基板架的维护方法技术

本发明专利技术提供一种电镀方法和电镀方法装置，其能够迅速并可靠地发现密封构件的密封性的重大问题，即使对极微量的泄漏也可在事前或事后可靠发现。该电镀方法中，实施第1阶段泄漏检查，即基板的外周部以密封构件(66，68)密封且基板W由基板架(18)保持，对基板架保持基板时以密封构件密闭的在该基板架的内部形成的内部空间R内进行真空吸引，对该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力进行检查，并且实施第2阶段泄漏检查，即对第1阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架，密封内部空间并检查该内部空间内的压力在规定时间内是否变化了规定值以上。

【技术实现步骤摘要】
本申请是基于以下中国专利申请的分案申请：原案申请日：2013年03月27日原案申请号：201310102661.0原案申请名称：电镀方法和电镀装置。
本专利技术涉及一种基板架的维护方法，其被使用于一边用基板架保持基板一边对该基板进行电镀的电镀方法中。
技术介绍
在TAB(Tape Automated Bonding:胶带自动接合)或倒装片上，正广泛地进行在形成有配线的半导体芯片的表面的规定地方(电极)上形成金、铜、焊锡、或者镍、更或者是将它们多层地层叠起来的凸起状连接电极(凸点)，通过该凸点来与封装电极或TAB电极电连接。作为这种凸点的形成方法，有电镀法、蒸镀法、印刷法、滚动凸点法等各种的方法，但随着半导体芯片的I/O数量的增加、细间距化，可微型化并且性能比较稳定的电镀法被越来越多地采用了。此处，电镀法大致分为:将半导体晶片等的基板的被电镀面朝下(面朝下)地水平放置并使电镀液从下往上喷来实施电镀的喷流式或杯式，和在电镀槽的中垂直竖立基板，一边从电镀槽的下方注入电镀液并使其溢出一边实施电镀的浸渍式。一般认为，采用浸渍式的电镀法，具有对电镀的品质产生不良影响的气泡能很好地逸出、痕迹小等优点，因此，适用于电镀孔的尺寸较大，电镀需要相当长时间的凸点电镀。在以往的采用浸渍方式的电解电镀装置中，具有密封半导体晶片等基板的外周部、并使表面(被电镀面)露出地装卸自如地保持的基板架，该基板架将各个基板浸渍于电镀液中，并对基板的表面实施电镀，具有容易除去气泡的优点。基板架浸渍于电镀液中进行使用，因此以基板架保持基板并浸渍于电镀液时，为使电镀液不进入基板的背面(反被电镀面)和电接点接触的基板的外周部，需要确实地密封基板的外周部。因此，例如，通过一对支持件(保持构件)装卸自如地保持基板的基板架上，一方的支持件安装密封构件，该密封构件与另一方的支持件和载置保持于该支持件的基板的外周部分别压接，以密封基板的外周部。这种基板架通过，将密封构件的形状或固定方法等进行最适化调整、定期的(例如对各处理)洗净密封构件、定期的更换密封构件，更进一步的，提高基板的前处理(种晶层、抗蚀层膜的生成)的精度，使得对基板到基板架的设置误差的最小化、并进行定期的再调整，以减少电镀液等的泄漏。但，由于密封构件的劣化等，导致提高密封的充分性变得尤为困难。尤其是，实施电镀，要将电镀膜埋入沟或通孔等微细凹部的内部时，需要将电镀液容易且确实地浸入微细凹部内，因此一般采用浸透性良好的电镀液，因此，实施充分的密封更加困难。又，检测电镀液等泄漏一般来说较为困难。接着，一旦发生电镀液的泄漏，泄漏到基板架的内部的电镀液附着于基板的外周部或背面，不仅随着基板运送机器使得装置整体被电镀液染污，且泄漏的电镀液使接点腐蚀妨碍通电。因此，申请人提出，基板架所保持的基板连同基板架浸入电镀液进行实际电镀时，将泄漏的电镀液会使其短路的液泄漏检知用的至少一对导电体设于内部以检知电镀液是否泄漏(产生电镀液的泄漏的液泄漏检知用的导电体会通电)的基板架(参照专利文献1)，或基板架保持基板时，对夹在基板和基板架之间的密封构件包围的空间的内部提供加压的气体，通过该加压的气体的压力是否下降，检测密封构件是否有泄漏的基板架(参照专利文献2)。又，提出一种方案，以密封构件密封基板的外周部后，进行基板的电镀处理之前，在电镀处理前检查密封构件形成的空间内是否发生电镀液的泄漏(参照专利文献3)。该电镀处理前的泄漏检查，对例如密封构件形成的密闭区域内进行减压或加压来进行。又，提出一种方案，基板的外周部以密封构件密封、且基板由基板架所保持后，对基板的収容部进行减压，在电镀处理前确定密封的充分性，例如，基板架保持基板后，对基板架内的基板所分隔的内部空间进行真空吸引并密封，确认在规定时间内内部空间的压力变化的程度在规定值以下(例如将内部空间减压到负0.05气压左右的负压并密封，经过5秒后，该负压的变化在10％以内的话，判定为合格(无泄漏))(参照专利文献4)。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】特开2004-52059号公报【专利文献2】特开2003-277995号公报【专利文献3】特表2002-531702号公报【专利文献4】特表2007-509241号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题对基板架内的该基板架所保持的基板分隔的内部空间进行单纯的真空吸引或加压，仅检出内部空间内的压力，一般难以判定密封构件的密封性在何种程度不充分。且，在产生极微量的电镀液的泄漏的情况下，基板架内的内部空间的容积和电镀液的泄漏量的体积比变得相当大，与之成反比的，内部空间内的压力变化变得相当小。例如、内部空间的容积500cc下的电镀液的泄漏量为0.05cc的话，内部空间内的压力变化为1/10000。因此，即使采用高精度的压力传感器也可能导致误检测。尤其是，为使电镀装置连续稳定地运行，即使极微量的电镀液泄漏，也需要可靠地在事前或事后对其进行检测。进一步的，对电镀所使用的基板架是否发生电镀液的泄漏的情况进行事后检查的情况下，由于担心已经泄漏的电镀液导致基板架的电接点腐蚀，或电接触电阻增加，需要根据电镀液的泄漏程度，对基板架进行清扫或部件更换等维护。本专利技术鉴于上述情况，目的在于提供一种电镀方法和电镀装置，其能够迅速并可靠地发现密封构件的密封性的严重问题，且即使是对极微量的泄漏，也可以提前地可靠地发现。解决问题的手段本专利技术的电镀方法，包括如下步骤:以密封构件对基板的外周部进行密封，并由基板架保持基板；实施第1阶段泄漏检查，其在所述基板架保持基板时，对形成于以所述密封构件密闭的该基板架的内部的内部空间内进行真空吸引，检查该内部空间在规定时间后是否达到规定真空压力；实施第2阶段泄漏检查，其对所述第1阶段泄漏检查合格了的基板架，在使所述内部空间为真空后密封该内部空间，检查该内部空间内的压力是否在规定时间内变化了规定值以上。这样，实施可在较短时间内完成的第1阶段泄漏检查，可通过提前并快速地发现明显的操作不当或维护不力等引起的电镀液的泄漏，以减去对第2阶段泄漏检查的负担，之后，通过实施第2阶段泄漏检查，可可靠且快速地发现基板架的密封构件的密封性的重大问题，对该泄漏进行适当处置。本专利技术的较佳实施例中，检查所述内部空间内的压力在规定时间内是否变化在规定值以上的步骤为，对没有气体泄漏的主容器进行真空吸引，密封被真空吸引后的所述主容器，以差压传感器测定所述内部空间内的封止后的压力和所述主容器内的压力的压力差，检查所述压力差是否在规定时间内变化在规定值以上的步骤。这样，通过根据内部空间内的压力和主容器内的压力的压力差测定内部空间内的压力变化，与利用压力传感器直接测定内部空间内的压力变化时相比，可更准确地检测内部空间内的微小压力变化。该专利技术的一较佳实施方式中，对于所述第2阶段泄漏检查合格了的保持基板的基板架，在所述基板架所保持的基板和覆盖该基板的表面的密封壳体之间形成密闭空间，将示踪气体导入该密闭空间内，对所述内部空间进行真空吸引，实施检查从所述内部空间吸引得到空气内是否含有示踪气体的第3阶段泄漏检查。这样，通过对第2阶段泄漏检查合格了的基板架，实施需要较长时间的第3阶段泄漏检查，即使密封构件中产生超微细的泄漏，也可可靠地对其进行检测。本专利技术的一较佳实本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板架的维护方法，其被使用于一边用基板架保持基板一边对该基板进行电镀的电镀方法中，该基板架具备第1保持构件、以及具有开口部的第2保持构件，所述基板架的维护方法的特征在于，以所述第1保持构件支持基板的一面，使所述第2保持构件接触基板的另一面，以基板的所述另一面从所述第2保持构件的所述开口部露出的状态由所述基板架保持该基板，以所述基板架保持基板时，由所述第2保持构件的第1突出部密封所述第1保持构件和第2保持构件之间、并由所述第2保持构件的第2突出部密封所述基板的外周部，由此由所述第1保持构件和所述第2保持构件和所述基板在所述基板架内形成内部空间，实施第1阶段泄漏检查来检查所述第1突出部以及所述第2突出部的密封性，在所述第1阶段泄漏检查中，对所述内部空间内进行真空吸引，检查该内部空间是否在规定时间后达到规定真空压力，针对所述第1阶段泄漏检查合格了的保持有基板的基板架，实施第2阶段泄漏检查来进一步检查所述第1突出部以及所述第2突出部的密封性，在所述第2阶段泄漏检查中，在使所述内部空间为真空后密封该内部空间，检查该内部空间内的压力是否在规定时间内变化了规定值以上。

【技术特征摘要】
2012.03.27 JP 2012-0715461.一种基板架的维护方法，其被使用于一边用基板架保持基板一边对该基板进行电镀的电镀方法中，该基板架具备第1保持构件、以及具有开口部的第2保持构件，所述基板架的维护方法的特征在于，以所述第1保持构件支持基板的一面，使所述第2保持构件接触基板的另一面，以基板的所述另一面从所述第2保持构件的所述开口部露出的状态由所述基板架保持该基板，以所述基板架保持基板时，由所述第2保持构件的第1突出部密封所述第1保持构件和第2保持构件之间、并由所述第2保持构件的第2突出部密封所述基板的外周部，由此由所述第1保持构件和所述第2保持构件和所述基板在所述基板架内形成内部空间，实施第1阶段泄漏检查来检查所述第1突出部以及所述第2突出部的密封性，在所述第1阶段泄漏检查中，对所述内部空间内进行真空吸引，检查该内部空间是否在规定时间后达到规定真空压力，针对所述第1阶段泄漏检查合格了的保持有基板的基板架，实施第2阶段泄漏检查来进一步检查所述第1突出部以及所述第2突出部的密封性，在所述第2阶段泄漏检查中，在使所述内部空间为真空后密封该内部空间，检查该内部空间内的压...

【专利技术属性】
技术研发人员：南吉夫，藤方淳平，岸贵士，
申请(专利权)人：株式会社荏原制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP