一种过压欠压指示电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极。本实用新型专利技术过压欠压指示电路，采用多个单向可控硅配合三极管以及继电器进行控制，有效对输入端Vi电压进行过压欠压指示，而且继电器J1和J2的存在能保证两个单向可控硅不能同时导通，稳定性高。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种指示电路，具体是一种过压欠压指示电路。
技术介绍
随着现在电气设备的普及，给工农业生产、国防事业、科技带来了革命性的变化，加快了社会的发展，人们步入了电气化时代，也使人们的生活质量得到了大幅度的提高，也越来越离不开这些电器设备。随着科技的发展，电器设备的精度也逐渐提高，发生了翻天覆地的变化，但是如何保护好这些电器设备的不受外界的干扰，成了当今科技发展关注的主要问题。目前我国的电网正在普及，庞大的电网系统给了我们许多方便。但是随着接入电网的用户增多，和用户电器的多样化，也造成了电网电压的不稳定，忽高忽低的电压，也成了损坏电器设备的主要因素。如何在电压变化较大时保护好用电设备，成了人们现在研究的一个方向，而要对电压进行监测，就不可避免的需要对电压进行采样检测，目前电压采样检测的手段非常多元化，很多手段都是采用专用的集成芯片对电压进行采样显示，成本较高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种过压欠压指示电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向可控硅VS1的K极连接继电器J1触点J1-1，继电器J1触点J1-1另一端连接发光二极管LED1正极，发光二极管LED1负极连接发光二极管LED2负极并接地，广二极管LED2正极通过继电器J1线圈连接单向可控硅VS2的K极。作为本技术进一步的方案：所述单向可控硅VS1和VS2均采用TL431。作为本技术进一步的方案：所述二极管D1为稳压二极管。作为本技术进一步的方案：所述继电器J1触点J1-1和继电器J2触点J2-1均为常闭触点。作为本技术再进一步的方案：所述输入端Vi为电压采样端。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术过压欠压指示电路，采用多个单向可控硅配合三极管以及继电器进行控制，有效对输入端Vi电压进行过压欠压指示，而且继电器J1和J2的存在能保证两个单向可控硅不能同时导通，稳定性高。附图说明图1为过压欠压指示电路的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向可控硅VS1的K极连接继电器J1触点J1-1，继电器J1触点J1-1另一端连接发光二极管LED1正极，发光二极管LED1负极连接发光二极管LED2负极并接地，广二极管LED2正极通过继电器J1线圈连接单向可控硅VS2的K极；所述单向可控硅VS1和VS2均采用TL431；所述二极管D1为稳压二极管；所述继电器J1触点J1-1和继电器J2触点J2-1均为常闭触点；所述输入端Vi为电压采样端。请参阅图1，当输入端Vi电压信号大于稳压二极管D1的稳压值时，稳压二极管D1导通，三极管VT2导通，三极管VT1截止，通过电容C1给单向可控硅VS1一个触发信号，单向可控硅VS1导通，发光二极管LED1点亮，同时继电器J2动作，使J2-1触点断开；当输入端Vi电压信号小于稳压二极管D1的稳压值时，稳压二极管D1截止，三极管VT1导通，三极管VT2截止，通过电容C2给单向可控硅VS2一个触发信号，单向可控硅VS2导通，发光二极管LED2点亮，同时继电器J1动作，使J1-1触点断开；加入两个继电器J1和J2是由于单向可控硅VS的关断特性决定的，由于单向可控硅能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断，所以，加入继电器J1和J2能够保证VS1和VS2能够不同时导通。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，其特征在于，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2‑1，继电器J2触点J2‑1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向可控硅VS1的K极连接继电器J1触点J1‑1，继电器J1触点J1‑1另一端连接发光二极管LED1正极，发光二极管LED1负极连接发光二极管LED2负极并接地，广二极管LED2正极通过继电器J1线圈连接单向可控硅VS2的K极。

【技术特征摘要】
1.一种过压欠压指示电路，包括二极管D1、电阻R1、三极管VT1、电容C1、电容C2、单向可控硅VS1和单向可控硅VS2，其特征在于，所述二极管D1负极分别连接输入端Vi、三极管VT1发射极和电阻R3，二极管D1正极分别连接电阻R1和电阻R2，电阻R2另一端分别连接三极管VT1基极和三极管VT2基极，三极管VT1集电极通过电容C2连接单向可控硅VS2的G极，单向可控硅VS2的A极连接继电器J2触点J2-1，继电器J2触点J2-1另一端分别连接三极管VT2发射极和电容C1，电容C1另一端连接单向可控硅VS1的G极，单向可控硅VS1的A极连接继电器J2线圈，继电器J2线圈另一端连接电阻R1另一端，单向...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯飞燕，
申请(专利权)人：南安泰达工业设计有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35