【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及可配置的IO数据采集卡
,特别涉及一种基于CPLD的IO数据采集卡及其数据采集方法。
技术介绍
IO采集卡可对现场数据进行采集和控制,在实际应用中发挥着举足轻重的作用。现有的IO采集卡只能单一的采集5V或者24V的信号,目前市场上,暂时没有可以兼容采集5V和24V信号的IO采集卡。CPLD(Complex Programmable Logic Device)是一种复杂可编程逻辑器件,具有编程灵活、集成度高、设计制造成本低的特点。CPLD具有较大的时间可预测性。CPLD是并行运行的,用于IO数据采集,能极大提高采集速度。目前,市场上还没有一种基于CPLD的IO数据采集卡。
技术实现思路
为了克服现有技术中的不足,本专利技术提供一种基于CPLD的IO数据采集卡及其数据采集方法,采用CPLD作为主控芯片,极大地提高了数据的处理和传输速度,采集系统集成度高,资源利用充分。本专利技术实现上述目的所采用的技术方案如下:本专利技术公开了一种基于CPLD的I/O数据采集卡,用于数据采集和/或数据输出,包括CPLD模块、数据采集模块、数据输出模块、隔离模块、IO接线端子和SPI总线接口,其中:数据采集模式:所述IO接线端子采集外部数字信号,并传输至所述数据采集模块;所述数据采集模块兼容5V和24V的数字信号,并将此数字信号传输给所述CPLD模块;所述CPLD模块采集所述数据采集模块传送过来的数字信号并进行整合和处理后,传输至所述隔离模块;所述隔离模块将所述数字信号电气隔离后,经所述SPI总线接口上传至上位机;数据输出模式:所述SPI总线接口接收上位机下发的 ...
【技术保护点】
一种基于CPLD的IO数据采集卡,用于数据采集和/或数据输出,其特征在于,包括CPLD模块、数据采集模块、数据输出模块、隔离模块、IO接线端子和SPI总线接口,其中:数据采集模式:所述IO接线端子采集外部数字信号,并传输至所述数据采集模块;所述数据采集模块兼容5V和24V的数字信号,并将此数字信号传输给所述CPLD模块;所述CPLD模块采集所述数据采集模块传送过来的数字信号并进行整合和处理后,传输至所述隔离模块;所述隔离模块将所述数字信号电气隔离后,经所述SPI总线接口上传至上位机;数据输出模式:所述SPI总线接口接收上位机下发的数字信号,并传输至所述隔离模块;所述隔离模块将此数字信号电气隔离后,发送给所述CPLD模块;所述CPLD模块将所述经电气隔离后的数字信号进行验证和处理后,传输至所述数字输出模块,并经所述数字输出模块输出至所述IO接线端子。
【技术特征摘要】
1.一种基于CPLD的IO数据采集卡,用于数据采集和/或数据输出,其特征在于,包括CPLD模块、数据采集模块、数据输出模块、隔离模块、IO接线端子和SPI总线接口,其中:数据采集模式:所述IO接线端子采集外部数字信号,并传输至所述数据采集模块;所述数据采集模块兼容5V和24V的数字信号,并将此数字信号传输给所述CPLD模块;所述CPLD模块采集所述数据采集模块传送过来的数字信号并进行整合和处理后,传输至所述隔离模块;所述隔离模块将所述数字信号电气隔离后,经所述SPI总线接口上传至上位机;数据输出模式:所述SPI总线接口接收上位机下发的数字信号,并传输至所述隔离模块;所述隔离模块将此数字信号电气隔离后,发送给所述CPLD模块;所述CPLD模块将所述经电气隔离后的数字信号进行验证和处理后,传输至所述数字输出模块,并经所述数字输出模块输出至所述IO接线端子。2.根据权利要求1所述的一种基于CPLD的IO数据采集卡,其特征在于,所述CPLD模块内部集成了IO配置单元、IO输入单元、IO输出单元、数据处理单元和数据传输单元,其中:所述IO配置单元的输出端连接所述IO输入单元的输入端,用于配置所述IO数据采集卡中数字信号的输入和输出;所述IO输入单元的输出端连接所述数据处理单元的输入端,用于采集所述IO配置单元中的数字信号;所述数据处理单元与所述数据传输单元双向连接,所述数据处理单元的输出端还连接所述IO输出单元的输入端,用于对从所述IO输入单元获得的数字信号进行处理、验证和校验;所述IO输出单元的输出端连接所述IO配置单元的输入端,用于输出数字信号至所述IO配置单元。3.根据权利要求1或2所述的一种基于CPLD的IO数据采集卡,其特征在于,还包括一电源模块,所述电源模块与所述CPLD模块连接,用于提供所述CPLD模块的工作电源。4.根据权利要求1所述的一种基于CPLD的IO数据采集卡,其特征在于,所述数据采集模块为一数据采集电路,所述数据采集电路包括电阻R1、R2、R3和R4,以及金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,所述电阻R1、R2和R3的一端共接,所述电阻R1的另一端连接5V/24V输入端,所述电阻R2的另一端接地GND,所述电阻R3的另一端接所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的栅极G,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的源极S接地GND,所述金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的漏极D同时连接电阻R4和输出端,所述电阻R4的另一端连接电源电压VCC。5.根据权利要求4所述的一种基于CPLD的IO数据采集卡,其特征在于,所述电阻R1和R2的阻值相同,所述电阻R4的阻值大于10K,所述金属-氧化物半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员:冀宝霖,赵怀林,陈胜,华容,
申请(专利权)人:上海应用技术学院,
类型:发明
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。