掩模框架组件、制造其的方法以及制造显示器的方法技术

本申请涉及掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法以及制造显示器的方法。掩模框架组件，包括框架和具有与框架接触的第一表面的掩模。掩模包括有效区域和形成在有效区域中的图案孔，其中图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模。掩模还包括布置在有效区域的外部并配置为阻挡沉积材料穿过掩模的肋部以及布置在肋部的一部分上的非磁性加强件。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年4月23日提交的第10-2015-0057533号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请按照本文中所述的全部目的通过引用并入本文。
示例性实施方式涉及掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法以及制造显示设备的方法。
技术介绍
由于有机发光二极管(OLED)显示器(例如，平板OLED显示器)的宽可视角度、高对比度、低驱动电压、轻薄设计、以及快速响应时间，所以许多研究人员将其看成下一代显示器。根据用于形成发射层的材料，发光装置被分类为无机发光装置和有机发光装置。由于有机发光装置比无机发光装置具有更高的亮度和更快的响应时间并且可实现彩色显示，所以有机发光装置在近年来被活跃地研究。有机发光显示器的典型的制造可包括经由真空沉积形成有机膜和/或电极。然而，在制造高分辨率有机发光显示器时使用典型的制造技术可导致具有大的阴影效应(即，由相对于法向角的高入射角度的分子而产生的不期望的过度的阴影)的低品质有机发光显示器。该
技术介绍
部分中所公开的以上信息仅用于增强对本专利技术构思的背景的理解，并因此，其可包含并不形成本国的本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
示例性实施方式包括掩模框架组件、制造掩模框架组件的方法、以及制造显示器的方法。附加的方面部分地将在随后的说明中被陈述，并且部分地，将通过本公开而变得显而易见，或者可通过本专利技术构思的实践而习得。示例性实施方式公开了掩模框架组件，该掩模框架组件包括框架和具有与框架接触的第一表面的掩模。掩模包括有效区域和形成在有效区域中的图案孔，其中图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模。掩模还包括布置在有效区域的外部并且配置为阻挡沉积材料穿过掩模的肋部以及布置在肋部的一部分上的非磁性加强件。示例性实施方式还公开了制造掩模框架组件的方法。该方法包括：在掩模的有效区域中形成图案孔；在掩模的有效区域的外部形成加强孔和加强槽中的至少一个；将非磁性加强件注入到加强孔和加强槽中的至少一个中；以及在框架上将掩模设置在框架中的开口上方。图案孔配置为允许沉积材料穿过掩模，以及加强孔和加强槽中的至少一个限定出配置为阻挡沉积材料的传输的肋部。示例性实施方式还公开了制造显示器的方法。该方法包括通过使用掩模框架组件对有机膜和第二电极中的至少一个进行沉积。掩模框架组件包括掩模，掩模包括图案孔、肋部以及非磁性加强件，其中图案孔形成在掩模的有效区域中并且配置为允许沉积材料穿过掩模，肋部布置在有效区域的外部并且配置为阻挡沉积材料的传输，以及非磁性加强件形成在肋部的至少一部分上。掩模框架组件还包括框架，其中框架包括位于框架的中心部分并且沉积材料穿过其的开口，并且框架配置为支承掩模的两个端部。以上一般性描述和随后的详细描述是示例性的和说明性的，并且意在提供对所主张的主题的进一步解释。附图说明附图示出了专利技术构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用作解释专利技术构思的原理，其中附图被包括来提供对专利技术构思的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。图1是根据示例性实施方式的掩模框架组件的分解立体视图。图2是图1的掩模的平面视图。图3是图2的部分E的放大视图。图4是沿图2的线II-II'取得的掩模的剖视图。图5和图6是图4的掩模的根据其它示例性实施方式的剖视图。图7是示出了加强槽形成在图4的掩模的肋部中的情况的剖视图。图8、图9、图10、和图11是图7的掩模的根据其它示例性实施方式的剖视图。图12是通过使用图1的掩模框架组件制造的显示器的剖视图。具体实施方式在以下描述中，出于解释的目的陈述了许多具体细节以提供对各种示例性实施方式的全面理解。然而显而易见地，各种示例性实施方式可在没有这些具体细节的情况下实践或者可使用一个或多个等同布置来实践。在其它情况下，以框图形式示出了众所周知的结构和装置以避免不必要地模糊各种示例性实施方式。在附图中，为清晰和描述性的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸被夸大。另外，相同的附图标记表示相同的元件。当元件或者层被称为在另一元件或层“上(on)”、“连接至(connected to)”另一元件或层、或“联接至(coupled to)”另一元件或者层时，该元件或者层可直接在该另一元件或层上、直接连接至该另一元件或层，或者直接联接至该另一元件或者层，或者可存在中间元件或者层。然而，当元件或者层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至另一元件或层或者直接联接至另一元件或者层时，则不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的群组中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或者X、Y、Z中两个或更多个的任意组合，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。如在本文中使用的用语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意或全部组合。虽然用语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些用语限制。这些用语用于将一个元件、部件、区域、层和/或区段与另一元件、部件、区域、层和/或区段区分开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层和/或区段可在不背离本公开的教导的情况下称为第二元件、部件、区域、层和/或区段。空间相对用语，如“在…之下(beneath)”、“在…下方(below)”、“下部(lower)”、“在…上方(above)”、“上部(upper)”等可在本文中用于描述性的目的，并由此描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。除包括图中所描绘的定向以外，空间相对用语意在包含设备在使用、操作、和/或制造中的不同的定向。例如，如果附图中的设备被反转，则描述为在其它元件或特征的“下方”或“之下”的元件可被定向为在该其它元件或特征的“上方”。因此，示例性用语“在…下方”可包含上方和下方的两个定向。此外，设备可以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它定向)，并由此，本文中所使用的空间相对描述语被相应地解释。本文中所使用的用语是出于描述特定实施方式的目的而不意在限制。除非上下文中明确另有所指，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”意在也包括复数形式。此外，用语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含有(including)”当被用在本说明书中时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在，而不是排除一个或多个其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或附加。在本文中参照截面图示对各种示例性实施方式进行了描述，其中截面图示是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意性图示。由此，因例如制造技术和/或公差而导致的图示形状上变化是意料之中的。因此，本文公开的示例性实施方式不应解释为受限于区域的特定图示形状，而是包括因例如制造而导致的形状上的偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有圆倒角的或弯曲的特征和
/或注入浓度的梯度而非从注入区域至非注入区域的二元改变。同样地，通过注入而形成的埋入区域可在一些注入中产生位本文档来自技高网...

【技术保护点】
掩模框架组件，包括：框架；以及掩模，具有与所述框架接触的第一表面，其中，所述掩模包括：有效区域和形成在所述有效区域中的图案孔，所述图案孔配置为允许沉积材料穿过所述掩模；肋部，布置在所述有效区域的外部并且配置为阻挡所述沉积材料穿过所述掩模；以及非磁性加强件，布置在所述肋部的一部分上。

【技术特征摘要】
2015.04.23 KR 10-2015-00575331.掩模框架组件，包括：框架；以及掩模，具有与所述框架接触的第一表面，其中，所述掩模包括：有效区域和形成在所述有效区域中的图案孔，所述图案孔配置为允许沉积材料穿过所述掩模；肋部，布置在所述有效区域的外部并且配置为阻挡所述沉积材料穿过所述掩模；以及非磁性加强件，布置在所述肋部的一部分上。2.根据权利要求1所述的掩模框架组件，其中：所述掩模还包括加强孔，所述加强孔形成在所述肋部中并且穿过所述肋部；以及所述非磁性加强件通过被注入到所述加强孔中而形成。3.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其中所述图案孔的截面与所述加强孔的截面相对应。4.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件布置为具有与所述加强孔的深度相等的厚度。5.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件布置为具有比所述加强孔的深度小的厚度。6.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件布置为具有比所述加强孔的深度大的厚度。7.根据权利要求6所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件布置为凸出至所述掩模的所述第一表面并且覆盖所述肋部的所述一部
\t分。8.根据权利要求1所述的掩模框架组件，其中：所述掩模还包括加强槽，所述加强槽具有形成在所述肋部中的预定深度；以及所述非磁性加强件布置在所述加强槽中的至少一个中。9.根据权利要求8所述的掩模框架组件，其中所述加强槽形成在所述掩模的所述第一表面和所述掩模的与所述第一表面相对的第二表面中的至少一个表面中。10.根据权利要求8所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件布置为具有与所述加强槽的深度相等的厚度。11.根据权利要求8所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件具有比所述加强槽的深度小的厚度。12.根据权利要求8所述的掩模框架组件，其中所述非磁性加强件...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩政洹，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR