曝光装置及曝光方法制造方法及图纸

本发明专利技术使用带电粒子束使平台的移动误差降低而形成复杂且微细的图案。本发明专利技术提供一种曝光装置及曝光方法，该曝光装置具备：射束产生部，产生带电粒子束；平台部，搭载样品，并使该样品相对于射束产生部相对性地移动；检测部，对平台部的位置进行检测；预测部，基于平台部的检测位置而生成预测平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制部，基于预测驱动量而进行向样品照射带电粒子束的照射控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种曝光装置及曝光方法。
技术介绍
以往，已知有一种互补光刻法，利用使用电子束等带电粒子束的曝光技术对线宽为数十纳米左右的利用光学曝光技术而形成的单纯的线图案进行加工，由此形成微细的配线图案(例如，参照专利文献1及2)。另外，也已知有一种使用多个带电粒子束的多射束曝光技术(例如，参照专利文献3及4)。专利文献1：日本专利特开2013-16744号公报专利文献2：日本专利特开2013-157547号公报专利文献3：美国专利第7276714号说明书专利文献4：日本专利特开2013-93566号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]然而，在这种方法中，如果使用将多个带电粒子束照射至图案的多射束曝光技术，那么难以利用该多射束对以不同的线宽及不同的间距形成的线图案进行加工。另一方面，也存在仅对相同线宽且相同间距的单纯的线图案进行加工无法应对应制作的半导体装置的图案的情况，从而期待能对以不同的线宽及不同的间距形成的线图案进行加工的技术。另外，虽然较理想为使样品相对于带电粒子束以预先设定的相对速度而移动，但实际上会产生移动误差等，因此该移动误差成为曝光位置及曝光量的误差的因素。[解决问题的技术手段]在本专利技术的第1方式中提供一种曝光装置，具备：射束产生部，产生带电粒子束；平台部，搭载样品，并使该样品相对于射束产生部相对性地移动；检测部，对平台部的位置进行检测；预测部，基于平台部的检测位置，而生成预测平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制部，基于预测驱动量而进行向样品照射带电粒子束的照射控制。在本专利技术的第2方式中提供一种曝光方法，其是向样品照射带电粒子束的曝光方法，且具备：射束产生阶段，射束产生部产生带电粒子束；移动阶段，搭载有样品的平台部使该样品相对于射束产生部而相对性地移动；检测阶段，对平台部的位置进行检测；预测阶段，基于平台部的检测位置，而生成预测平台部的驱动量所得的预测驱动量；照射控制阶段，基于预测驱动量而进行向样品照射带电粒子束的照射控制；及偏向阶段，基于与预测驱动量对应的平台部的预测位置与检测位置的差量而使带电粒子束偏向。在本专利技术的第3方式中提供一种曝光方法，其是向样品照射带电粒子束的曝光方法，且包括：射束产生阶段，射束产生部产生带电粒子束；移动阶段，搭载有样品的平台部使该样品相对于射束产生部而相对性地移动；检测阶段，对平台部的位置进行检测，预测阶段，基于平台部的检测位置而生成预测平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制阶段，基于预测驱动量而进行向样品照射带电粒子束的照射控制；照射控制阶段基于平台部的移动速度与平台部的预测移动速度的差而控制带电粒子束的照射量。此外，上述专利技术的概要并未列举出本专利技术的全部特征。另外，这些特征群的子组合也可成为专利技术。附图说明图1表示本实施方式的曝光装置100的第1构成例。图2表示本实施方式的曝光装置100扫描阵列射束而形成在样品10的表面的一部分上的能够照射区域200的一例。图3表示本实施方式的曝光装置100的动作流程。图4表示应该形成在样品10上的切割图案的信息的一例。图5表示本实施方式的扫描控制部190将阵列射束的照射位置移动至图框的开始点的情况的一例。图6表示本实施方式的选择部160的一例。图7表示本实施方式的曝光控制部140向消隐电极64供给的控制信号的时序图的一例。图8表示形成在样品10的表面的线图案802的一例。图9表示形成在样品10的表面的配线图案900的一例。图10表示形成有不同的线宽及不同的线间隔的线图案的样品10的一例。图11表示使本实施方式的电子束的照射区域502与格栅800对应而配置的例子。图12表示本实施方式的照射控制部170所生成的调节切割图案的曝光量的控制信号的一例。图13表示执行图12所示的时序图所示的曝光量控制的选择部160的构成例。图14表示本实施方式的消隐部60的一例。图15表示本实施方式的曝光装置100的第2构成例。图16表示第2构成例中的扫描控制部190及预测部1000的一例。图17表示本实施方式的曝光装置100的动作流程的一部分的第1例。图18表示本实施方式的曝光装置100的动作流程的一部分的第2例。图19表示本实施方式的曝光装置100的动作流程的一部分的第3例。图20表示本实施方式的曝光装置100的变化例。[符号的说明]10 样品20 电子枪30 孔径板32 开口40 射束形状变形部50 孔径阵列52 开口60 消隐部62 开口62a 第1开口62b 第2开口64 消隐电极64a 第1消隐电极64b 第2消隐电极66 共用电极68 电极配线70 挡板72 开口80 偏向部90 外部存储部100 曝光装置110 平台部114 检测部120 圆柱部130 CPU132 总线140 曝光控制部150 存储部160 选择部162 数据转换电路164 射束选择电路166 经过时间运算电路168 曝光量调整电路170 照射控制部172 放大器180 偏向量决定部182 偏向部驱动电路190 扫描控制部192 平台驱动电路200 能够照射区域210 照射位置220 区域232 第1图框234 第2图框236 第3图框400 格栅402 线图案410 第1图案412、414、416、418本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置，其特征在于具备：射束产生部，产生带电粒子束；平台部，搭载样品，并使该样品相对于所述射束产生部相对性地移动；检测部，对所述平台部的位置进行检测；预测部，基于所述平台部的检测位置而生成预测所述平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制部，基于所述预测驱动量而进行对所述样品照射所述带电粒子束的照射控制。

【技术特征摘要】
2015.04.27 JP 2015-0904541.一种曝光装置，其特征在于具备：射束产生部，产生带电粒子束；平台部，搭载样品，并使该样品相对于所述射束产生部相对性地移动；检测部，对所述平台部的位置进行检测；预测部，基于所述平台部的检测位置而生成预测所述平台部的驱动量所得的预测驱动量；及照射控制部，基于所述预测驱动量而进行对所述样品照射所述带电粒子束的照射控制。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于具备偏向部，该偏向部基于与所述预测驱动量对应的所述平台部的预测位置和所述检测位置的差量而使所述带电粒子束偏向。3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于：所述预测部从所述平台部的多个所述检测位置计算出平均移动速度，并基于所述平台部的所述平均移动速度及所述检测部检测出所述平台部的位置之后的经过时间而生成所述预测驱动量。4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于：所述检测部依序检测出所述平台部的位置，且所述预测部依序计算出所述平台部的所述平均移动速度并对其进行更新。5.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于：每当所述预测位置达到预先设定的分界值时，所述预测部产生时间帧信号，且所述照射控制部基于所述时间帧信号之后的经过时间而决定该时间帧内的所述带电粒子束的照射时序。6.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于：所述偏向部基于使所述平台部的所述预测位置与所述检测位置的差量中未达预先设定的频率的频率成分减少的成分，而使所述带电粒子束偏向。7.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于：所述平台部基于检测位置而调节所述样品的移动，该检测位置是基于使对所述平台部的位置进行检测的检测信号中所述预先设定的频率以上的成分减少的检测信号。8.根据权利要求7所述的曝光装置，其特征在于：所述照射控制部基于对所述平台部的位置进行检测的检测信号的未达所述预先设定的频率的成分，而以将所述带电粒子束照射至所述样品的方式进行控制。9.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于：所述偏向部基于所述平台部的所述预测位置与所述检测位置的差量、及与预先设定的延迟时间对应的所述样品的移动位置而使所述带电粒子束偏向。10.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于：所述照射控制部基于所述平台部的移动速度与所述平台部的预测移动速度的差，而控制所述带电粒子束的照射。11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于：所述预测部从所述平台部的多个所述检测位置计算出平均移动速度，且所述照射控制部将所述预测部此次计算出的所述平台部的所述平均移动速...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田章夫，濑山雅裕，那须野秀树，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP