一种阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板的制备方法包括步骤S1：通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率和/或反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层；步骤S2：在完成步骤S1的衬底上形成金属导电膜层；抗反射膜层能对金属导电膜层表面的反射光线进行阻挡。该阵列基板的制备方法能使抗反射膜层形成沙粒化的结构，从而不仅能够对照射到金属导电膜层表面的绝大部分光线形成阻挡，而且还能够减少照射到金属导电膜层表面的光线发生镜面反射，进而减弱或避免了金属导电膜层表面反射光线对阵列基板的显示造成的影响，提高了阵列基板的显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
目前，有一种四边窄边框甚至无边框的显示面板解决方案，就是将TFT基板(即阵列基板)放置在观看侧，CF基板(即彩膜基板)放置在背光侧，这种显示面板可以大幅度地窄化外围电路板PCB贴合一边的边框。但是上述显示面板由于阵列基板位于观看侧，所以外界环境光会直接照射到阵列基板上，这会导致照射到阵列基板金属电极线上的环境光出现反光现象。特别是在外界光线较强时，对屏幕的显示造成严重影响。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板的制备方法能使抗反射膜层形成沙粒化的结构，从而不仅能够对照射到金属导电膜层表面的绝大部分光线形成阻挡，而且还能够减少照射到金属导电膜层表面的光线发生镜面反射，进而减弱或避免了金属导电膜层表面反射光线对阵列基板的显示造成的影响，提高了阵列基板的显示效果。本专利技术提供一种阵列基板的制备方法，包括：步骤S1：通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率和/或反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层；步骤S2：在完成步骤S1的所述衬底上形成金属导电膜层；所述抗反射膜层能对所述金属导电膜层表面的反射光线进行阻挡。优选地，所述通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率在衬底上形成抗反射膜层包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段和所述第二阶段连续进行，且所述第一阶段的反应功率比所述第二阶段的反应功率高或低50％以上。优选地，所述通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段和所述第二阶段连续进行，且所述第一阶段的反应气体流量比所述第二阶段的反应气体流量高20％以上或低50％以上。优选地，所述第一阶段为所述抗反射膜层沉积开始时的1-3秒内。优选地，所述抗反射膜层包括氮化硅膜层和/或非晶硅膜层。优选地，在形成所述非晶硅膜层时，所述步骤S1还包括对所述非晶硅膜层进行掺杂，以使所述非晶硅膜层的颜色变深。优选地，在所述步骤S1之前或之后还包括形成氧化铟锡膜层并对所述氧化铟锡膜层进行雾化的步骤。优选地，还包括步骤S3：对所述抗反射膜层、所述氧化铟锡膜层和所述金属导电膜层进行一次构图工艺，以形成包括金属导电层、抗反射层和氧化铟锡层的图形。本专利技术还提供一种采用如上述的制备方法制备而成的阵列基板，包括衬底和金属导电层，还包括抗反射层，所述抗反射层和所述金属导电层依次叠覆在所述衬底上，所述抗反射层能对所述金属导电层反射向所述衬底的光线进行阻挡。优选地，所述抗反射层和所述金属导电层完全重合，所述抗反射层包括氮化硅层和/或非晶硅层。优选地，还包括雾化氧化铟锡层，所述雾化氧化铟锡层位于所述抗反射层与所述金属导电层之间，或者，所述雾化氧化铟锡层位于所述抗反射层与所述衬底之间。本专利技术还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。优选地，还包括彩膜基板和背光源，所述阵列基板和所述彩膜基板对盒设置，所述背光源设置在所述彩膜基板背对所述阵列基板的一侧。本专利技术的有益效果：本专利技术所提供的阵列基板的制备方法，通过调节成膜时的反应功率和/或反应气体的流量形成抗反射膜层，能使抗反射膜层形成沙粒化的结构，沙粒化结构使抗反射膜层凹凸不平，粗糙度比较高，这使外界照射到其上的光线不容易透过且会发生散射，能够防止或减少照射到其上的光线发生透射和镜面反射，从而不仅能够对照射到金属导电膜层表面的绝大部分光线形成阻挡，而且还能够减少照射到金属导电膜层表面的光线发生镜面反射，进而减弱或避免了金属导电膜层表面反射光线对阵列基板的显示造成的影响，提高了阵列基板的显示效果。本专利技术所提供的显示装置，通过采用上述制备方法制备而成的阵列基板，能避免朝外设置的阵列基板上的金属导电层对外界光线形成反射，从而减弱或避免了由于金属导电层的反光对显示装置的正常显示造成的影响，提高了显示装置的显示效果。附图说明图1为本专利技术实施例1中阵列基板的制备方法步骤S1的示意图；图2为本专利技术实施例1中阵列基板的制备方法步骤S2的示意图；图3为本专利技术实施例1步骤S1中在衬底上沉积抗反射膜层时在生成的沙粒化晶种基础上形成沙粒状鼓包的示意图；图4为本专利技术实施例1中抗反射膜层的微观形貌及其形貌局部的放大示意图；图5为本专利技术实施例1中阵列基板的一种结构剖视图；图6为本专利技术实施例1中阵列基板的另一种结构剖视图；图7为本专利技术实施例3中阵列基板的结构剖视图。其中的附图标记说明：1.衬底；2.抗反射膜层；3.金属导电膜层；4.金属导电层；5.抗反射层；51.氮化硅层；52.非晶硅层；6.雾化氧化铟锡层。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术所提供的一种阵列基板及其制备方法和显示装置作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图1和图2所示，包括：步骤S1：通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率在衬底1上形成抗反射膜层2(如图1所示)。该步骤包括第一阶段和第二阶段，第一阶段和第二阶段连续进行，且第一阶段的反应功率比第二阶段的反应功率高或低50％以上。其中，第一阶段为抗反射膜层2沉积开始时的1-3秒内。该步骤的具体过程为：在抗反射膜层2沉积开始时的1-3秒内，将反应功率调节为第一阶段的反应功率；然后，将第一阶段的反应功率调节为第二阶段的反应功率，继续进行抗反射膜层2沉积直到抗反射膜层2沉积完毕。本实施例中，抗反射膜层2为氮化硅膜层。如以8.5G产线增强型化学气相沉积法形成氮化硅膜层为例，抗反射膜层2的厚度大概为工艺中在衬底上沉积约的氮化硅膜层，第二阶段的反应功率为22kw，压力为1500mT，在成膜的前1-3秒期间，将反应功率从22kw骤降(或骤升)至50w左右(即第一阶段的反应功率)，然后再将反应功率升高(或降低)至正常的22kw(即第二阶段的反应功率)，反应功率的骤降(或骤升)会在氮化硅膜层界面生成沙粒化的晶种，反应功率恢复平稳后，沙粒化的晶种继续生长，形成类似沙粒的鼓包，鼓包以外的其它地方形成正常的氮化硅膜层(如图3和图4所示)。由于“沙粒”的内部和截面存在许多不确定的缺陷态，外界照射到其上的光线有一部分会被吸收，还有一部分发生散射；同时“沙粒”会使氮化硅膜层凹凸不平，粗糙度比较高，从而使该氮化硅膜层能够起到防止或减少照射到其上的光线发生透射和镜面反射的作用。需要说明的是，在抗反射膜层2沉积的过程中，第一阶段的反应功率也可以在沉积过程的中间阶段或末尾阶段进行，但抗反射膜层2的沙粒化效果均不如将第一阶段的反应功率设置在沉积的开始阶段好，所以优选将第一阶段的反应功率设置在抗反射膜层2沉积开始时的1-3秒内。步骤S2：在完成步骤S1的衬底1上形成金属导电膜层3(如图2所示)。抗反射膜层2能对金属导电膜层3表面的反射光线进行阻挡。该步骤中，金属导电膜层3采用溅射沉积工艺形成，具体溅射沉积工艺这里不再赘述。由于氮化硅膜层凹凸不平，粗糙度比较高，使得经过氮化硅膜层后只有一小部分光线透射到金属导电膜层3表面，且透射到金属导电膜层3表面的一小部分光线也会发生漫反射，而不是镜面反射，从而不仅对照射到金属导电膜层3表面的绝大部分光线形成了阻挡，而且还起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率和/或反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层；步骤S2：在完成步骤S1的所述衬底上形成金属导电膜层；所述抗反射膜层能对所述金属导电膜层表面的反射光线进行阻挡。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1：通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率和/或反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层；步骤S2：在完成步骤S1的所述衬底上形成金属导电膜层；所述抗反射膜层能对所述金属导电膜层表面的反射光线进行阻挡。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应功率在衬底上形成抗反射膜层包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段和所述第二阶段连续进行，且所述第一阶段的反应功率比所述第二阶段的反应功率高或低50％以上。3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述通过调节化学气相沉积法形成膜层时的反应气体的流量在衬底上形成抗反射膜层包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段和所述第二阶段连续进行，且所述第一阶段的反应气体流量比所述第二阶段的反应气体流量高20％以上或低50％以上。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一阶段为所述抗反射膜层沉积开始时的1-3秒内。5.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述抗反射膜层包括氮化硅膜层和/或非晶硅膜层。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述非晶硅膜层时，所述步骤S1还包括对所述非晶硅膜层进行掺杂，以使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梁梁，郭会斌，王守坤，冯玉春，刘耀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11