一种鳍式场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该场效应晶体管的侧壁沟道层厚度和顶部沟道层厚度均在10nm以下，且在远离顶栅控制的深体区形成了鳍型隔离条，本发明专利技术有利于器件沟长的进一步缩小，可有效提高器件的短沟道效应控制能力，减小了静态功耗。此外本发明专利技术器件源漏区是单晶有源岛，具有较小的源漏串联电阻，与传统的使用抬升源漏结构的鳍型场效应晶体管相比，不需要外延工艺抬升源漏,即可获得较高的开态电流。本发明专利技术与传统集成电路制造技术相兼容，工艺简单，成本代价小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超大规模集成电路制造
，涉及一种低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法。
技术介绍
当半导体器件进入22nm技术代后，鳍式场效应晶体管(FinFET)是三维多栅器件(Multi-gate MOSFET,MuGFET)的代表，其具有出众的抑制短沟效应能力和高集成密度，其制备工艺与传统CMOS工艺兼容，目前已成为半导体器件的主流。但是，在向更小尺寸技术节点迈进时，三维多栅器件的深体区由于远离顶栅控制，会出现较大的泄漏电流，增加器件的静态功耗。为了克服这个问题，通常采用减薄Fin宽度的方法来增加两个侧壁栅对深体区的静电控制能力，同时对Fin进行掺杂以减少泄漏电流。但是若想通过刻蚀的方法形成更薄且大高宽比的Fin，其本身对刻蚀工艺提出了很大的挑战，且刻蚀形成超薄的Fin侧壁会有很大的边缘粗糙度，造成器件特性一致性的退化；另外，为了抑制深体区漏电而对Fin进行掺杂不仅会引起沟道迁移率退化，更会引入较大的随机掺杂涨落(RDF)，这些都限制了多栅器件在低功耗领域的应用。
技术实现思路
针对以上问题，本专利技术提供了一种形成鳍型隔离结构以阻断深体区泄漏通路的低功耗鳍式场效应晶体管及其制备方法，以改善现有的公知技术。本专利技术的一个目的在于提供一种低功耗鳍式场效应晶体管的制备方法，该方法包括以下步骤：A.提供一半导体衬底，定义器件的有源区，形成器件之间的隔离；B.形成用于阻断Fin深体区泄漏通路的鳍型隔离条；B1.淀积一层氧化硅作为掩膜层1；B2.通过光刻技术定义鳍型隔离条的图形窗口；B3.利用光刻胶为掩蔽，各向异性刻蚀掩膜层1和有源区，形成鳍型窄槽；B4.去胶；B5.通过热氧化工艺的处理，高深宽比间隙的鳍型窄槽将由于氧化物的生长而被填充，形成鳍型隔离条，而掩膜层1的图形窗口仍然存在；C.形成顶部沟道层；C1.利用湿法腐蚀工艺漂洗掩膜层1，掩膜层1的图形窗口会因被各向同性腐蚀而扩大，扩大后的窗口(沟道区图形窗口)宽度与鳍型隔离条宽度之差即为器件的侧壁沟道层厚度；C2.淀积一层沟道材料，沟道区图形窗口被沟道材料填充；C3.通过化学机械抛光去除淀积超出掩膜层1上表面的沟道材料，实现平坦化；C4.通过湿法腐蚀工艺回漂沟道区图形窗口内的沟道材料，沟道区图形窗口内剩余的沟道材料厚度即为器件顶部沟道层的厚度；D.形成器件的沟道区和源漏区；D1.淀积一层介质材料作为掩膜层2，沟道区图形窗口被掩膜层2介质材料填充；D2.通过化学机械抛光去除淀积超出掩膜层1上表面的掩膜层2介质材料，实现平坦化；D3.通过湿法腐蚀工艺，大面积去除掩膜层1，露出有源区表面；D4.通过光刻技术定义器件的源漏图形窗口；D5.以光刻胶和掩膜层2为掩蔽，各向异性刻蚀有源区，形成源漏区和沟道区，源漏区为单晶有源岛，沟道区由内部的鳍型隔离条、侧壁的两个单晶有源层、顶部沟道层共同组成，器件工作时，沟道载流子在侧壁的两个单晶有源层、顶部沟道层中进行输运；D6.去胶；E.源漏注入和制备栅电极；E1.通过离子注入技术对源漏进行重掺杂，并激活退火；E2.去除掩膜层2；E3.形成一层栅电极层；E5.通过光刻技术定义栅电极的图形；E6.以光刻胶为掩蔽，各向异性刻蚀栅电极层，形成跨过沟道区的栅线条和栅引出区，栅线条覆盖在两个侧壁单晶有源层和顶部沟道层；E7.去胶；F.形成各端的金属接触；F1.淀积层间介质；F2.通过化学机械抛光实现平坦化；F3.通过光刻技术定义源、漏、栅各端的接触孔；F4.各向异性刻蚀层间介质，露出栅引出区和源、漏区的上表面；F5.去胶；F6.在各接触孔中填充金属Metal 0；F7.通过对金属Metal 0进行化学机械平坦化，实现器件之间的导电层分离，达到器件隔离的效果；G.后续按已公开的后端工艺完成器件集成。进一步地，A中所述半导体衬底，包括体硅衬底，SOI衬底，体锗衬底，GOI衬底等；进一步地，A中所述隔离，对于体衬底(体硅、体锗等)，可使用阱隔离加浅槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)；对于SOI、GOI等衬底，可仅使用浅槽隔离或岛隔离；进一步地，B、E中所述光刻为电子束光刻或193nm浸没式光刻等能形成纳米尺度线条的先进光刻技术；进一步地，B中所述热氧化工艺可以采用干氧氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化等；进一步地，C、D中所述对于氧化硅掩膜层1的湿法腐蚀，其腐蚀液可以采用HF：H2O＝1:40，腐蚀时间根据所需要的侧壁沟道层厚度决定；进一步地，C、D中所述淀积沟道材料和掩膜层2的方法要求具有较好的保型性和间隙填充能力，优选低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)和原子层淀积(Atomic Layer Deposition，ALD)；进一步地，C中所述淀积的沟道材料，对于硅基衬底(体硅衬底，SOI衬底)，其材料可以是多晶硅，对于锗基衬底(体锗衬底，GOI衬底)，其材料可以是多晶锗；进一步地，D中所述的掩膜层2的介质材料，要求与掩膜层1不同，且其对掩膜层1的各项同性腐蚀速率大于5:1，保证在去除掩膜层1时不损伤掩膜层2，例如可采用氮化硅，其去除方法可以采用浓磷酸溶液，温度为120-200℃；进一步地，E中退火方式采用快速热退火(Rapid Thermal Annealing)、尖峰退火(Spike Annealing)、闪耀退火(Flash Annealing)和激光退火(Laser Annealing)中的一种。进一步地，E中所述栅电极层，当衬底是硅基衬底时，可以是栅氧化层搭配多晶硅栅形成栅电极层，此时采用干氧氧化制备栅氧化层，采用LPCVD制备多晶硅栅；也可以是高K栅介质搭配金属栅形成栅电极层，此时采用ALD制备高K栅介质，采用PVD制备金属栅；衬底为锗基衬底时，只能用高K栅介质搭配金属栅形成栅电极层，此时采用ALD制备高K栅介质，采用PVD制备金属栅；进一步地，B、D、E和F中各向异性刻蚀采用如反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，RIE)或电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)等。进一步地，F中所述作为导电层的填充金属Metal 0，要求具备低的电阻率以及通孔填充能力，可选择W、Cu、Al、Ti、Pt及其复合金属叠层。进一步地，F中填充金属采用蒸发、溅射、电镀和化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)中的一种。本专利技术的另一个目的在于提供一种低功耗鳍式场效应晶体管。本专利技术的低功耗鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、器件隔离、有源区、鳍型隔离条、沟道层、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔、Metal 0；其中，在半导体衬底上形成有源区和器件隔离；在有源区的部分表面上形成源区和漏区以及连接二者的鳍型隔离条；在鳍型隔离条的两个侧壁和上表面覆盖沟道层，沟道层同时也与源区和漏区连接；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分沟道层的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、沟道层、栅电极层和除此之外的有源区和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Met本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低功耗鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、器件隔离、有源区、鳍型隔离条、沟道层、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和Metal 0；其中，在半导体衬底上形成有源区和器件隔离；在有源区的部分表面上形成源区和漏区以及连接二者的鳍型隔离条；在鳍型隔离条的两个侧壁和上表面覆盖沟道层，沟道层同时也与源区和漏区连接；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分沟道层的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、沟道层、栅电极层和除此之外的有源区和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。

【技术特征摘要】
1.一种低功耗鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括半导体衬底、器件隔离、有源区、鳍型隔离条、沟道层、源区、漏区、栅电极层、层间介质、接触孔和Metal 0；其中，在半导体衬底上形成有源区和器件隔离；在有源区的部分表面上形成源区和漏区以及连接二者的鳍型隔离条；在鳍型隔离条的两个侧壁和上表面覆盖沟道层，沟道层同时也与源区和漏区连接；在器件隔离的部分表面上形成栅电极层，栅电极层包括栅线条和栅引出区，栅线条覆盖部分沟道层的两个侧壁和上表面，栅引出区连接栅线条；层间介质覆盖源区、漏区、沟道层、栅电极层和除此之外的有源区和器件隔离；在层间介质中形成接触孔，暴露出部分源区、漏区和栅引出区的上表面；在接触孔中填充金属Metal 0。2.权利要求1所述的低功耗鳍式场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：A.提供一半导体衬底，定义器件的有源区，形成器件之间的隔离；B.形成用于阻断Fin深体区泄漏通路的鳍型隔离条；B1.淀积一层氧化硅作为第一掩膜层；B2.通过光刻技术定义鳍型隔离条的图形窗口；B3.利用光刻胶为掩蔽，各向异性刻蚀第一掩膜层和有源区，形成鳍型窄槽；B4.去胶；B5.通过热氧化工艺的处理，高深宽比间隙的鳍型窄槽被填充，形成鳍型隔离条，而第一掩膜层的图形窗口仍然存在；C.形成顶部沟道层；C1.利用湿法腐蚀工艺漂洗第一掩膜层，第一掩膜层的图形窗口会因被各向同性腐蚀而扩大，扩大后的窗口宽度与鳍型隔离条宽度之差即为器件的侧壁沟道层厚度；C2.淀积一层沟道材料，沟道区图形窗口被沟道材料填充；C3.通过化学机械抛光去除淀积超出第一掩膜层上表面的沟道材料，实现平坦化；C4.通过湿法腐蚀工艺回漂沟道区图形窗口内的沟道材料，沟道区图形窗口内剩余的沟道材料厚度即为器件顶部沟道层的厚度；D.形成器件的沟道区和源漏区；D1.淀积一层介质材料作为第二掩膜层，沟道区图形窗口被第二掩膜层填充；D2.通过化学机械抛光去除淀积超出第一掩膜层上表面的第二掩膜层，实现平坦化；D3.通过湿法腐蚀工艺，大面积去除第一掩膜层，露出有源区表面；D4.通过光刻技术定义器件的源漏图形窗口；D5.以光刻胶和第二掩膜层为掩蔽，各向异性刻蚀有源区，形成源漏区和沟道区，源漏区为单晶有源岛，沟道区由内部的鳍型隔离条、侧壁的两个单晶有源层、顶部沟道层共同组成，器件工作时，沟道载流子在侧壁的两个单晶有源层、顶部沟道层中进行输运；D6.去胶；E.源漏注入和制备栅电极；E1.通过离子注入技术对源漏进行重掺杂，并激活退火；E2.去除第二掩膜层；E3....

【专利技术属性】
技术研发人员：黎明，陈珙，杨远程，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11