一种线性像素界定层结构及其制备方法技术

一种线性像素界定层结构的制备方法，包括如下步骤：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，形成像素墙和像素限定区；C.进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态。本发明专利技术通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层，其像素限定区具有亲液性，有利于溶液的铺展，像素墙具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂，可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种线性像素界定层结构及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管OLED(Organic light emitting diode)是一种有机薄膜电致发光器件，为了进行彩色显示，需要将OLED彩色化。彩色化效果最好的是并排排列(side-by-side)的方式。并排排列是在一个像素范围内有红绿蓝三个子像素，每个像素是独立发光单元。可以利用喷墨打印将溶液精确打印到像素区，形成发光层。但是由于打印形成的液滴与像素结构处于同一尺寸量级，为了保证打印的精准性避免溶液溢到相邻像素结构，目前倾向采用像素界定层。现有技术中，像素界定层由两层组成，第一层(下层)由亲液材料组成，第二层(上层)由疏液材料组成，一般都是通过光刻的方法制备，制备过程复杂，材料利用率低。因此，针对现有技术不足，提供一种制备工艺简单、用材较少的线性像素界定层结构的制备方法以克服现有技术不足甚为必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于避免现有技术的不足之处而提供一种线性像素界定层结构及其的制备方法，该线性像素界定层结构的制备方法具有工艺简单、用材较少的特点。本专利技术的上述目的通过如下技术手段实现。提供一种线性像素界定层结构的制备方法，包括如下步骤：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区；C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态，得到线性像素界定层结构。。优选的，上述步骤A中具体采用旋涂法沉积绝缘层。优选的，上述步骤A中的绝缘层的材料为cytop。优选的，上述步骤B在绝缘层表面具体采用喷墨打印的方法打印溶剂。优选的，上述步骤D中的热处理的温度不低于180摄氏度，热处理时间不少于5分钟。优选的，上述步骤D中的热处理的温度为190至350摄氏度，热处理时间为6至20分钟。优选的，上述步骤D中的热处理的温度为200至300摄氏度，热处理时间为6至10分钟。优选的，上述步骤D中的热处理的温度为249摄氏度，热处理时间为7.8分钟。优选的，上述步骤A中的基板为ITO或者玻璃或者聚合物薄膜。本专利技术同时提供一种线性像素界定层结构，通过上述方法制备而成。本专利技术的线性像素界定层结构的制备方法，包括如下步骤：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区；C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态。本专利技术通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层，其像素限定区具有亲液性，有利于溶液的铺展，像素墙具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂，可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。综上所述，本专利技术的线性像素界定层结构的制备方法具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。附图说明利用附图对本专利技术作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本专利技术的任何限制。图1是本专利技术一种线性像素界定层结构的制备方法所制备的像素结构的示意图。图2是通过本专利技术的方法打印的单独线性结构的示意图。图3是通过本专利技术的方法打印的连续像素结构的示意图。具体实施方式结合以下实施例对本专利技术作进一步描述。实施例1。一种线性像素界定层结构的制备方法，通过如下步骤进行：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层。步骤A中具体采用旋涂法沉积绝缘层，绝缘层的材料为cytop。基板可为ITO或者玻璃或者聚合物薄膜或者其他基板。B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区。图1是打印的相熟结构的示意图，像素结构呈U型，像素限定区1、2有极少的绝缘材料残留，3为所形成的像素墙。具体可以采用喷墨打印的方法打印溶剂，通过调整打印液滴间距，可以得到需要的点阵、线性像素结构，不同的液滴间距可以得到不同尺寸的线性结构，图2、图3为两种结构的示意图。C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态。D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态，得到线性像素界定层结构。步骤D中的热处理的温度不低于180摄氏度，热处理时间不少于5分钟。本专利技术通过在基板表面旋涂疏液性的绝缘层，在绝缘层表面打印溶剂，可以得到点阵或者线性像素结构，此结构包括像素限定区和像素墙，通过O2plasma处理，可以将像素限定区残留的绝缘材料打掉，再经过热处理，使绝缘材料恢复疏水性，进而得到所需的像素结构。本专利技术通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层，其像素限定区具有亲液性，有利于溶液的铺展，像素墙具有疏液性，可以防止溶液溢出，且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂，可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。综上所述，本专利技术的线性像素界定层结构的制备方法具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。实施例2。一种线性像素界定层结构的制备方法，其它特征与实施例1相同该，不同之处在于：本实施例中步骤D中的热处理的温度为190至350摄氏度，热处理时间为6至20分钟。实践发现，该热处理所制备的线性像素界定层结构性能较好。实施例3。一种线性像素界定层结构的制备方法，其它特征与实施例1相同该，不同之处在于：本实施例中步骤D中的热处理的温度为200至300摄氏度，热处理时间为6至10分钟。该工艺制备效果较好。实施例4。一种线性像素界定层结构的制备方法，其它特征与实施例1相同该，不同之处在于：本实施例中步骤D中的热处理的温度为249摄氏度，热处理时间为7.8分钟。该工艺具有制备简单、所制备的线性像素界定层溶液的铺展容易，能够防止溶液溢出，节省溶液的用量。最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案而非对本专利技术保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本专利技术作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本专利技术的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本专利技术技术方案的实质和范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，通过如下步骤进行：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区；C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态，得到线性像素界定层结构。

【技术特征摘要】
1.一种线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，通过如下步骤进行：A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层；B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂，打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙，由像素墙围成对应的像素限定区；C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理，将像素限定区内残留的绝缘层除掉，此时整体结构呈亲液状态；D.将步骤C形成的结构进行热处理，使得绝缘材料部分恢复疏液性，像素限定区保持亲液状态，得到线性像素界定层结构。2.根据权利要求1所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A中具体采用旋涂法沉积绝缘层。3.根据权利要求2所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A中的绝缘层的材料为cytop。4.根据权利要求3所述的线性像素界定层结构的制备方法，其特征在于：所述步骤B在绝缘层表面具体采用喷墨打印的方法打印溶剂。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王坚，王娟红，刘会敏，彭俊彪，曹镛，宋晨，郑华，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44