液晶显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种显示装置。所述显示装置包括：TFT阵列基板；在TFT阵列基板上的柱状间隔物；以及位于柱状间隔物下的不透光材料层，所述不透光材料层接触柱状间隔物的下表面，并且由具有与所述柱状间隔物不同折射率的不透光材料形成。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年4月30日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2015-0061170号的优先权，其公开内容通过引用并入本文中。
本公开涉及液晶显示装置和其中所使用的柱状间隔物结构。
技术介绍
液晶显示(LCD)装置具有高对比度和低功耗，并且适于显示动态图像。因此，已被应用于各种领域例如膝上型计算机、监视器和TV。液晶具有薄且长的液晶分子。另外，液晶在取向和偏振方面表现出具有方向性的光学各向异性：当液晶处于电场中时，液晶的取向可以根据电场的强度进行变化。因此，LCD装置利用液晶的光学各向异性和偏振实现了图像。一般地，LCD装置包括通过接合两个面对基板以及在两个面对基板之间设置液晶层而制造的液晶面板。在两个基板的内表面上形成有电极。施加至电极的电场引起液晶分子取向的变化，因此引起透光率的变化。由于液晶面板的透光率的差异，所以允许由置于液晶面板的背面上的背光单元提供的光通过。通过当由背光单元提供的光穿过滤色器时实现的颜色组合显示为彩色图像。一般地，LCD装置制造工艺可以分为基板制造工艺、盒工艺和模块工艺。基板制造工艺是用于单独制造阵列基板和滤色器基板的工艺。盒工艺是用于完成液晶面板的工艺。另外，模块工艺是用于集成液晶面板和背光单元的工艺。具体地，在基板制造工艺中，在每个基板上多次重复薄膜沉积、光刻、蚀刻等以实现薄膜晶体管(TFT)阵列层和滤色层。在盒工艺中，在TFT阵列基板和滤色器基板中的任意一者上形成用于接合的密封图案，并且使
两个基板彼此面对接合，两个基板之间置入有液晶层以完成液晶面板。在模块工艺中，将已完成的液晶面板接合至偏振板、驱动电路等，并且然后与背光单元集成以完成LCD装置。同时，在TFT阵列基板与滤色器基板之间置有间隔物以保持TFT阵列基板与滤色器基板之间的恒定间隙。间隔物根据其形状和放置方法可以分类为球状间隔物和柱状间隔物。球状间隔物散布在阵列基板或滤色器基板上，柱状间隔物通过图案化形成在阵列基板或滤色器基板上。近来，能够在特定位置处形成为期望形状的柱状间隔物已得到广泛应用。
技术实现思路
本公开的一个目的是提供柱状间隔物和使用柱状间隔物的液晶显示装置。更具体地，本公开的目的是提供如下柱状间隔物结构：其包括下表面上不透光的材料，因此能够确保利用光测量高度的精确性。另外，本公开的另一目的是提供通过使用具有特定结构的柱状间隔物制造的液晶显示装置。根据本公开的一个方面，提供一种液晶显示装置。所述液晶显示装置包括：TFT阵列基板；在TFT阵列基板上的柱状间隔物；以及位于柱状间隔物下的不透光材料层，所述不透光材料层接触柱状间隔物的下表面，并且由具有与所述柱状间隔物不同折射率的不透光材料形成。根据本公开的另一方面，提供一种液晶显示装置。所述液晶显示装置包括：一对基板；以及位于所述一对基板中的一个上的柱状间隔物。在柱状间隔物阵列中的所有的柱状间隔物配置为保持所述一对基板之间的间隙。柱状间隔物阵列中的至少一些柱状间隔物可以包括具有不同的折射率的上端面和下端面以测量其高度。根据本公开的示例性实施方案，在柱状间隔物的下端部分采用特定结构。因此，能够精确地测量柱状间隔物的高度。因此，能够提高液晶显示装置制造工艺的精确性，并且能够减小产品的缺陷率。另外，通过应用上述柱状间隔物和制造工艺，能够减小根据示例性实施方案的液晶显示装置的质量变化。附图说明根据结合附图的以下详细描述，本公开的上述和其他的方面、特征和其他的优点将更清楚地理解，在附图中：图1是根据本公开一个示例性实施方案的液晶显示装置的示意性平面图；图2是根据本公开一个示例性实施方案的液晶显示装置的示意性截面图；图3是根据本公开另一示例性实施方案的液晶显示装置的示意性截面图；图4A和图4B是根据本公开一个示例性实施方案的柱状间隔物的高度的测量的概念图；图5A和图5B是示出根据本公开一个示例性实施方案的柱状间隔物的周围的平面图和截面图。具体实施方式在描述本公开的部件时，可以使用术语例如第一、第二、A、B、(a)和(b)。这些术语仅用于区分该部件与另一部件。因此，对应的部件的性能、顺序、次序等不受限于这些术语。应当理解的是，当元件被称为“连接至”或“耦接至”另一元件时，其可以直接连接至或直接耦接至另一元件，或者连接至或耦接至另一元件，其间仍然具有另一元件“插入”或“连接”或“耦接”他们。当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，可以存在插入元件或层。由于附图中示出的各个部件的尺寸和厚度是为了方便说明而表示的，所以本公开不必受限于各个部件所示出的尺寸和厚度。本公开的各个实施方案的特征可以部分地或整体地彼此接合或组合，并且本领域技术人员可以通过各种技术方式进行联锁和操作，并且实施方案可以单独或彼此相关联地进行。下文中，将参照附图对本公开的各种示例性实施方案进行详细描述。图1是根据本公开一个示例性实施方案的液晶显示装置的示意性平面图。图2是根据本公开一个示例性实施方案的液晶显示装置的示意性截面图。参考图1和图2，液晶显示(LCD)装置100包括：第一基板(TFT阵列基板)110、第二基板(滤色器基板)115、薄膜晶体管(TFT)130、
平坦化层122和平坦化层123、公共电极140、像素电极150、柱状间隔物160、不透光材料层170、黑矩阵180等。为了方便说明，图1仅示出了LCD装置100的一些元件。第一基板110是LCD装置100的阵列基板，并且包括多个像素和像素驱动元件(晶体管、电容器等)。多个像素可以通过相互交叉的栅极线GL和数据线DL来限定。在LCD装置100中，N条栅极线GL和M条数据线DL相互交叉并且存在N×M个像素。然而，为了方便说明，图1仅示出了两个红色像素R、两个绿色像素G和两个蓝色像素B。参考图1，在平面上多个像素被依次限定为绿色像素G、蓝色像素B和红色像素R。在第一基板110上形成有TFT 130。TFT 130设置为对应于像素R、像素G和像素B中的每一个。每个TFT 130包括栅电极131、有源层132、源电极133和漏电极134。具体地，在第一基板110上形成有电连接至栅极线GL的栅电极131，并且在栅电极131上形成有栅极绝缘层121。在栅极绝缘层121上形成有包括沟道的有源层132。另外，在有源层132上形成有电连接至数据线DL的漏电极134和电连接至像素电极150的源电极133。有源层132可以由非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等形成。第一平坦化层122形成为覆盖第一基板110上的TFT 130。第一平坦化层122使在其上形成有TFT 130的第一基板110的上部平坦化。第一平坦化层122可以由具有低介电常数的有机绝缘材料例如光丙烯酸类物质形成。尽管在图2中未示出，但是在TFT 130上还可以形成有附加的钝化层，并且第一平坦化层122可以形成在钝化层上。在第一平坦化层122上形成有公共电极140。公共电极140是用于驱动液晶层的电极。公共电极140在除了形成有用于将像素电极150电连接至TFT 130的源电极133的接触孔的区域之外的区域中形成为单个图案。尽管在图1和图2中未示出，但是公共电极140可以通过单独的接触孔电连接至设置成与栅极线GL平行的公共线。在公共电极140上形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板；在所述TFT阵列基板上的柱状间隔物；以及位于所述柱状间隔物下的不透光材料层，所述不透光材料层接触所述柱状间隔物的下表面，并且由具有与所述柱状间隔物不同折射率的不透光材料形成。

【技术特征摘要】
2015.04.30 KR 10-2015-00611701.一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板；在所述TFT阵列基板上的柱状间隔物；以及位于所述柱状间隔物下的不透光材料层，所述不透光材料层接触所述柱状间隔物的下表面，并且由具有与所述柱状间隔物不同折射率的不透光材料形成。2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述不透光材料层配置为反射从面对柱状间隔物的上表面的方向入射到柱状间隔物中的光。3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述不透光材料层具有足以以预定比率或更大比率反射入射光的厚度。4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述不透光材料层由金属材料形成。5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述不透光材料层位于平坦化层上，以及所述平坦化层使设置在所述TFT阵列基板上的TFT的上部平坦化。6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括：滤色器基板，在所述滤色器...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴正焕，郑埙，曹硕镐，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR