【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术,具体涉及一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法。
技术介绍
现有技术的N型MOS管的结构如图1所示,包括硅衬底11,硅衬底11之上有经N型掺杂的源极121、漏极122,源极121和漏极122的正上方设置有钛硅化物13,多晶硅栅15位于源极121和漏极122之间,多晶硅栅15和硅衬底11之间设置有一层氧化硅隔离层14,多晶硅栅15之上生长有钛多晶硅化物17,多晶硅栅15的两侧生长有侧墙16。现有技术中的此种结构,多晶硅栅15的下底面为水平状,此种结构,源极121和漏极122之间导通时的条件是在多晶硅栅15之上增加栅极电压,多晶硅栅15的尺寸越小,栅极所加电压越小,则电压控制的灵敏度减小。而多晶硅栅的尺寸越大,栅极所加电压越大,则电压控制的灵敏度增大。但是根据半导体制造技术的一般趋势,栅极尺寸必然越来越小,怎样生长一种可解决电压控制的灵敏度不变小的结构,是现有技术的一个问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术公开了一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法。本专利技术的技术方案如下:一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法,包括以下步骤:步骤1、在硅片上注入硼离子以形成p阱;步骤2、在p阱之上沉积一层厚度为150nm的隔离氧化层,,之后再隔离氧化层之上生长一层氮化硅;之后使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽;步骤3、使用化学气相沉积的方式,在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽;步骤4、使用化学机械抛光的方式,对步骤3所沉积的氧化硅进行抛光;步骤5、将硅片进入热磷酸槽以去除氮化硅;步骤6、在多 ...
【技术保护点】
一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在硅片上注入硼离子以形成p阱;步骤2、在p阱之上沉积一层厚度为150nm的隔离氧化层,,之后再隔离氧化层之上生长一层氮化硅;之后使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽;步骤3、使用化学气相沉积的方式,在隔离区上淀积氧化硅填充隔离槽;步骤4、使用化学机械抛光的方式,对步骤3所沉积的氧化硅进行抛光;步骤5、将硅片进入热磷酸槽以去除氮化硅;步骤6、在多晶硅栅的下凹槽处生长多晶硅栅;步骤7、在多晶硅栅之上沉积100nm厚度的二氧化硅,并进行刻蚀,形成侧墙。步骤8、注入坤离子,以形成源极和漏极。
【技术特征摘要】
1.一种生长多晶硅栅过分刻蚀的N型MOS管结构的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在硅片上注入硼离子以形成p阱;步骤2、在p阱之上沉积一层厚度为150nm的隔离氧化层,,之后再隔离氧化层之上生长一层氮化硅;之后使用干法例子刻蚀机刻蚀隔离槽与多晶硅栅处的下凹槽;步骤3、使用化学气相沉积的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕耀安,
申请(专利权)人:无锡宏纳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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