本发明专利技术涉及一种LED封装材料，其由以下原料制备而成：乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷‑羰基‑铂复合物、3，5‑二甲基‑1‑己炔‑3‑醇、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷，所述乙烯基化合物A的化学结构式为所述氢化物B的化学结构式为该LED封装材料的化学结构式为：其中，0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3‑，Ph代表苯基C6H5‑。本发明专利技术同现有技术相比，具有以下优点：在各波长段均表现出优异的透射率和折射率；耐热性能优异，光性能衰减低；加热固化前流动性好，便于对发光二极管进行有效封装；制备方法简单，应用简便高效。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种LED封装材料及其制备方法、应用。
技术介绍
基于氮化镓半导体材料的高亮度发光二极管(LED)随着技术的成熟和单位照度成本的降低，其有望取代传统的白炽灯和荧光灯。为了降低发光二极管单位照度的成本，高折射率的封装材料能够从氮化镓表面提取更多的发射光，这是由于当光线从高折射率区域(氮化镓约为2.5)传播到低折射率区域时，存在全部内反射效应。在封装材料和发光物质间存在折射率不匹配导致额外的光损失。大部分封装材料的折射率为1.5～1.7，这尽管能够增加5％～10％的光输出，但是应用于发光二极管的封装材料需要同时满足热稳定性高、光通量稳定、成本低廉等综合条件。当前大部分发光二极管是通过对液态封装材料分散均匀后加热固化以达到封装效果。发光二极管的封装材料要求是无溶剂的液态配方，这限制了大部分高折射率的材料应用于发光二极管封装领域，同时，发光二极管封装材料还需要具有良好的透光率、热稳定性及光稳定性。现有的发光二极管封装材料在材料流动性、可靠性、隔热性和光性能衰减等方面仍存在很多问题，亟需开发出一种新型的应用于发光二极管的封装材料。本专利技术提出了一种应用于发光二极管的基于苯氧基苯基硅酮的封装材料及其制备方法、应用。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于改善现有的发光二极管封装材料在材料流动性、可靠性、隔热性和光性能衰减方面的不足，本专利技术的目的在于提出一种新型的LED封装材料及其制备方法、应用。本专利技术采用以下技术方案：一种LED封装材料，其由以下原料制备而成：乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、氢化物B、苯基乙烯基 甲基硅烷，所述乙烯基化合物A的化学结构式为所述氢化物B的化学结构式为其0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3-，Ph代表苯基C6H5-。作为本专利技术的进一步改进，所述封装材料的化学结构式为：其中，0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3-，Ph代表苯基C6H5-。更进一步地，所述封装材料在低于4℃条件下可保存至少6个月。还提出一种LED封装材料的制备方法，包括如下步骤：步骤S1：在反应容器中加入乙烯基化合物A，再依次加入环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物和3，5-二甲基-1-己炔-3-醇，乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇三种物质的质量比为30～50∶7～11∶1～3；步骤S2：反应容器在50℃～70℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌30～60分钟；步骤S3：依次将氢化物B和苯基乙烯基甲基硅烷加入反应容器中形成混合物，其中，乙烯基化合物A、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷三者的质量比为30～50∶10～20∶3～5，将反应容器置于50℃～70℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌1～2小时；步骤S4：反应结束后，将混合物冷却至25℃室温，得到封装材料。更进一步地，所述乙烯基化合物A的制备方法如下：包括以下步骤：步骤D1：将4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷加入反应容器中，再往反应容器中依次 加入二苯基二甲氧基硅烷、苯基甲基乙烯基甲氧基硅烷、去离子水和30wt％～50wt％的四丁基氢氧化铵水溶液，4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、苯基甲基乙烯基甲氧基硅烷、去离子水、30wt％～50wt％的四丁基氢氧化铵水溶液五种物质的质量比为210～230∶230～250∶30～50∶80～100∶13～15；步骤D2：反应容器在70℃～90℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌5～7小时，反应过程中，副产物甲醇被蒸馏出；步骤D3：反应结束后，得到蒸馏后的残留物，将反应容器冷却至25℃室温，往反应容器中依次加入甲苯和去离子水得到混合液体，甲苯与去离子水体积比为1～2∶1～2，将混合液体加入分液漏斗中摇动60～120秒后，静置至分层，排出水相，保留有机相；步骤D4：依次用wt/wt质量比为4％～6％的盐酸洗涤有机相三次、用去离子水洗涤有机相两次；步骤D5：将有机相过滤并通过旋转蒸发除去有机相中的甲苯，得到乙烯基化合物A。更进一步地，所述4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷的制备方法如下：包括如下步骤：步骤L1：在反应容器a中依次加入乙醚、镁粉、碘甲烷，乙醚、镁粉、碘甲烷三种物质的质量比为400～600∶8～12∶0.2～0.3；步骤L2：反应容器a在25℃常温下搅拌5～7小时，搅拌反应期间，4-溴二苯醚通过滴液漏斗在5～7小时内逐滴加入反应容器a中，4-溴二苯醚与步骤L1中加入的碘甲烷的质量比为80～120∶0.2～0.3；步骤L3：在反应容器b中依次加入苯基三甲氧基硅烷和无水乙醚，质量比为70～90∶130～150，在25℃常温搅拌反应持续1～2小时；步骤L4：搅拌反应期间，用注射器移取一定量的反应容器a中溶液，在1～2小时内逐滴滴加到反应容器b中形成混合液，其中，注射器移取的反应容器a中溶液与反应容器b中溶液的质量比为80～120∶200～230；步骤L5：反应结束后，将反应容器b中的混合液过滤得到乙醚溶液，然后将乙醚溶液通过无水硫酸镁干燥，最后将除水后的乙醚溶液过滤，旋转蒸发，得到粗产物；步骤L6：将步骤L5得到的粗产物通过蒸馏除去低沸点杂质得到纯净的4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷。更进一步地，所述氢化物B由以下制备方法制备而成：包括如下步骤：步骤N1：将二苯基二甲氧基硅烷、甲基-氢-环状硅氧烷、去离子水、98％的浓硫酸加入反应容器中，四种物质质量比为280～300∶100～120∶70～90∶20～40；步骤N2：反应容器在70℃～90℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌3～6小时，反应过程中，副产物甲醇被蒸馏出；步骤N3：反应结束后，将反应容器冷却至25℃室温，往反应容器中依次加入甲苯和去离子水，甲苯与去离子水体积比为1～2∶1～2，将混合液体加入分液漏斗中摇动60～120秒后，静置至分层，排出水相，保留有机相；步骤N4：将有机相依次用饱和碳酸氢钠溶液洗涤1次、去离子水洗4次，将有机相过滤并通过旋转蒸发除去甲苯，得到氢化物B。更进一步地，所述4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷的化学结构式为 一种LED封装材料的应用，将封装材料加入发光二极管器件中，在130℃～150℃下加热2～4小时，使其进一步加热固化形成交联聚合物，以完成对发光二极管的封装。本专利技术同现有技术相比，有益效果是：在各波长段均表现出优异的透射率和折射率；耐热性能优异，光性能衰减低；加热固化前流动性好，便于对发光二极管进行有效封装；制备方法简单，应用简便高效。具体实施方式为了使本
人员更好地理解本专利技术的技术方案，并使本专利技术的上述特征、目的以及优点更加清晰易懂，可以理解的是实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。产品实施例1本实施例一种LED封装材料由以下原料制备而成：乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷，乙烯基化合物A的化学结构式为氢化物B的化学结构式为 其0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3-，Ph代表苯基C6H本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED封装材料，其特征在于：所述封装材料由以下原料制备而成：乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷‑羰基‑铂复合物、3，5‑二甲基‑1‑己炔‑3‑醇、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷，所述乙烯基化合物A的化学结构式为所述氢化物B的化学结构式为其0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3‑，Ph代表苯基C6H5‑。
【技术特征摘要】
1.一种LED封装材料，其特征在于：所述封装材料由以下原料制备而成：乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷，所述乙烯基化合物A的化学结构式为所述氢化物B的化学结构式为其0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3-，Ph代表苯基C6H5-。2.根据权利要求1所述的一种LED封装材料，其特征在于：所述封装材料的化学结构式为：其中，0≤x、y、u、v≤2000，Me代表甲基CH3-，Ph代表苯基C6H5-。3.根据权利要求2所述的一种LED封装材料，其特征在于：所述封装材料在低于4℃条件下可保存至少6个月。4.根据权利要求1-3任一所述的一种LED封装材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤S1：在反应容器中加入乙烯基化合物A，再依次加入环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物和3，5-二甲基-1-己炔-3-醇，乙烯基化合物A、环乙基甲基硅氧烷-羰基-铂复合物、3，5-二甲基-1-己炔-3-醇三种物质的质量比为30～50∶7～11∶1～3；步骤S2：反应容器在50℃～70℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌30～60分钟；步骤S3：依次将氢化物B和苯基乙烯基甲基硅烷加入反应容器中形成混合物，其中，乙烯基化合物A、氢化物B、苯基乙烯基甲基硅烷三者的质量比为30～50∶10～20∶3～5，将反应容器置于50℃～70℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌1～2小时；步骤S4：反应结束后，将混合物冷却至25℃室温，得到封装材料。5.根据权利要求3所述的一种LED封装材料的制备方法，其特征在于：所述乙烯基化合物A的制备方法如下：包括以下步骤：步骤D1：将4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷加入反应容器中，再往反应容器中依次加入二苯基二甲氧基硅烷、苯基甲基乙烯基甲氧基硅烷、去离子水和30wt％～50wt％的四丁基氢氧化铵水溶液，4-(苯氧基苯基)苯基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、苯基甲基乙烯基甲氧基硅烷、去离子水、30wt％～50wt％的四丁基氢氧化铵水溶液五种物质的质量比为210～230∶230～250∶30～50∶80～100∶13～15；步骤D2：反应容器在70℃～90℃条件下，以200RPM～400RPM的速度持续搅拌5～7小时，反应过程中，副产物甲醇被蒸馏出；步骤D3：反应结束后，得到蒸馏后的残留物，将反应容器冷却至25℃室温，往反应容器中依次加入甲苯和去离子水得到混合液体，甲苯与去离子水体积比为1～2∶1～2，将混合液体加入分液漏斗中摇动60～120秒后，静置至分层，排出水相，保留有机相；步...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏亮，
申请(专利权)人：宁波高新区夏远科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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