连接方法及接合体技术

本申请公开一种连接方法，其是将陶瓷基板(2)的端子(1)与电子零件的端子进行各向异性导电连接，其包括：贴附步骤，将各向异性导电膜贴附在所述陶瓷基板(2)的端子(1)上；载置步骤，在所述各向异性导电膜上载置所述电子零件；和加热按压步骤，利用加热按压构件以小于2MPa的按压力对所述电子零件进行加热及按压；所述陶瓷基板(2)的高度偏差为20μm以上，所述各向异性导电膜含有自由基聚合性物质、热自由基引发剂及平均粒径为13μm以上的导电性粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种连接方法及接合体。
技术介绍
环氧系的各向异性导电粘接膜或自由基聚合系的各向异性导电粘接膜是用作电子零件用的粘接剂(例如参照专利文献1～3)。另外，为了提高粘接剂成分与陶瓷的粘接力，有使用将疏水性二氧化硅表面被二硫醚系硅烷偶联剂表面处理过的二氧化硅粒子调配到各向异性导电膜中的情况(例如参照专利文献4)。有将各向异性导电粘接膜用于将移动设备的照相模块与基板连接的情况。但是，有时照相模块会使用陶瓷基板，在这种情况下，如果不是非常低的压力，则存在基板破裂、或者电子零件发生故障等问题。另外，通常陶瓷基板的端子高度的偏差较大，现有的各向异性导电粘接膜难以应对这种偏差。所述端子高度的偏差会使压接后的软性基板上形成大的凹凸，而在压接后产生斥力。通常的自由基聚合系的各向异性导电粘接膜由于凝聚力小，因此无法抵抗这种斥力，而有导通电阻变大、连接可靠性降低的担忧。另外，近年来随着电子零件的多样化，对于修复性的要求变高，但环氧系的各向异性导电粘接膜由于凝聚力较大，所以虽然连接可靠性优异，但修复性不足。因此，现状是业界正谋求即便存在陶瓷基板的端子高度偏差，易修复性及连接可靠性也优异的连接方法及接合体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利公开第2003-238925号公报专利文献2：日本专利公开第2002-146325号公报专利文献3：日本专利公开第2002-12842号公报专利文献4：日本专利公开第2011-49186号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]本专利技术的课题在于解决现有的所述各问题，从而达成以下的目的。即，本专利技术的目的在于提供一种即便存在陶瓷基板的端子高度偏差，易修复性及连接可靠性也优异的连接方法及接合体。[解决问题的技术手段]用以解决所述课题的手段如以下所述。即，<1>一种连接方法，其是将陶瓷基板的端子与电子零件的端子进行各向异性导电连接，其特征在于包括：贴附步骤，将各向异性导电膜贴附在所述陶瓷基板的端子上；载置步骤，在所述各向异性导电膜上载置所述电子零件；和加热按压步骤，通过加热按压构件以小于2MPa的按压力对所述电子零件进行加热及按压；所述陶瓷基板的高度偏差为20μm以上，所述各向异性导电膜含有自由基聚合性物质、热自由基引发剂及平均粒径为13μm以上的导电性粒子。<2>根据所述<1>所述的连接方法，其中导电性粒子的平均粒径(μm)是陶瓷基板高度偏差(μm)的35％～100％。<3>根据所述<1>至<2>中任一项所述的连接方法，其中各向异性导电膜含有3质量％～20质量％的表面具有有机基的二氧化硅粒子。<4>根据所述<3>所述的连接方法，其中有机基是乙烯基及丙烯酰基中的任一种。<5>根据所述<1>至<4>中任一项所述的连接方法，其中陶瓷基板是照相模块。<6>一种接合体，其特征在于：其是使用如所述<1>至<5>中任一项所述的连接方法而制作。[专利技术的效果]根据本专利技术，可解决现有的所述各问题，而达成所述目的，可提供一种即便存在陶瓷基板的端子高度偏差，易修复性及连接可靠性也优异的连接方法及接合体。附图说明图1是表示陶瓷基板的一个例子的示意图。图2是表示用来求出高度偏差的分布的一个例子的图。具体实施方式(连接方法及接合体)本专利技术的连接方法至少包括贴附步骤、载置步骤以及加热按压步骤，根据需要还包括其它步骤。所述连接方法是将陶瓷基板的端子与电子零件的端子进行各向异性导电连接的连接方法。本专利技术的接合体是通过本专利技术的所述连接方法而制造。<贴附步骤>作为所述贴附步骤，只要是在陶瓷基板的端子上贴附各向异性导电膜的步骤，则没有特别限制，可根据目的而适当选择。<<陶瓷基板>>作为所述陶瓷基板，没有特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举：照相模块、调谐模块、功率放大模块等。-高度偏差-在本专利技术的连接方法中，所述陶瓷基板的高度偏差为20μm以上。在本专利技术的连接方法中，可获得即便使用高度偏差为20μm以上的陶瓷基板，易修复性及连接可靠性也优异的连接方法。-高度偏差的测定-陶瓷基板的高度偏差例如可使用表面粗糙度计(小坂研究所制造，Surfcorder SE-400)来测定。具体而言，对于图1所示的具有端子1的陶瓷基板2，使表面粗糙度计的触针沿着端子1上的图1的箭头方向进行扫描。由此，根据由端子1测得的凹凸以及陶瓷基板的变形，而获得图2所示的扫描分布。根据所获得的分布的大起伏的上部与下部的差来测定偏差。详细而言，根据所述上部中以近距离观察时的小起伏的上部与所述下部中以近距离观察时的小起伏的上部的差，测定出陶瓷基板的高度偏差。<<各向异性导电膜>>所述各向异性导电膜至少含有导电性粒子、自由基聚合性物质以及热自由基引发剂，优选含有二氧化硅粒子，根据需要还含有其它成分。-导电性粒子-作为所述导电性粒子，没有特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举：铜、铁、镍、金、银、铝、锌、不锈钢、赤铁矿(Fe2O3)、磁铁矿(Fe3O4)、通式：MFe2O4、MO·nFe2O3(两式中，M表示二价金属，例如可列举：Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ba、Mg等；n为正整数；此外，所述M在反复出现时可为相同种类也可为不同种类)所表示的各种铁氧体、硅钢粉、镍铁合金、钴基非晶合金、铁硅铝合金、阿尔帕姆高导磁铁铝合金、镍铁钼超导磁合金、锰游合金、铁钴合金、镍铁钴合金等各种金属粉、其合金粉等。另外，可列举在丙烯酸系树脂、丙烯腈-苯乙烯(AS)树脂、苯代三聚氰胺树脂、二乙烯苯系树脂、苯乙烯系树脂等粒子的表面涂布金属而成的粒子、或者在这些粒子的表面进一步涂布绝缘薄膜而成的粒子等。这些中，就连接可靠性的方面而言，更优选在丙烯酸系树脂的粒子的表面涂布Ni-Au而获得的粒子。这些导电性粒子可单独使用一种，也可将两种以上并用。所述导电性粒子的平均粒径为13μm以上，优选15μm～30μm。另外，就确保导通的方面而言，所述导电性粒子的平均粒径(μm)优选为所述陶瓷基板的高度偏差(μm)的35％～100％。所述导电性粒子的粒径可利用扫描型电子显微镜(SEM)来测定。对于所述导电性粒子的粒径测定任意100个时的算术平均值为所述平均粒径。作为所述各向异性导电膜中的所述导电性粒子的含量，没有特别限制，可根据目的而适当选择，相对于所述各向异性导电膜100质量份，优选1质量份～10质量份。-自由基聚合性物质-作为所述自由基聚合性物质，只要为通过所述热自由基引发剂的作用而进行自由基聚合的物质，则没有特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举：环氧丙烯酸酯、丙烯酸氨基甲酸酯、聚酯丙烯酸酯等。所述自由基聚合性物质可单独使用一种，也可将两种以上并用，另外，可为适当合成品，也可为市售品。作为所述各向异性导电膜中的所述自由基聚合性物质的含量，没有特别限制，可根据目的而适当选择，相对于所述各向异性导电膜100质量份，优选10质量份～60质量份，更优选30质量份～60质量份。-热自由基引发剂-作为所述热自由基引发剂，没有特别限制，可根据目的而适当选择，例如可列举本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接方法，其是将陶瓷基板的端子与电子零件的端子进行各向异性导电连接，其特征在于包括：贴附步骤，将各向异性导电膜贴附在所述陶瓷基板的端子上；载置步骤，在所述各向异性导电膜上载置所述电子零件；和加热按压步骤，利用加热按压构件以小于2MPa的按压力对所述电子零件进行加热及按压；所述陶瓷基板的高度偏差为20μm以上，所述各向异性导电膜含有自由基聚合性物质、热自由基引发剂及平均粒径为13μm以上的导电性粒子。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.08 JP 2014-0017041.一种连接方法，其是将陶瓷基板的端子与电子零件的端子进行各向异性导电连接，其特征在于包括：贴附步骤，将各向异性导电膜贴附在所述陶瓷基板的端子上；载置步骤，在所述各向异性导电膜上载置所述电子零件；和加热按压步骤，利用加热按压构件以小于2MPa的按压力对所述电子零件进行加热及按压；所述陶瓷基板的高度偏差为20μm以上，所述各向异性导电膜含有自由基聚合性物质、热自由基引发剂及平均粒径为13μm以上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小高良介，佐藤大祐，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP