二极管用外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二极管用外延片及其制备方法。该二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。利用本发明专利技术的外延片制成的二极管终端器件的反向击穿电压和正向导通电流得到了显著提高、漏电降低，通过设置SiNx帽层，有效防止了器件表面被氧化导致器件性能退化的情况发生，提高了其使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种二极管用外延片及其制备方法。
技术介绍
肖特基二极管利用金属与半导体接触形成的金属-半导体接触原理制作而成，是一种热载流子二极管，具有低正向电压、超高速等特点，被广泛地应用在高频、大电流、低电压整流电路以及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路、交流-直流变换系统中，是电子器件中常见的分立器件。现有技术中，肖特基二极管普遍采用外延片作为其半导体部件。而用于GaN肖特基二极管的外延片的衬底主要有三种，即蓝宝石衬底、硅衬底和碳化硅衬底。其中，由于碳化硅的价格昂贵，而Si衬底不适合用于制作垂直结构的肖特基二极管，故蓝宝石衬底在垂直结构的肖特基二极管中应用更为广泛。现有技术中普遍使用的平片状蓝宝石衬底由于其位错密度较高，制成的二极管电子器件漏电流较高、易击穿、晶体质量不高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种二极管用外延片及其制备方法，由其制备的二极管器件的漏电通道大大减少、反向击穿电压和正向导通电流得到了显著提高，器件的使用寿命长，且可有效防止器件表面被氧化、起到防止器件性能退化的目的。为达到上述目的，本专利技术采用的一种技术方案是：一种二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。优选地，所述SiNx帽层是由SiH4和NH3在所述轻掺杂nGaN层上发生化学反应后直接生长而成的。优选地，所述衬底是由所述AlN盖层采用PVD或sputter设备在蓝宝石平片上制作而成的。进一步优选地，所述衬底中的AlN盖层厚度为5～200nm。优选地，所述GaN二维生长层的厚度为0.3～1μm；所述GaN恢复层的厚度为2～5μm；所述重掺杂nGaN层的厚度为2～3.5μm；所述轻掺杂nGaN层的厚度为4～12μm，所述SiNx帽层的厚度为1～15nm。优选地，所述重掺杂nGaN层和轻掺杂nGaN层的掺杂源均为SiH4，其掺杂浓度分别为1E18～1.5E19cm-3和3E15～1.5E16cm-3。本专利技术的又一技术方案为：一种如上述二极管用外延片的制备方法，包括如下步骤：A、将带有AlN盖层的所述衬底放入MOCVD设备中加热升温至1040～1100℃，而后在所述衬底上直接生长所述GaN二维生长层；B、在950～1050℃温度下，在所述GaN二维生长层上生长所述SiNx模板层；C、在1000～1080℃温度下，在所述SiNx模板层上依次生长所述GaN恢复层和所述重掺杂nGaN层；D、保持温度不变，在所述重掺杂nGaN层上生长所述轻掺杂nGaN层；E、在600～950℃温度下，在所述轻掺杂nGaN层上生长所述SiNx帽层；上述各步骤的顺序为依次进行。优选地，所述GaN二维生长层的生长压力为30～400mbar。优选地，所述重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层的生长压力均为200～700mbar。优选地，所述SiNx帽层的生长压力为40～400mbar。本专利技术采用以上技术方案，相比现有技术具有如下优点：1、本专利技术的衬底通过在蓝宝石平片上覆盖AlN盖层来替代低温GaN缓冲层，同时在GaN二维生长层上原位生长SiNx模板层，显著减少了刃位错密度和螺位错密度，使二极管外延片结构的XRD102和002分别降低至100arcsec和80arcsec以下，总位错密度降低至5*107/cm3以下。低位错密度减少了肖特基二极管终端器件的漏电通道，可显著提高反向击穿电压和正向导通电流，提高了外延片的晶体质量、增加了器件的使用寿命；同时还节约了生长时间。2、本专利技术中还使用了SiNx Cap帽层结构，该SiNx帽层的厚度为1～15nm，其作用是将n-GaN表面覆盖并与空气隔绝，起到保护作用，防止n-GaN表面被氧化，有效防止了器件性能的退化，提高了器件的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：附图1是本专利技术所述的二极管用外延片的结构示意图。上述附图中：1、衬底；11、蓝宝石平片；12、AlN盖层；2、GaN二维生长层；3、SiNx模板层；4、GaN恢复层；5、重掺杂nGaN层；6、轻掺杂nGaN层；7、SiNx帽层。具体实施方式下面结合附图来对本专利技术的技术方案作进一步的阐述。参见图1所示，一种二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层、SiNx帽层。其中，该衬底为带有AlN盖层12的蓝宝石平片11衬底，该衬底由AlN盖层12采用PVD或sputter设备在蓝宝石平片11上制作而成，该AlN盖层12厚度为5～200nm。该SiNx模板层是在GaN二维生长层上使用SiH4和NH3原位生长形成的，该SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。这里，通过采用AlN盖层12替代了低温GaN层，同时配合SiNx模板层，可显著减少了整个外延片的刃位错密度和螺位错密度，使二极管外延片结构的XRD102和002分别降低至100arcsec和80arcsec以下，总位错密度降低至5*107/cm3以下。低位错密度减少了二极管终端器件的漏电通道，可显著提高反向击穿电压和正向导通电流，提高了外延片的晶体质量，增加了器件的使用寿命，同时还节约了外延片的生长时间。而这里采用了SiNx帽层结构，该SiNx帽层的厚度为1～15nm，其作用是将n-GaN表面覆盖并与空气隔绝，起到保护作用，防止n-GaN表面被氧化，有效防止器件性能退化，提高了器件的使用寿命。本例中，该GaN二维生长层的厚度为0.3～1μm；GaN恢复层的厚度为2～5μm；重掺杂nGaN层的厚度为2～3.5μm；轻掺杂nGaN层的厚度为4～12μm，SiNx帽层的厚度为1～15nm。这里，重掺杂nGaN层和轻掺杂nGaN层的掺杂源均为SiH4，其掺杂浓度分别为1E18～1.5E19cm-3和3E15～1.5E16cm-3。一种上述二极管用外延片的制备方法，包括如下步骤：A、将衬底放入MOCVD设备中加热升温至1040～1100℃，而后在衬底上直接生长GaN二维生长层；B、在950～1050℃温度下，在GaN二维生长层上原位生长SiNx模板层；C、在1000～1080℃温度下，在SiNx模板层上依次生长GaN恢复层和重掺杂nGaN层；D、保持温度不变，在重掺杂nGaN层上生长轻掺杂nGaN层；E、在600～950℃温度下，在轻掺杂nGaN层上生长SiNx帽层。这里，该SiNx帽层是由SiH4和NH3在轻掺杂nGaN层上发生化学反应后直接生长而成的。其中，GaN二维生长层的生长压力为30～400mbar；重掺杂n本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，其特征在于，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，其特征在于，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的SiNx帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。2.根据权利要求1所述的二极管用外延片，其特征在于，所述SiNx帽层是由SiH4和NH3在所述轻掺杂nGaN层上发生化学反应后直接生长而成的。3.根据权利要求1所述的二极管用外延片，其特征在于，所述衬底是由所述AlN盖层采用PVD或sputter设备在蓝宝石平片上制作而成的。4.根据权利要求3所述的二极管用外延片，其特征在于，所述衬底中的AlN盖层厚度为5~200nm。5.根据权利要求1所述的二极管用外延片，其特征在于，所述GaN二维生长层的厚度为0.3~1μm；所述GaN恢复层的厚度为2~5μm；所述重掺杂nGaN层的厚度为2~3.5μm；所述轻掺杂nGaN层的厚度为4~12μm，所述SiNx帽层的厚度为1~15nm。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：王东盛，朱廷刚，李亦衡，张葶葶，王科，李仕强，张子瑜，
申请(专利权)人：江苏能华微电子科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32