本发明专利技术涉及一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；属于农业技术领域。本发明专利技术根据菊花喜光和温暖湿润气候，适应性较强等特性，对菊花的营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段采用不同的光照条件，促进菊花生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。本发明专利技术通过光照条件与温度、湿度、施肥条件、通风条件的协同作用，在增加菊花的观赏性，使花朵更加饱满的同时缩短了培养周期，提高了经济效益。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；属于农业
技术背景近年来，世界花卉业以年平均25％的速度增长，远远超过世界经济增长的平均速度，成为世界上最具活力的产业之一。而产量位于四大切花之首的切花菊目前己发展成为国际商品花卉总产值中最高的花种。因其属多年生草本植物，味甘、性寒，常用于风热感冒、头痛眩晕、散风清热、清肝明目等，有较高的药用价值以及具有花型多样、色彩丰富、用途广泛、耐运耐贮、瓶插寿命长、繁殖栽培容易、成本低、等优点，综合国内外发展环境和其本身特点，使切花菊产业有广阔的发展前景。日本是世界第一大切花菊生产和消费园，年消费量为20---22亿枝。由于日本切花菊生产成本较高，国内生产在逐年萎缩，许多经销商将切花菊供应地逐年向发展中国家转移，为我国的切花菊产业带来经济效益。我国不仅是世界最大的花卉生产基地，同时也正在成为新兴的花卉消费市场。随着人们生活水平的提高，花卉正在受到越来越多的人们的青睐，赏花、养花、食花己成为许多人的爱好，我国的花卉产业地位在不断提升，切花菊种植带来的经济效益、社会效益和生态效益必将明显显现，在优化农业产业结构、促进城乡统筹发展、改善人民生活环境、提高人民生活质量等方面必将发挥出越来越重要的作用。根据研究表明，植物对光的吸收不是全波段的，而是有选择性的，当波长在400～700nm时，可用于光合作用，称为光合有效辐射，波长小于400nm的紫外光和700～800nm的远红光不能直接作用于光合作用，但可作为环境信号调节植物生长发育进程及代谢；波长大于800nm的光植物不能利用利用，多以热辐射的形式耗散。因此，对于像白炽灯等能耗大的连续波长(300～1500nm或更宽波长范围)发光的光源，植物对其光能利用率低。
技术实现思路
本专利技术采用一种可控制光照条件的LED灯作植物生长光源，协同控制温度、湿度、等植物基本生长条件的光型植物工厂。以实现菊花在短时间内大规模种植，有效的避免了季节，气候等自然因素对生长周期的影响。本专利技术重要通过控制菊花生长的光质、光强、光周期，从而控制菊花的生长时间，增加菊花的观赏性，使花朵更加饱满；缩短培养周期，加快生长提高其经济效益。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，从菊花萌芽开始，按菊花生长过程分为营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段；三个阶段采用不同的光照条件，促进菊花生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，菊花生长过程的营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段所采用的光源光谱发射峰数量为2个；第一个发射峰所处位置波长为410-470nm，发射峰半高宽为20-35nm，发射峰相对高度为0.9-1.0；第二个发射峰所处位置波长为560-760nm，发射峰半高宽为30-50nm，发射峰相对高度为0.46-0.84；光照强度70-80μmol/m2/s；每天光照时间：8-14h。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的光源光谱均包含两个发射峰；各阶段的光照参数分别为：营养生长期第一个发射峰为430-470nm，相对高度为1；半高宽为20-30nm；第二个发射峰为570-760nm，相对高度为0.55-0.75，半高宽为35-50nm；光照强度为79-85μmol/m2/s；每天光照时间：12-14h；感光期第一个发射为410-475nm，相对高度为1，半高宽为20-30nm；第二个发射峰为560-760nm，相对高度为0.46-0.66，半高宽为40-50nm；光照强度：70-75μmol/m2/s；每天光照时间：10-12h；花期第一个发射为420-460nm，相对高度为1，半高宽25-35nm；第二个发射峰为570-750nm，相对高度0.64-0.84，半高宽30-50nm；光照强度：79-85μmol/m2/s；每天光照时间：8-10h。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的划分为：营养生长期萌芽至花蕾形成前期；所述营养生长期结束时植株的株高为19.5-20.5cm、叶片数为6-10片。一般为25-30天。感光期从花芽开始发育到花芽不再受日照影响的这段时期称为感光期。所述感光期结束时植株的株高为37-39cm、叶片数为10-15片。一般为35-40天。花期从花蕾着色到凋谢。所述花期结束时植株的株高为44-36cm、叶片数为15-17片。一般为40-47天。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；整个种植周期一般为100-120天。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的光源均采用可调整光谱的LED植物生长灯。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的环境温度为：营养生长期的温度光照期间10℃-13℃、黑暗条件下16℃-20℃；感光期的温度光照期间15℃-20℃，黑暗条件下16℃-20℃；花期的温度光照期间13℃-17℃，黑暗条件下16℃-21℃。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的环境湿度为：营养生长期的平均湿度为65％-75％；感光期的平均湿度为80％-90％；花期的平均湿度为70％-85％。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的培养方式为：营养生长期采用营养液水培的方法；所述营养液中，Ca2+为168mg·L-1，Mg2+为48mg·L-1，Na2Fe-EDTA 30mg·L-1，H3BO32.86mg·L-1，MnSO4-4H2O2.13mg·L-1，ZnSO4·7H2O0.22mg·L-1，CuSO4·5H2O0.08mg·L-1，(NH4)6MO24·4H2O0.02mg·L-1。一般统一配置1000ml营养液，含Ca2+盐0.1680g，Mg2+0.0480g，Na2Fe-EDTA 0.0300g，H3BO30.0028g，MnSO4-4H2O0.0021g，ZnSO4·7H2O0.0002g，CuSO4·5H2O0.0008g，(NH4)6MO24·4H2O0.00002g。所述母液pH值为6.8。感光期：采用移栽的方式培养，其生长所需要肥料的pH值为5.92-6.03，所述肥料中有机质的含量为2.6-3.0g/kg，碱解氮的含量为21.4-22.0mg/kg，速效磷的含量为2.6-3.2mg/kg，速效钾的含量为60.7-70.0mg/kg。每10-12天施加少许肥料。大规模应用时，每桶装土9.0kg，并混入1.0kg石英砂改善通气状况，施10g白云石来调节土壤pH值和补充钙、镁营养。生长期：添加肥料含量与感光期相同，每12-15天施肥一次。本专利技术一种菊花在光型植物工厂中的种植方法；所述菊花为切花菊。优选为神马切花菊。原理和优势本专利技术在菊花不同的生长过程提供不同的光源，具体说明如下：营养生长期：菊花的苗期需要快速生长，使茎本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，其特征在于：从菊花萌芽开始，按菊花生长过程分为营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段；三个阶段采用不同的光照条件，促进菊花生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。
【技术特征摘要】
1.一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，其特征在于：从菊花萌芽开始，按菊花生长过程分为营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段；三个阶段采用不同的光照条件，促进菊花生长；所述光照条件包括：光源光谱发射峰数量、发射峰所处位置波长、半高宽、相对高度，光照强度，每天光照时间。2.根据权利要求1所述的一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，其特征在于：菊花生长过程的营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段所采用的光源光谱发射峰数量为2个；第一个发射峰所处位置波长为410-470nm，发射峰半高宽为20-35nm，发射峰相对高度为0.9-1.0；第二个发射峰所处位置波长为560-760nm，发射峰半高宽为30-50nm，发射峰相对高度为0.46-0.84；光照强度70-80μmol/m2/s；每天光照时间：8-14h。3.根据权利要求2所述的一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，其特征在于：菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的光源光谱均包含两个发射峰；各阶段的光照参数分别为：营养生长期第一个发射峰为430-470nm，相对高度为1；半高宽为20-30nm；第二个发射峰为570-760nm，相对高度为0.55-0.75，半高宽为35-50nm；光照强度为79-85μmol/m2/s；每天光照时间：12-14h；感光期第一个发射为410-475nm，相对高度为1，半高宽为20-30nm；第二个发射峰为560-760nm，相对高度为0.46-0.66，半高宽为40-50nm；光照强度：70-75μmol/m2/s；每天光照时间：10-12h；花期第一个发射为420-460nm，相对高度为1，半高宽25-35nm；第二个发射峰为570-750nm，相对高度0.64-0.84，半高宽30-50nm；光照强度：79-85μmol/m2/s；每天光照时间：8-10h。4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种菊花在光型植物工厂中的种植方法，其特征在于；菊花生长过程中营养生长期、生殖生长期和花期三个生长阶段的划分为：营养生长期萌芽至花蕾形成前期；所述营养生长期结束时植株的株高为19.5-20.5cm、叶片数为6-10片；感光期从花芽开始发育到花芽不再受日照影响的这段时期称为感光期。所述感光期结...
【专利技术属性】
技术研发人员：周智，朱雅雯，周南，刘晓颖，王变变，卢向阳，
申请(专利权)人：湖南农业大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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