光半导体装置及其制造方法以及银用表面处理剂及发光装置制造方法及图纸

技术编号:13963432 阅读:86 留言:0更新日期:2016-11-07 14:16
本发明专利技术一个侧面的光半导体装置具备在表面形成有镀银层的基板;接合于镀银层的发光二极管;由环绕发光二极管的光反射面形成收纳发光二极管的内侧空间的光反射部;将镀银层被覆的防银硫化膜;填充在内侧空间、将发光二极管密封的透明密封部,其中,防银硫化膜具有带有由粘土产生的阻气性的阻气层;配置在阻气层下层、具有粘接性的底涂层,透明密封部与所述底涂层接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及接合有发光二极管的光半导体装置及其制造方法以及银用表面处理剂及发光装置。本专利技术涉及银用表面处理剂,更详细而言涉及用于防止各种银或银合金变色(腐蚀)的表面处理剂,特别是涉及用于防止在电子部件、发光二极管等照明设备等中使用的银或银合金、特别是银蒸镀面的变色(腐蚀)的表面处理剂。本专利技术涉及发光装置,更详细而言涉及具备具有银或银合金的基板和发光二极管的发光装置。
技术介绍
作为搭载有LED(发光二极管:LightEmittingDiode)的光半导体装置,已知专利文献1中公开的装置。专利文献1中记载的光半导体装置是如下而成的:在成型体上接合蓝色LED,按照将蓝色LED环绕的方式设立成型体,制成对自蓝色LED发出的光进行反射的反射板,向其中填充含有荧光体的透明密封部,对蓝色LED进行密封。银及银合金作为贵金属利用其优异的光学性质、电化学性质,自古以来被用作装饰品、货币、餐具、电子用材料、照明设备、齿科用材料。近年来,作为发光二极管(LED)用反射材料的需要急剧增加。发光二极管作为代替荧光灯或白炽电灯的光源,被用在照明设备、汽车用灯等的用途中,这种发光装置中,通过在基板上设置镀银层等光反射膜,试图提高光的取出率。但是,由于银及银合金在化学上非常不稳定,因此易于与空气中的氧、水分、硫化氢、亚硫酸气体等反应,生成氧化银或硫化银,由此具有银表面变色(腐蚀)成黑色的缺点。作为防止这种银的变色(腐蚀)的方法,例如提出了有机系的防锈剂(例如参照专利文献2~3)。另外,下述专利文献4中提出了含有层状硅酸化合物的银的表面处理剂。现有技术文献专利文献1:国际公开第2007/015426号小册子专利文献2:日本特开平10-158572号公报专利文献3:日本特开2004-238658号公报专利文献4:国际公开第2013/108773号说明书
技术实现思路
专利技术预解决的技术问题近年,这种光半导体装置开始被采用作照明或街灯等LED照明。但是,实际使用时,LED照明的照度会在比LED的保证时间短的时间内降低。这是由于,在半导体装置的电极上形成镀银层,该镀银层发生了变色所导致的。即,透明密封部中由于一般使用气体或水分的透过性较高的树脂,因而镀银层在透过了透明密封部的气体或水分的作用下发生腐蚀、变色。特别是,当在硫化氢气体作用下镀银层发生硫化时,电极会变色为黑色,因而照度明显降低。以往作为反射板采用热塑性树脂,由于反射板的黄变速度比镀银层的硫化速度快,因此因镀银层的硫化导致的照度降低变得不明显。但是,最近作为反射板变为采用热固化性树脂,由于反射板的黄变速度比镀银层的硫化速度慢,因此因镀银层的硫化导致的照度降低变得明显。而且,当使LED照明高功率化时,蓝色LED的发热温度提高、镀银层的温度上升,因此会促进镀银层的硫化。此外,鉴于伴随着这样的镀银层的硫化的问题,也有对LED照明中采用的光半导体装置的耐硫化氢气体的评价进行标准化的动向。因此,本专利技术者们进行了深入研究,结果获得了如下认知:通过并非改善透明密封部的透气性、而是用具有由粘土产生的阻气性的防硫化膜将镀银层被覆,可以有效地抑制镀银层的硫化。此外,本专利技术者们基于这样的认知发现了下述课题:在制造光半导体装置时,由于粘土对反射板的粘接力并不那么高,因此透明密封部会从光半导体装置上剥离。因此,本专利技术的第一目的在于提供在抑制镀银层的硫化的同时、可以抑制透明密封部的剥离的光半导体装置。本专利技术者们进行了深入研究,结果发现,通过并非改善透明密封部的透气性、而是设置具有由粘土产生的阻气性的阻气层,可以有效地抑制镀银层的硫化,通过使阻气层的层厚均一化,可以提高阻气层的阻气性。因此,本专利技术的第二目的在于提供能够在抑制镀银层的硫化的同时、提高阻气性的光半导体装置及其制造方法。上述有机系的防锈剂具有对紫外线的耐性低、在长期的紫外线暴露下发生变色的缺点。在照明设备及汽车用途中使用的发光二极管中,由于使用了近紫外光,因此难以应用这些有机系的防锈剂。另外,当在镀银层的表面应用表面处理剂时,设置在其上的密封材料等有时易于发生剥离。本专利技术鉴于上述事实而完成,本专利技术的第三目的在于提供具有镀银层的耐变色性优异的防变色膜、同时密封材料不易剥离的发光装置、及银的变色(腐蚀)防止性优异、能够对银的表面赋予优异的耐变色性且可以减小对密封材料等的影响的银用表面处理剂。本专利技术者们发现在发光装置的基板中、当设置含有层状硅酸化合物的层时,有发生电化学迁移、电极间发生变色的情况。发光装置为了长期地维持充分的发光强度,要求迁移不易发生的绝缘可靠性。本专利技术的第四目的在于提供具有镀银层的耐变色性和绝缘可靠性这两者均优异的防变色膜的发光装置。用于解决技术问题的方法本专利技术一个侧面的光半导体装置具备在表面形成有镀银层的基板;接合于镀银层的发光二极管;由环绕发光二极管的光反射面形成收纳发光二极管的内侧空间的光反射部;将镀银层被覆的防银硫化膜;填充在内侧空间、将发光二极管密封的透明密封部,防银硫化膜具有阻气层和配置在阻气层的下层并具有粘接性的底涂层,所述阻气层具有由粘土产生的阻气性,透明密封部与底涂层接触。通过本专利技术一个侧面的光半导体装置,由于镀银层被具有由粘土产生的阻气性的阻气层被覆,因此可以抑制镀银层的硫化。由此,可以大幅度地抑制因镀银层发生黑色化所导致的光半导体装置的照度降低。而且,作为防银硫化膜,通过将具有粘接性的底涂层配置在阻气性的下层、使透明密封部与该底涂层接触,从而与没有底涂层的情况或者底涂层与透明密封树脂不接触的情况相比,可以抑制透明密封部发生剥离。作为一个实施方式,底涂层可以形成在光反射面上、阻气层在光反射面上可以层叠于底涂层的一部分、透明密封部在光反射面上的阻气层未层叠于底涂层的位置可以与阻气层接触。防银硫化膜对镀银层的被覆例如可如下进行:将用溶剂对阻气层及底涂层的溶质进行稀释得到的稀释液滴加或散布在光反射部的内侧空间,之后使溶剂干燥。但是,由于内侧空间小,难以将稀释液仅滴加或散布在镀银层上。因此,通过允许防银硫化膜将光反射面被覆,可以容易地进行防银硫化膜对镀银层的被覆。而且,即便是这种情况,由于在光反射面上的阻气层未层叠于底涂层的位置上,透明密封部与阻气层接触,因此可以抑制透明密封部发生剥离。另外,作为一个实施方式,发光二极管可以是发出蓝色光的蓝色发光二极管。光反射面将自发光二极管发出的光反射、自光半导体装置输出,但具有由粘土产生的阻气本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光半导体装置,其具备:在表面形成有镀银层的基板;接合于所述镀银层的发光二极管;由环绕所述发光二极管的光反射面形成收纳所述发光二极管的内侧空间的光反射部;将所述镀银层被覆的防银硫化膜;和填充在所述内侧空间、将所述发光二极管密封的透明密封部,其中,所述防银硫化膜具有阻气层和配置在所述阻气层下层并具有粘接性的底涂层,所述阻气层具有由粘土产生的阻气性,并且所述透明密封部与所述底涂层接触。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.11 JP 2013-256503;2014.04.18 JP 2014-086611.一种光半导体装置,其具备:
在表面形成有镀银层的基板;
接合于所述镀银层的发光二极管;
由环绕所述发光二极管的光反射面形成收纳所述发光二极管的内侧空间的光反射部;
将所述镀银层被覆的防银硫化膜;和
填充在所述内侧空间、将所述发光二极管密封的透明密封部,
其中,所述防银硫化膜具有阻气层和配置在所述阻气层下层并具有粘接性的底涂层,
所述阻气层具有由粘土产生的阻气性,并且所述透明密封部与所述底涂层接触。
2.根据权利要求1所述的光半导体装置,其中,
所述底涂层形成在所述光反射面上,
所述阻气层在所述光反射面上层叠于所述底涂层的一部分,
所述透明密封部在所述光反射面上的所述阻气层未层叠于所述底涂层的位置与所述
阻气层接触。
3.根据权利要求2所述的光半导体装置,其中,所述发光二极管是发出蓝色光的蓝色发
光二极管。
4.一种光半导体装置,其具备:
在表面形成有镀银层的基板;
接合于所述镀银层的发光二极管;
由环绕所述发光二极管的光反射面形成收纳所述发光二极管的内侧空间的光反射部;
填充在所述内侧空间、将所...

【专利技术属性】
技术研发人员:山浦格东内智子稻田麻希后藤泰史鲤渊滋高根信明
申请(专利权)人:日立化成株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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