纳米微结构的制作方法技术

本发明专利技术提供一种纳米微结构的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层；生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块；在每一第一结晶块上生成一第二结晶块；在每一第二结晶块上生成一第三结晶块；其中，该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液，该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液，该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。本发明专利技术具有工艺流程简单，且该基板的抗反射性能更好的有益效果。

Method for making nano microstructure

The invention provides a preparation method of nano structure, which comprises the following steps: forming a hydrophobic polymer particles dispersed in nanoscale layer on the substrate; generating a plurality of respectively with the more hydrophobic polymer particles and the corresponding interval distribution of the first crystallization block; generating a second block in each of the first crystal crystal block; to generate a third crystal in each second crystal block; wherein the first polymer is not soluble in second of the second polymer polymer solution, insoluble in third polymer solution, the first preset concentration, second preset concentration and third preset concentration decreased. The invention has the advantages of simple technological process and better anti reflection performance of the substrate.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学器件制作领域，特别是涉及一种纳米微结构的制作方法。
技术介绍
目前，蛾眼的纳米微抗反射结构在太阳能电池、生物传感器以及显示面板领域得到广泛的应用。目前常用的制备方法有光刻法、电子束刻蚀法、纳米压印法和自组装法。光刻法和电子束刻蚀法在制备技术方面要求较高，设备较为昂贵，制备成本高，且在选材方面也会受到一定的限制。因此，现有技术存在缺陷，急需改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种纳米微结构的制作方法；以解决现有的纳米微结构的制作方法中的制作工艺复杂的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：提供一种纳米微结构的制作方法，包括以下步骤：在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层，该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒；在该基板上涂布第一预设浓度的第一聚合物溶液，该第一聚合物溶液中的第一聚合物以疏水聚合物颗粒为成核中心进行结晶，以生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块；在该多个第一结晶块上涂布第二预设浓度的第二聚合物溶液，该第二聚合物溶液中的第二聚合物以与该第一结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第一结晶块上生成一第二结晶块；在该第二结晶块上涂布第三预设浓度的第三聚合物溶液，该第三聚合物溶液中的第三聚合物以与每一第二结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第二结晶块上生成一第三结晶块；其中，该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液，该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液，该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，还包括以下步骤：在该第三结晶块上涂布第四预设浓度的第四聚合物溶液，该第四聚合物溶液中的第四聚合物以与每一第三结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第三结晶块上生成一第四结晶块；所述第三聚合物不溶于所述第四聚合物溶液，所述第四预设浓度小于所述第三预设浓度。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，还包括以下步骤：在该第四结晶块上涂布第五预设浓度的第五聚合物溶液，该第五聚合物溶液中的第五聚合物以与每一第四结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第四结晶块上生成一第五结晶块，所述第四聚合物不溶于所述第五聚合物溶液，所述第五预设浓度小于所述第四预设浓度。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，还包括以下步骤：在该第五结晶块上涂布第六预设浓度的第六聚合物溶液，该第六聚合物溶液中的第六聚合物以与每一第五结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第五结晶块上生成一第六结晶块，所述第五聚合物不溶于所述第六聚合物溶液，所述第六预设浓度小于所述第五预设浓度。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，该第一聚合物、第三聚合物以及第五聚合物为相同的聚合物，该第二聚合物、第四聚合物以及第六聚合物为相同的聚合物。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，所述第一聚合物以及所述第三聚合物为聚氟苯类材料，所述第二聚合物为聚苯类材料；或者，所述第一聚合物以及所述第三聚合物为水溶性离子聚合物材料，所述第二聚合物为油溶性聚酯类材料。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，所述在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层的步骤包括：在基板上旋涂一层由亲水性聚合物和疏水聚合物组成的共聚混合物，该共聚混合物呈纳米级分布；采用极性溶液洗去所述亲水性聚合物，以形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层，该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，所述疏水聚合物为聚甲基丙烯酸甲酯，所述亲水性聚合物为聚苯乙烯。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，还包括以下步骤：采用对应溶剂分别洗去未结晶或者结晶度较小的第一聚合物、第二聚合物以及第三聚合物。在本专利技术所述的纳米微结构的制作方法中，所述基板为玻璃基板。与现有技术相比，本专利技术通过在基板上进行至少三次结晶，并且每次采用的聚合物溶液的浓度依次降低，从而在基板上形成多个下大上小的凸锥状的纳米微结构，工艺流程十分简单，且采用这种工艺形成的具有纳米微结构的基板具有抗反射性能更好的有益效果。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的纳米微结构的制作方法的优选实施例的流程图；图2A-图2E为本专利技术的纳米微结构的制作方法的示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1，图1为本专利技术的纳米微结构的制作方法的优选实施例的流程图。在本优选实施例中，该纳米微结构的制作方法，包括以下步骤：S101，在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层，该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒；S102，在基板上涂布第一预设值的第一聚合物溶液，该第一聚合物溶液中的第一聚合物以疏水聚合物颗粒为成核中心进行结晶，以生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块；S103，在该第一结晶块上涂布第二预设浓度的第二聚合物溶液，该第二聚合物溶液中的第二聚合物以与第一结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第一结晶块上生成一第二结晶块；S104，在该第二结晶块上涂布第三预设浓度的第三聚合物溶液，该第三聚合物溶液中的第三聚合物以与每一第二结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第二结晶块上生成一第三结晶块；S105，在该第三结晶块上涂布第四预设浓度的第四聚合物溶液，该第四聚合物溶液中的第四聚合物以与每一第三结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第三结晶块上生成一第四结晶块；S106，在该第四结晶块上涂布第五预设浓度的第五聚合物溶液，该第五聚合物溶液中的第五聚合物以与每一第四结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第四结晶块上生成一第五结晶块；S107，在该第五结晶块上涂布第六预设浓度的第六聚合物溶液，该第六聚合物溶液中的第六聚合物以与每一第五结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第五结晶块上生成一第六结晶块。其中，该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液，该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液，该第三聚合物不溶于第四聚合物溶液，该第四聚合物不溶于第五聚合物溶液，第五聚合物不溶于第六聚合物溶液。该第一预设浓度、第二预设浓度、第三预设浓度、第四预设浓度、第五预设浓度以及第六预设浓度依次降低。可以理解地，该第一聚合物、第三聚合物以及第五聚合物可以为相同的聚合物，该第二聚合物、第四聚合物以及第六聚合物可以为相同的聚合物。可以理解地，在本专利技术者中，该步骤S105至S107并非比不可少的，只要满足至少形成三层结晶块的分布层即可，并且，在步骤S107之后，还可以采用相似手段，继续涂布聚合物溶液以形成结晶块的分布层。下面结合附图2A-2E对该优选实施例中的纳米微结构的制作方法的各个步骤进行详细说明。在该步骤S101中，形成纳米级分散的疏水聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米微结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层，该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒；在该疏水聚合物颗粒层上涂布第一预设浓度的第一聚合物溶液，该第一聚合物溶液中的第一聚合物以疏水聚合物颗粒为成核中心进行结晶，以生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块；在该多个第一结晶块上涂布第二预设浓度的第二聚合物溶液，该第二聚合物溶液中的第二聚合物以与该第一结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第一结晶块上生成一第二结晶块；在该多个第二结晶块上涂布第三预设浓度的第三聚合物溶液，该第三聚合物溶液中的第三聚合物以与每一第二结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第二结晶块上生成一第三结晶块；其中，该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液，该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液，该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。

【技术特征摘要】
1.一种纳米微结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成纳米级分散的疏水聚合物颗粒层，该疏水聚合物颗粒层具有多个间隔分布的疏水聚合物颗粒；在该疏水聚合物颗粒层上涂布第一预设浓度的第一聚合物溶液，该第一聚合物溶液中的第一聚合物以疏水聚合物颗粒为成核中心进行结晶，以生成多个分别与该多个疏水聚合物颗粒一一对应且间隔分布的第一结晶块；在该多个第一结晶块上涂布第二预设浓度的第二聚合物溶液，该第二聚合物溶液中的第二聚合物以与该第一结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第一结晶块上生成一第二结晶块；在该多个第二结晶块上涂布第三预设浓度的第三聚合物溶液，该第三聚合物溶液中的第三聚合物以与每一第二结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第二结晶块上生成一第三结晶块；其中，该第一聚合物不溶于第二聚合物溶液，该第二聚合物不溶于第三聚合物溶液，该第一预设浓度、第二预设浓度以及第三预设浓度依次降低。2.根据权利要求1所述的纳米微结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：在该多个第三结晶块上涂布第四预设浓度的第四聚合物溶液，该第四聚合物溶液中的第四聚合物以与每一第三结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第三结晶块上生成一第四结晶块；所述第三聚合物不溶于所述第四聚合物溶液，所述第四预设浓度小于所述第三预设浓度。3.根据权利要求2所述的纳米微结构的制作方法，其特征在于，还包括以下步骤：在该多个第四结晶块上涂布第五预设浓度的第五聚合物溶液，该第五聚合物溶液中的第五聚合物以与每一第四结晶块的接触面为成核中心进行异相成核结晶，以分别在每一第四结晶块上生成一第五结晶块，所述第四聚合物不溶于所述第五聚合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42