【技术实现步骤摘要】
:本专利技术涉及一种在具有复杂曲面的基底外表面制备纳米多层膜的装置,特别是一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置。
技术介绍
:目前,通用的具有复杂曲面的玻璃工件外表面制备薄膜方式是物理真空蒸镀(PVD)。将SiO2,ZnS和TiO2或Nb2O5等固体颗粒物通过电子枪加热气化,真空腔体内放置有玻璃工件,气态化的低折射率SiO2、ZnS和高折射率Nb2O5或TiO2交替附着在玻璃表面,通过蒸发量控制膜层厚度并最终生成超过30层的薄膜。为了实现上述工艺,现有技术都是采用低压等离子化学气相沉积的方法,在复杂曲面的玻璃工件外表面制得纳米多层膜,对应工艺的装置包括有反应室01、抽气设备02、气体输送系统03、脉冲微波发生器04和辅助点火装置,抽气设备02和气体输送系统03与反应室01连通,脉冲微波发生器04向反应室01提供微波,辅助点火装置与脉冲微波结合使用,反应温度要求不需要太高,自由电子获得的能力不高,得到一层膜层后,不会被后续电子轰走,但目前装置配置的辅助点火装置中的等离子点火触头05是安装在反应室01上部的进气端部,在进气侧设置点火对于微波脉冲等离子体是有致命的缺点。由于反应气体在工件上方已混合在一起,在反应室01上方的区域触发点燃反应气体会导致气体之间反应。会有一部分反应气体在工件上方已经生产不必要反应物(例如灰尘),该反应物也会混在膜层里,从而引起在工件上出现浑浊的膜层。另外触发点火过程会作用在工件上,反应气体部分分解,从而出现所构成的涂层粘性差而易剥落。另外缺点是因为触发点火时消耗不确定份量的反应气体,所以也不能确保膜层厚度与设计厚度一致。专利技 ...
【技术保护点】
一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波,其特征在于:在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头。
【技术特征摘要】
1.一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置,包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器,抽气设备和气体输送系统与反应室连通,抽气设备设于反应室的下方,气体输送系统设于反应室上方,脉...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁磊,
申请(专利权)人:佛山市思博睿科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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