本实用新型专利技术公开了一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，包括设置在壳体中的离子源，所述壳体内部中空且一端开口，在壳体中设置有伸缩调节装置，且伸缩调节装置完全封闭壳体的开口端，伸缩调节装置与离子源连接，且伸缩调节装置能够沿着壳体的轴线方向带动离子源在壳体中移动。该装置结构牢固，能够对离子源的整体长度进行精确调节，调节范围大，并且离子源上的部件也容易拆卸更换，降低更换成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种部件易拆卸的产生离子的装置，具体涉及一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置。
技术介绍
目前，人们利用正电子衰变核素来标记生物活性物质，令它们参与人体代谢过程，并探测衰变产生的正电子与电子湮灭发出的光子，对发出这些光子的部位进行图像重建，显示病灶部位特征。回旋加速器是一种加速带电粒子的装置，它产生的带电粒子可以用来轰击靶核生产正电子衰变核素，其中离子源为加速器提供了初始的带电粒子束。其中潘宁离子源为医用回旋加速器提供负氢离子流，负氢离子源稳定可靠的运行关系到整个加速器的运行，引出束流的性能参数将直接影响到加速器的性能指标。目前的潘宁离子源有如下缺陷：它与引出极的相对位置调节精度较差、调节范围较小、控制难度大，不能够很好的与引出极精准对中，同时潘宁离子源的上下盖板、上下支撑座上的循环水管和氢气管均与后端法兰板通过焊接方式进行固定连接，当潘宁离子源上的某一部件损坏时，无法直接更换该部件，便需要重新加工整个离子源。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是现有离子源的长度不能进行调节，控制难度大，不能够很好的与引出极精准对中，当离子源中的某一部件损坏时，无法直接更换该部件，便需要重新加工整个离子源，增大了成本，因此设计了一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，该装置结构牢固，能够对离子源的整体长度进行精确调节，调节范围大，并且离子源上的部件也容易拆卸更换，降低更换成本。本技术通过下述技术方案实现：一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，包括设置在壳体中的离子源，所述壳体内部中空且一端开口，壳体中设置有伸缩调节装置，且伸缩调节装置完全封闭壳体的开口端，伸缩调节装置与离子源连接，且伸缩调节装置能够沿着壳体的轴线方向带动离子源在壳体中移动。现有离子源与引出极的相对位置调节精度较差、调节范围较小、控制难度大，不能够很好的与引出极精准对中，同时离子源的上下盖板、上下支撑座上的循环水管和氢气管均与后端法兰板通过焊接方式进行固定连接，当离子源上的某一部件损坏时，无法直接更换该部件，便需要重新加工整个离子源，而本方案则通过调节伸缩调节装置带动离子源在壳体中移动，使得离子源达到需要的位置，从而在高真空状态下高精度、大范围调节，并且离子源上的部件也容易拆卸更换，降低更换成本。伸缩调节装置包括腔体法兰板、定位法兰板、波纹管、前端法兰板、后端法兰板、调节螺杆、挡板以及支撑座，且腔体法兰板安装在壳体的开口端且密封该开口端，在腔体法兰板远离壳体的端面内凹形成凹槽，定位法兰板设置在凹槽中，波纹管、前端法兰板、后端法兰板、挡板以及支撑座均设置在壳体的空腔中，前端法兰板和后端法兰板相互贴合固定，后端法兰板设置在前端法兰板和腔体法兰板之间，波纹管设置在后端法兰板和腔体法兰板之间，且波纹管的两端分别与后端法兰板和腔体法兰板无缝连接，支撑座、挡板和调节螺杆均设置在波纹管中，支撑座与后端法兰板固定，挡板与支撑座固定，调节螺杆穿过挡板、腔体法兰板和定位法兰板，且调节螺杆能够在挡板、腔体法兰板和定位法兰板中移动。波纹管是指用可折叠皱纹片沿折叠伸缩方向连接成的管状弹性敏感元件，波纹管的端头分别焊接在后端法兰板和腔体法兰板上形成整体结构，从而保证波纹管内部的密封性，在腔体法兰板和定位法兰板上设置有同轴的通孔，用于进气管和循环水管的穿过，同时定位法兰板上设置有螺纹孔，这是调节螺杆穿过的通道，利用螺纹的自锁功能实现调节时的锁定。利用转动调节螺杆来实现波纹管的伸缩，从而拉动离子源移动，改变离子源与壳体端口的距离，使得离子源达到需要的位置，上盖板、下盖板中任一部件损坏时，可直接拆卸，进行更换或者修补。壳体中设置有相互对称的上盖板和下盖板，上盖板设置在下盖板的上方，离子源设置在上盖板和下盖板之间，上盖板和下盖板之间设置有上支撑座和下支撑座，上支撑座与上盖板连接，下支撑座与下盖板连接，上支撑座和下支撑座设置在离子源和腔体法兰板之间，且离子源同时安装在上支撑座和下支撑座上；上盖板和下盖板分别连接有用于水循环的循环水管，上支撑座和下支撑座分别连接有用于进气的进气管，进气管和循环水管穿透前端法兰板和后端法兰板后伸入到波纹管中再穿过腔体法兰板和定位法兰板后设置在壳体外部，且气管和水管能够在波纹管、腔体法兰板以及定位法兰板中移动。盖板和支撑座都是现有结构，现有上下盖板、上下支撑座上的循环水管和氢气管均与后端法兰板通过焊接方式进行固定连接，当离子源上的某一部件损坏时，无法直接更换该部件，便需要重新加工整个离子源。本方案则将通过螺钉对盖板和支撑座进行连接，使得其连接方式灵活，当离子源上的某一部件损坏时，拧松螺钉能够直接对其进行更换，而不需重新加工整个离子源，降低了成本。前端法兰板和后端法兰板之间设置有密封机构一，且密封机构一能够完全封闭前端法兰板和后端法兰板的缝隙；前端法兰板的孔和后端法兰板的孔中均设置有密封机构二，且调节时进气管和循环水管通过对前端法兰板的孔和后端法兰板的孔的端面斜槽挤压密封机构二来密封真空；腔体法兰板与壳体之间设置有密封机构三，且密封机构三同时与腔体法兰板和壳体接触；密封机构一、密封机构二和密封机构三均优选为0型密封圈。密封机构是用于对部件进行密封，用于对端面进行密封或者实现真空度，O型密封圈是一种截面为圆形的橡胶圈，在本方案中O型密封圈用于机械部件在静态条件下防止液体或气体介质的泄露，能够完全封闭前端法兰板和后端法兰板的缝隙，通过对前端法兰板的孔和后端法兰板的孔的端面斜槽挤压O型密封圈来密封真空环境。本技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：该装置结构牢固，能够对离子源的整体长度进行精确调节，调节范围大，并且离子源上的部件也容易拆卸更换，降低更换成本。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本技术实施例的限定。在附图中：图1为本技术结构示意图。附图中标记及对应的零部件名称：1-前端法兰板；2-后端法兰板；3-波纹管；4-腔体法兰板；5-定位法兰板；6-调节螺杆；7-雷莫连接器；8-密封机构一；9-密封机构二；10-支撑座；11-挡板；12-密封机构三；13-进气管；14-循环水管；15-上支撑座；16-上盖板；17-下支撑座；18-下盖板；19-夹子；20-壳体；21-真空区域；22-大气区域。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术作进一步的详细说明，本技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本技术，并不作为对本技术的限定。实施例：如图1所示，一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，包括设置在壳体20中的离子源，所述壳体20内部中空且一端开口，在壳体20中设置有伸缩调节装置，且伸缩调节装置完全封闭壳体20的开口端，伸缩调节装置与离子源连接，且伸缩调节装置能够沿着壳体20的轴线方向带动离子源在壳体20中移动。伸缩调节装置包括腔体法兰板4、定位法兰板5、波纹管3、前端法兰板1、后端法兰板2、调节螺杆6、挡板11以及支撑座10，且腔体法兰板4通过内六角螺钉固定在壳体20的开口端上且密封该开口端，通过腔体法兰板4对端口的密封，在壳体20中形成了真空区域21，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，包括设置在壳体（20）中的离子源，所述壳体（20）内部中空且一端开口，其特征在于，在壳体（20）中设置有伸缩调节装置，且伸缩调节装置完全封闭壳体（20）的开口端，伸缩调节装置与离子源连接，且伸缩调节装置能够沿着壳体（20）的轴线方向带动离子源在壳体（20）中移动。
【技术特征摘要】
1.一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，包括设置在壳体（20）中的离子源，所述壳体（20）内部中空且一端开口，其特征在于，在壳体（20）中设置有伸缩调节装置，且伸缩调节装置完全封闭壳体（20）的开口端，伸缩调节装置与离子源连接，且伸缩调节装置能够沿着壳体（20）的轴线方向带动离子源在壳体（20）中移动。2.根据权利要求1所述的一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，其特征在于，所述伸缩调节装置包括腔体法兰板（4）、定位法兰板（5）、波纹管（3）、前端法兰板（1）、后端法兰板（2）、调节螺杆（6）、挡板（11）以及支撑座（10），且腔体法兰板（4）安装在壳体（20）的开口端且密封该开口端，在腔体法兰板（4）远离壳体（20）的端面内凹形成凹槽，定位法兰板（5）设置在凹槽中，波纹管（3）、前端法兰板（1）、后端法兰板（2）、挡板（11）以及支撑座（10）均设置在壳体（20）的空腔中，前端法兰板（1）和后端法兰板（2）相互贴合固定，后端法兰板（2）设置在前端法兰板（1）和腔体法兰板（4）之间，波纹管（3）设置在后端法兰板（2）和腔体法兰板（4）之间，且波纹管（3）的两端分别与后端法兰板（2）和腔体法兰板（4）无缝连接，支撑座（10）、挡板（11）和调节螺杆（6）均设置在波纹管（3）中，支撑座（10）与后端法兰板（2）固定，挡板（11）与支撑座（10）固定，调节螺杆（6）穿过挡板（11）、腔体法兰板（4）和定位法兰板（5），且调节螺杆（6）能够在挡板（11）、腔体法兰板（4）和定位法兰板（5）中移动。3.根据权利要求2所述的一种在高真空状态下可高精度调节离子源位置的装置，其特征在于，所述壳体（20）中设置有相互对称的上盖板（16）和下盖板（18），上盖板（16）设置在下盖板（18）的上方，离子源设置在上盖板（16）和下盖板（18）之间，上盖板（16）和下盖板（18）之间设置有上支撑座（15）和下...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘尔祥，龙继东，陈宇航，刘平，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：新型
国别省市：四川;51
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