一种显示基板、其制作方法、显示面板及镀膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种显示基板、其制作方法、显示面板及镀膜装置。该方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上溅射保护膜层，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层，所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；其中，所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点不低于所述第二膜层的材料的沸点。该方案中，保护膜层可以阻止第一膜层的材料蒸发出来污染第二膜层，保证了第二膜层的成膜质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、其制作方法、显示面板及镀膜装置。
技术介绍
目前，在薄膜的溅射工艺中，靶材经溅射沉积在基板上结晶形成薄膜，薄膜的性能与结晶温度密切相关，结晶温度不同，形成的薄膜的致密性不同，为了满足实际需求需要在特定温度结晶下，才能形成满足需求的薄膜。但是，如果正在制备的膜层所需的结晶温度高于下方已经制备好的膜层的沸点，该已制备好的膜层的材料就会蒸发渗透进入正在制备的膜层中，对正在制备的膜层造成污染，导致其成膜质量下降。例如，在彩膜基板上制备氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜时，一般低温结晶的ITO膜层不够致密，且电阻率偏高，容易造成显示异常，出现云纹(mura)，因而需要采用高温结晶，但是由于ITO膜层的结晶温度较高，彩膜基板上已经制备的色阻会因高温而蒸发，对制备的ITO膜层造成污染，导致降低ITO薄膜的成膜质量。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种显示基板、其制作方法、显示面板及镀膜装置，用于解决在溅射膜层的过程中，已制备的膜层因高温蒸发对正在制备的膜层造成污染，导致成膜质量下降的问题。本专利技术实施例的目的是通过以下技术方案实现的：一种显示基板的制作方法，该方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上溅射保护膜层，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层，所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；其中，所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点不低于所述第二膜层的材料的沸点。较佳地，所述第一膜层为色阻层；所述第二膜层为透明电极层；所述保护膜层的材料为透明导电材料。较佳地，在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层之前，该方法还包括：采用高于所述保护膜层的结晶温度的退火温度对所述保护膜层进行退火处理。较佳地，所述保护膜层的材料与所述第二膜层的材料相同。较佳地，所述色阻层的材料为二苯甲酮亚胺；所述透明电极层的材料为ITO；所述保护膜层的材料为ITO；所述保护膜层的结晶温度的范围为100摄氏度～150摄氏度；所述第二膜层的结晶温度的范围为200摄氏度～250摄氏度；所述退火温度的范围为200摄氏度～250摄氏度。较佳地，所述保护膜层的结晶温度为130摄氏度；所述第二膜层的结晶温度为230摄氏度；所述退火温度为230摄氏度。一种显示基板，包括衬底基板，在衬底基板上依次层叠的第一膜层、保护膜层和第二膜层；其中，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点不低于所述第二膜层的材料的沸点。较佳地，所述第一膜层为色阻层；所述第二膜层为透明电极层；所述保护膜层的材料为透明导电材料。较佳地，所述保护膜层的材料为石墨烯、透明金属或者透明金属氧化物。较佳地，所述保护膜层的材料与所述第二膜层的材料相同。较佳地，所述光阻层的材料为二苯甲酮亚胺；所述透明电极层的材料为ITO；所述保护膜层的材料为ITO。较佳地，所述保护膜层的膜层厚度与所述第二膜层的膜层厚度的比值范围为1:9～1:1。一种显示面板，包括如以上任一项所述的显示基板。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例提供的显示基板、其制作方法及显示面板中，由于在第一膜层上设置保护膜层，该保护膜层的材料的沸点比较高，因而在一定高温下比第一膜层稳定，可以将第一膜层保护起来，在高于第一膜层的材料的沸点的结晶温度下溅射第二膜层的时候，该保护膜层就可以阻止第一膜层的材料蒸发出来污染第二膜层，保证了第二膜层的成膜质量。一种镀膜装置，包括腔室；所述腔室内设置有：用于在形成有第一膜层的衬底基板上利用第二膜层的材料进行第一次溅射，以形成保护膜层，以及在形成有所述保护膜层的衬底基板上利用第二膜层的材料进行第二次溅射，以形成第二膜层的镀膜单元；其中，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点；用于控制所述保护膜层和第二膜层的结晶温度，以及在形成有所述保护膜层的衬底基板上利用第二膜层的材料进行第二次溅射之前，对所述保护膜层进行退火处理的加热退火单元。较佳地，所述镀膜装置为磁控溅射镀膜装置；所述加热退火单元位于所述腔室的底部，所述镀膜单元位于所述腔室的顶部；或者，所述加热退火单元位于所述腔室的顶部，所述镀膜单元位于所述腔室的底部。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例提供的镀膜装置中，在腔室内设置镀膜单元和加热退火单元，利用该装置可以在第一膜层上设置保护膜层，该保护膜层的材料的沸点比较高，因而在一定高温下比第一膜层稳定，可以将第一膜层保护起来，并且可以对保护膜层进行退火处理，以保证其致密性，在高于第一膜层的材料的沸点的结晶温度下溅射第二膜层的时候，该保护膜层就可以阻止第一膜层的材料蒸发出来污染第二膜层，保证了第二膜层的成膜质量。该方案中，由于可以在同一设备中实现第一膜层的保护膜层和第二膜层镀膜、退火一体化，可以减少搬运过程，简化了工艺，也减少了其它杂质对第二膜层的污染，进一步保证了成膜质量。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种显示基板的制作方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种显示基板的结构示意图；图3a～图3d为本专利技术实施例提供的一种显示基板的制作过程中的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种镀膜装置示意图；图5为本专利技术实施例提供的另一种镀膜装置示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种加热退火单元的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种加热退火单元的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术提供的一种显示基板、其制作方法、显示面板及镀膜装置进行更详细地说明。本专利技术实施例提供一种显示基板的制作方法，如图1所示，该方法至少包括如下步骤：步骤110、在形成有第一膜层的衬底基板上溅射保护膜层，保护膜层的结晶温度低于第一膜层的材料的沸点。步骤120、在形成有保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层，第二膜层的结晶温度高于第一膜层的材料的沸点；其中，第二膜层的材料的沸点高于第一膜层的材料的沸点，保护膜层的材料的沸点不低于第二膜层的材料的沸点。本专利技术实施例中，由于在第一膜层上设置保护膜层，该保护膜层的材料的沸点比较高，因而在一定高温下比第一膜层稳定，可以将第一膜层保护起来，在高于第一膜层的材料的沸点的结晶温度下溅射第二膜层的时候，该保护膜层就可以阻止第一膜层的材料蒸发出来污染第二膜层，保证了第二膜层的成膜质量。其中，第一膜层和第二膜层的具体结构有多种，例如，在有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode，OLED)显示面板中，第一膜层可以为有机发光层，第二膜层可以是阴极电极层，再例如，在液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)显示面板中，在彩膜基板上，第一膜层可以为色阻层，第二膜层可以为透明电极层，此处不再对其它可能的结构一一列举。下面以第一膜层为色阻层，第二膜层为透明电极层这一结构为例进行具体说明。较佳地，第一膜层为色阻层；第二膜层为透明电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上溅射保护膜层，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层，所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；其中，所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点不低于所述第二膜层的材料的沸点。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上溅射保护膜层，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层，所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；其中，所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点不低于所述第二膜层的材料的沸点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一膜层为色阻层；所述第二膜层为透明电极层；所述保护膜层的材料为透明导电材料。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成有所述保护膜层的衬底基板上溅射第二膜层之前，该方法还包括：采用高于所述保护膜层的结晶温度的退火温度对所述保护膜层进行退火处理。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述保护膜层的材料与所述第二膜层的材料相同。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述色阻层的材料为二苯甲酮亚胺；所述透明电极层的材料为氧化铟锡ITO；所述保护膜层的材料为ITO；所述保护膜层的结晶温度的范围为100摄氏度～150摄氏度；所述第二膜层的结晶温度的范围为200摄氏度～250摄氏度；所述退火温度的范围为200摄氏度～250摄氏度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述保护膜层的结晶温度为130摄氏度；所述第二膜层的结晶温度为230摄氏度；所述退火温度为230摄氏度。7.一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，在衬底基板上依次层叠的第一膜层、保护膜层和第二膜层；其中，所述保护膜层的结晶温度低于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的结晶温度高于所述第一膜层的材料的沸点；所述第二膜层的材料的沸点高于所述第一膜层的材料的沸点，所述保护膜层的材料的沸点...

【专利技术属性】
技术研发人员：井杨坤，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34