的微型潘宁离子源中的引出束流的品质。为达到以上目的,本专利技术采用的技术方案是一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构,包括设置在潘宁离子源的阳极筒侧面上的阳极筒引出缝和靠近所述阳极筒 ...
【技术保护点】
一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构,包括设置在潘宁离子源的阳极筒(1)侧面上的阳极筒引出缝(4)和靠近所述阳极筒引出缝(4)设置的引出电极(2),所述引出电极(2)上的引出电极缝口(3)对应所述阳极筒引出缝(4),当所述引出电极(2)上加载高频电压后能够通过所述电极缝口(3)将所述阳极筒(1)内的等离子体从所述阳极筒引出缝(4)引出,其特征是:所述阳极筒引出缝(4)设置在所述阳极筒(1)的引出壁(5)上,所述引出壁(5)的厚度小于所述阳极筒(1)的其他位置厚度;所述阳极筒引出缝(4)长6mm‑10mm,宽0.5mm,设有特定角度的张角;所述电极缝口(3)长6mm‑10mm,宽0.5mm;所述阳极筒引出缝(4)、电极缝口(3)的长度保持一致。
【技术特征摘要】
1.一种高磁场下微型潘宁离子源的引出结构,包括设置在潘宁离子源的阳极筒(1)侧面上的阳极筒引出缝(4)和靠近所述阳极筒引出缝(4)设置的引出电极(2),所述引出电极(2)上的引出电极缝口(3)对应所述阳极筒引出缝(4),当所述引出电极(2)上加载高频电压后能够通过所述电极缝口(3)将所述阳极筒(1)内的等离子体从所述阳极筒引出缝(4)引出,其特征是:所述阳极筒引出缝(4)设置在所述阳极筒(1)的引出壁(5)上,所述引出壁(5)的厚度小于所述阳极筒(1)的其他位置厚度;所述阳极筒引出缝(4)长6mm-10mm,宽0.5mm,设有特定角度的张角;所述电极缝口(3)长6m...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾先禄,宋国芳,
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院,
类型:发明
国别省市:北京;11
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