支承玻璃基板及使用其的层叠体制造技术

一种支承玻璃基板，其在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及支承玻璃基板及使用其的层叠体，具体而言，涉及在半导体封装体(半导体装置)的制造工序中用于加工基板的支承的支承玻璃基板及使用其的层叠体。
技术介绍
对于便携电话、笔记本电脑、PDA(Personal Data Assistance)等便携型电子设备，要求小型化及轻量化。与此相伴随，这些电子设备中使用的半导体芯片的安装空间也受到严格限制，半导体芯片的高密度安装成为课题。因此，近年，通过三维安装技术、即将半导体芯片彼此层叠、对各半导体芯片间进行布线连接，来谋求半导体封装体的高密度安装。此外，现有的晶片水平封装体(WLP)是如下制作的：以晶片的状态形成凸起后，通过切片而单片化。但是，现有的WLP存在如下问题：不仅引脚数难以增加，而且由于以半导体芯片的背面露出的状态进行安装，因此容易产生半导体芯片的缺口等。因此，作为新的WLP，提出了fan－out型的WLP(例如，参照专利文献1及2)。fan－out型的WLP能够使引脚数增加，此外，通过保护半导体芯片的端部而能够防止半导体芯片的缺口等。现有技术文献专利文献专利文献1:WO2013/057867号公报专利文献2:日本特开2004－186688号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题fan－out型的WLP中，将多个半导体芯片用树脂密封材料进行模塑而形成加工基板后，具有在加工基板的一个表面布线的工序、形成焊料凸起的工序等。这些工序由于伴随有约200℃的热处理，因此有密封材料变形、加工基板发生尺寸变化之担忧。若加工基板发生尺寸变化，则难以对加工基板的一个表面进行高密度布线，此外，也难以正确地形成焊料凸起。为了抑制加工基板的尺寸变化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。但是，即使使用支承基板的情况下，有时也会发生加工基板的尺寸变化。本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其技术课题在于，通过专利技术出一种不易发生加工基板的尺寸变化的支承基板及使用其的层叠体，从而有助于半导体封装体的高密度安装。用于解决课题的手段本专利技术人等反复进行了各种实验，结果发现，通过选择玻璃基板作为支承基板并严格规定该玻璃基板的热膨胀系数，从而能够解决上述技术课题，从而提出了本专利技术。即，本专利技术的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。其中，“在20～200℃的温度范围内的平均热膨胀系数”可通过膨胀计来测定。玻璃基板容易对表面进行平滑化，也具有刚性。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，能够牢固且正确地支承加工基板。此外，玻璃基板容易透过紫外光、红外光等光。因此，使用玻璃基板作为支承基板时，可以利用紫外线固化型粘接剂等设置粘接层等，从而容易地将加工基板和支承玻璃基板固定。此外，通过设置吸收红外线的剥离层等，还可以容易地将加工基板和支承玻璃基板分离。作为另一方式，可以利用紫外线固化型胶带等设置粘接层等，从而容易地将加工基板和支承玻璃基板分离。此外，对于本专利技术的支承玻璃基板而言，在20～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数被限定为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。由此，当半导体芯片在加工基板内的比率少、密封材料的比率多时，加工基板和支承玻璃基板的热膨胀系数容易匹配。并且，若两者的热膨胀系数匹配，则加工处理时容易抑制加工基板的尺寸变化(特别是翘曲变形)。结果是，能够对加工基板的一个表面进行高密度布线，此外，还能够正确地形成焊料凸起。第二，本专利技术的支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为70×10－7/℃以上且85×10－7/℃以下。其中，“在30～380℃的温度范围内的平均热膨胀系数”可通过膨胀计来测定。第三，本专利技术的支承玻璃基板优选在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承。第四，本专利技术的支承玻璃基板优选在波长300nm时的板厚方向的紫外线透过率为40％以上。其中，“波长300nm时的板厚方向的紫外线透过率”例如可以通过使用双光束型分光光度计测定波长300nm时的分光透过率从而进行评价。第五，本专利技术的支承玻璃基板的杨氏模量优选65GPa以上。其中，“杨氏模量”是指通过弯曲共振法测定的值。需要说明的是，1GPa相当于约101.9kgf/mm2。第六，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 40～80％、Al2O3 1～20％、B2O3 0～20％、MgO 0～12％、CaO 0～10％、SrO0～20％、BaO 0～20％、ZnO 0～10％、Na2O 4～20％、K2O 0～15％作为玻璃组成。第七，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 60～75％、Al2O3 5～15％、B2O3 5～20％、MgO 0～5％、CaO 0～10％、SrO0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 7～16％、K2O 0～8％作为玻璃组成。第八，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 50～80％、Al2O3 1～20％、B2O3 0～20％、MgO 0～5％、CaO 0～10％、SrO0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 5～20％、K2O 0～10％作为玻璃组成。第九，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 60～75％、Al2O3 10～20％、B2O3 0～10％、MgO 0～5％、CaO 0～5％、SrO0～5％、BaO 0～5％、ZnO 0～5％、Na2O 6～18％、K2O 0～8％作为玻璃组成。第十，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 40～60％、Al2O3 5～20％、B2O3 0～20％、MgO 0～5％、CaO 0～10％、SrO0～20％、BaO 0～20％、Na2O 4～20％、K2O 0～10％作为玻璃组成。第十一，本专利技术的支承玻璃基板优选以质量％计含有SiO2 44～54％、Al2O3 10～15％、B2O3 0～15％、MgO 0～3.6％、CaO 3～8％、SrO4～15％、BaO 0～14％、Na2O 4～15％、K2O 0～10％作为玻璃组成。第十二，本专利技术的支承玻璃基板优选：为板厚小于2.0mm、直径是100～500mm的圆板形状，整体板厚偏差为30μm以下，翘曲量为60μm以下。其中，“翘曲量”是指支承玻璃基板整体中的最高位点和最小二乘焦点面之间的最大距离的绝对值、与最低位点和最小二乘焦点面的绝对值的合计，例如可通过KOBELCO research institute制的Bow/Warp测定装置SBW－331ML/d来测定。第十三，本专利技术的层叠体优选：具备加工基板、和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体，支承玻璃基板为上述支承玻璃基板。第十四，本专利技术的层叠体优选：加工基板具备用密封材料模塑而成的半导体芯片。第十五，本专利技术的半导体封装体的制造方法优选包括如下工序：准备具备加工基板和用于支承加工基板的支承玻璃基板的层叠体的工序、以及对加工基板进行加工处理的工序，支承玻璃基板为上述支承玻璃基板。第十六，本专利技术的半导体封装体的制造方法优选：加工处理包含在加工基板的一个表面布线的工序。第十七，本专利技术的半导体封装体的制造方法优选：加工处理包含在加工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.07 JP 2014-078294;2014.09.18 JP 2014-189571.一种支承玻璃基板，其特征在于，在20℃～200℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为66×10－7/℃以上且81×10－7/℃以下。2.一种支承玻璃基板，其特征在于，在30℃～380℃的温度范围内的平均线性热膨胀系数为70×10－7/℃以上且85×10－7/℃以下。3.根据权利要求1或2所述的支承玻璃基板，其特征在于，在半导体封装体的制造工序中用于加工基板的支承。4.根据权利要求1～3中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，在波长300nm时的板厚方向的紫外线透过率为40％以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，杨氏模量为65GPa以上。6.根据权利要求1～5中任一项所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO240％～80％、Al2O3 1％～20％、B2O3 0％～20％、MgO 0％～12％、CaO 0％～10％、SrO 0％～20％、BaO 0％～20％、ZnO 0％～10％、Na2O 4％～20％、和K2O 0％～15％作为玻璃组成。7.根据权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO2 60％～75％、Al2O3 5％～15％、B2O3 5％～20％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na2O 7％～16％、和K2O 0％～8％作为玻璃组成。8.根据权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO2 50％～80％、Al2O3 1％～20％、B2O3 0％～20％、MgO 0％～5％、CaO 0％～10％、SrO 0％～5％、BaO 0％～5％、ZnO 0％～5％、Na2O 5％～20％、和K2O 0％～10％作为玻璃组成。9.根据权利要求6所述的支承玻璃基板，其特征在于，以质量％计含有SiO2 60％～75％、Al2O3 10％～20％、B2O3 0％～...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田光，铃木良太，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP