一种紫外LED倒装芯片制造技术
An ultraviolet LED flip chip
The invention discloses a UV LED flip chip comprises a substrate, the substrate is provided with the N type GaN layer, a quantum well active region, P type GaN layer, the P type GaN layer is arranged on the transparent electrode layer and the transparent electrode layer is ITO, the transparent electrode layer is provided with a plurality of micropores. There are a number of micropores on the ITO layer to open the UV LED flip chip provided by the invention can go out through the micro UV transmission, reduce the absorption of UV ITO, which can effectively play the role of using the LED chip to ultraviolet light.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED芯片领域，具体涉及一种紫外LED倒装芯片。
技术介绍
现有的LED芯片上都设置有ITO作为透明电极层，进行均匀导电，但是ITO对紫外光具有较强的吸收作用，影响紫外LED芯片发挥作用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种紫外LED倒装芯片。本专利技术所采用的技术方案是：一种紫外LED倒装芯片，包括衬底，所述衬底上依次设置有N型GaN层、量子阱有源区、P型GaN层，所述P型GaN层上设置有透明电极层，所述透明电极层为ITO，所述透明电极层上开设有多个微孔。进一步，所述衬底为蓝宝石。本专利技术的有益效果是：与现有的LED芯片相比，本专利技术提供的紫外LED倒装芯片在ITO层上开设有多个微孔，紫外光可通过微孔透射出去，减少ITO对紫外光的吸收，使利用紫外光的LED芯片能有效发挥作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图：图1是本专利技术的LED芯片的结构示意图。图2是ITO层的俯视图。具体实施方式以下将结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本专利技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本专利技术的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。...
【技术保护点】
一种紫外LED倒装芯片，包括衬底（1），所述衬底（1）上依次设置有N型GaN层（2）、量子阱有源区（3）、P型GaN层（4），所述P型GaN层（4）上设置有透明电极层（5），所述透明电极层（5）为ITO，其特征在于：所述透明电极层（5）上开设有多个微孔（6）。
【技术特征摘要】
1.一种紫外LED倒装芯片，包括衬底（1），所述衬底（1）上依次设置有N型GaN层（2）、量子阱有源区（3）、P型GaN层（4），所述P型GaN层（4）上设置有透明电极层（5...
【专利技术属性】
技术研发人员：易翰翔，罗长得，武杰，郝锐，
申请(专利权)人：广东德力光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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