一种背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第一本发明专利技术的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜等。第二本发明专利技术的目的在于，提供将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜等。第一本发明专利技术涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜等。背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。第二本发明专利技术涉及波长555nm的总透光率为3％以上的背面保护薄膜等。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及背面保护薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。
技术介绍
近年来，广泛利用在基板上通过倒装芯片接合而安装有半导体芯片等半导体元件的倒装芯片型半导体装置。倒装芯片型的半导体装置中，为了防止半导体元件的损伤等，有时在半导体元件的背面设置背面保护薄膜。通常，为了能够目视识别用激光印刷的标识(以下称为“激光标识”)，背面保护薄膜进行了着色(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特许4762959号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于背面保护薄膜进行了着色，因此将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后难以检测半导体晶片的缺口。另外，通过将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴，有时发生背面保护薄膜的露出。第一本专利技术的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的背面保护薄膜和薄膜。第一本专利技术的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口且能够防止背面保护薄膜露出的半导
体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。第二本专利技术的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的背面保护薄膜和薄膜。第二本专利技术的目的在于，提供在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。用于解决问题的方案第一本专利技术涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜。背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，背面保护薄膜上设置有缺口。通过使背面保护薄膜的外周小于半导体晶片的外周，能够防止背面保护薄膜的露出。由于背面保护薄膜上设置有缺口，因此在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。第一本专利技术还涉及薄膜，其包括：隔离膜和配置在隔离膜上的背面保护薄膜。薄膜优选呈现卷状。第一本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序。将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序优选为通过将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴而形成层叠板的工序。层叠板包括半导体晶片和与半导体晶片的背面接触的背面保护薄膜。将背面保护薄膜配置于面前并从垂直于半导体晶片的方向观察层叠板时，有时背面保护薄膜的缺口呈现与设置于半导体晶片的缺口的一部分轮廓重合的轮廓。将背面保护薄膜配置于面前并从垂直于半导体晶片的方向观察层叠板时，有时设置于半导体晶片的缺口的轮廓与背面保护薄膜的缺口的轮廓相比位于半导体晶片的半径方向的外侧。第一本专利技术还涉及保护芯片的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序。保护芯片包括半导体元件和配置在半导体元件的背面上的保护膜。本专利技术人发现：通过提高背面保护薄膜的波长555nm的总透光率，在将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口，从而完成了第二本专利技术。第二本专利技术涉及用于粘贴在半导体晶片背面的背面保护薄膜。背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。通过为3％以上，将背面保护薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口。第二本专利技术还涉及薄膜，其包括：隔离膜和配置在隔离膜上的背面保护薄膜。第二本专利技术还涉及半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序。第二本专利技术还涉及保护芯片的制造方法，其包括将半导体晶片和背面保护薄膜进行粘贴的工序。保护芯片包括半导体元件和配置在半导体元件背面上的保护膜。附图说明图1是实施方式1中的薄膜的概略俯视图。图2是薄膜的一部分的概略截面图。图3是背面保护薄膜的概略俯视图。图4是半导体晶片的概略俯视图。图5是层叠板的概略俯视图。图6是半导体装置的制造工序的概略截面图。图7是半导体装置的制造工序的概略截面图。图8是半导体装置的制造工序的概略截面图。图9是变形例1中的层叠板的概略俯视图。图10是变形例2中的背面保护薄膜的概略俯视图。图11是变形例3中的背面保护薄膜的概略俯视图。图12是实施方式2中的薄膜的概略俯视图。图13是薄膜的一部分的概略截面图。图14是背面保护薄膜的概略俯视图。图15是层叠板的概略俯视图。图16是半导体装置的制造工序的概略截面图。图17是半导体装置的制造工序的概略截面图。图18是半导体装置的制造工序的概略截面图。附图标记说明1 薄膜12 隔离膜13 隔离膜111 背面保护薄膜101 缺口4 半导体晶片41 缺口7 层叠板17 切割带171 基材172 粘合剂层8 吸附基座41 半导体元件5 保护芯片6 被粘物51 凸块61 导电材料9 薄膜911 背面保护薄膜2 层叠板3 保护芯片具体实施方式以下列举出实施方式来详细说明本专利技术，但本专利技术不仅限定于这些实施方式。[实施方式1](半导体装置的制造方法/保护芯片5的制造方法)如图1和图2所示那样，薄膜1呈现卷状。薄膜1包括隔离膜12和配置在隔离膜12上的背面保护薄膜111a、111b、111c、……、111m(以下统称为“背面保护薄膜111”。)。薄膜1还包括配置在背面保护薄膜111上的隔离膜13。背面保护薄膜111可以用其与隔离膜12接触的第1面和位于第1面对侧的第2面来定义两个表面。第2面与隔离膜13接触。背面保护薄膜111a与背面保护薄膜111b之间的距离、背面保护薄膜111b与背面保护薄膜111c之间的距离、……背面保护薄膜111l与背面保护薄膜111m之间的距离是一定的。隔离膜13可以用其与卷芯接触的第1端和与第1端成对的第2端来定义两端。缺口101a、101b、101c、……、101m(以下统称为“缺口101”。)位于连结第1端与第2端的方向上的靠近第1端的一侧。通过位于靠近第1端的一侧，可容易地粘贴背面保护薄膜111和半导体晶片4。如图3所示那样，背面保护薄膜111呈现设置有缺口101的圆盘状。设置于背面保护薄膜111的缺口101的形状与缺口41的一部分形状相同。由于背面保护薄膜111上设置有缺口101，在将背面保护薄膜111与半导体晶
片4进行粘贴后能够检测半导体晶片4的缺口41。背面保护薄膜111的外周小于半导体晶片4的外周。由于背面保护薄膜111的外周小，因此能够防止背面保护薄膜111的露出。如图4所示那样，半导体晶片4上设置有缺口41。半导体晶片4可以用电路面和位于电路面对侧的背面(也称为非电路面、非电极形成面等)来定义两个表面。作为半导体晶片4，可适合地使用硅晶片。如图5所示那样，通过将背面保护薄膜111和半导体晶片4进行粘贴，从而形成层叠板7。具体而言，通过剥掉隔离膜13并将背面保护薄膜111和半导体晶片4进行粘贴，从而形成层叠板7。层叠板7包括半导体晶片4以及与半导体晶片4的背面接触的背面保护薄膜111。将背面保护薄膜111配置于面前并从垂直于半导体晶片4的方向观察层叠板7时，背面保护薄膜111的缺口101呈现与半导体晶片4的缺口41的一部分轮廓重合的轮廓。根据需要通过加热层叠板7而使背面保护薄膜111固化。加热温度可适当设定。通过用于本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种设置有缺口的背面保护薄膜，其用于粘贴在半导体晶片的背面，所述背面保护薄膜的外周小于所述半导体晶片的外周。
【技术特征摘要】
2015.04.30 JP 2015-0929831.一种设置有缺口的背面保护薄膜，其用于粘贴在半导体晶片的背面，所述背面保护薄膜的外周小于所述半导体晶片的外周。2.一种薄膜，其包括：隔离膜、以及配置在所述隔离膜上的权利要求1所述的背面保护薄膜。3.根据权利要求2所述的薄膜，其呈现卷状。4.一种半导体装置的制造方法，其包括将半导体晶片和外周小于所述半导体晶片的外周且设置有缺口的背面保护薄膜进行粘贴的工序。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进行粘贴的工序是通过将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进行粘贴而形成层叠板的工序，所述层叠板包括所述半导体晶片以及与所述半导体晶片的背面接触的所述背面保护薄膜，将所述背面保护薄膜配置于面前并从垂直于所述半导体晶片的方向进行观察时，所述层叠板呈现所述背面保护薄膜的所述缺口与设置于所述半导体晶片的缺口的一部分轮廓重合的轮廓。6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进行粘贴的工序是通过将所述半导体晶片和所述背面保护薄膜进...
【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，木村龙一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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