一种防污弹性纳米压印印章的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种防污弹性纳米压印印章的制备方法，包括如下步骤：称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，研磨得到混合物，将混合物加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过搅拌，静置，称取蒙脱土，静置后微微加热，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。本发明专利技术具有脱模性较好，提高整体使用寿命，降低更换成本，工艺简单、效率高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种防污弹性纳米压印印章的制备方法。
技术介绍
聚二甲基硅氧烷硅橡胶是用于制作软刻蚀技术中弹性印章的最常用材料，但使用单一的硅橡胶制作的印章存在易变形易溶胀等缺点，传统的的制备方法样品会受到一定程度的损伤，同时产率低，制备出来的产品不理想，普通的印章长时间使用后难以保证其准确的章印，影响后期使用的质量，并且长时间使用后容易沾染印泥，影响印章的整体视觉，并且无法保持印章表面的清洁，纳米印章越容易引起聚合物和印章间的粘连，这些对印章的寿命有着非常重要的影响。
技术实现思路
本专利技术目的：本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足，提供一种脱模性较好，提高整体使用寿命，降低更换成本，工艺简单、效率高防污弹性纳米压印印章的制备方法。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现一种防污弹性纳米压印印章的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在80℃-150℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置12-36h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置6-10h后微微加热至40℃-60℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空10-20min，以脱除其中的气泡，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，随即将复合物浇注在已刻有图纹的光刻模板上于室温固化20-24h，轻轻剥下纳米复合物，此时纳米复合物表面已复制有光刻模板上的图纹即得到弹性印章。(4)将弹性印章用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。进一步的，防污剂具体为天然纳米防污材料。本专利技术的与现有方法相比具有以下优点：添加纳米硅胶成分，改变单一的常见材料的加工，同时提高印章的弹性，使印章不易变形，保证后期使用的清晰性以及准确性，防污剂形成纳 米级球状的结晶养护层，即能出色地防止多种水污染物的进入，又不影响基材颜色和透气性，避免了基材内部湿气滞留造成的基材病变；灰尘和污染只能浮于基材表面,清洗方便，由于蒙脱土的分散作用大大增加了固化体系的表面积为固化反应提供了更多的反应位点，从而缩短了固化反应时间，整体制备工艺较为简单，健康环保，保障制作人员的健康，无毒无刺鼻性气味，并且脱模性较高，保证印章生产过程中不受破损，保证其质量，使用寿命提高，减少更换成本。具体实施方式为了加深本专利技术的理解，下面我们对本专利技术作进一步详述，该实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。实施例1(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在80℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置24h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置8h后微微加热至60℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空10min，以脱除其中的气泡，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，随即将复合物浇注在已刻有图纹的光刻模板上于室温固化24h，轻轻剥下纳米复合物，此时纳米复合物表面已复制有光刻模板上的图纹即得到弹性印章。(4)将弹性印章用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。实施例2(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在100℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置12h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置10h后微微加热至50℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空15min，以脱除其中的气泡，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，随即将复合物浇注在已刻有图纹的光刻模板上于室温固化22h，轻轻剥下纳米复合物，此时纳米复合物表面已复制有光刻模板上的图纹即得到弹性印章。(4)将弹性印章用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。实施例3(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在150℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置36h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置6h后微微加热至40℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空20min，以脱除其中的气泡，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，随即将复合物浇注在已刻有图纹的光刻模板上于室温固化20h，轻轻剥下纳米复合物，此时纳米复合物表面已复制有光刻模板上的图纹即得到弹性印章。(4)将弹性印章用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。上述具体实施方式，仅为说明本专利技术的技术构思和结构特征，目的在于让熟悉此项技术的相关人士能够据以实施，但以上内容并不限制本专利技术的保护范围，凡是依据本专利技术的精神实质所作的任何等效变化或修饰，均应落入本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防污弹性纳米压印印章的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在80℃‑150℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置12‑36h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置6‑10h后微微加热至40℃‑60℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空10‑20min，以脱除其中的气泡，再将纳米复合物上涂抹一层脱模剂，加热使其成型，随即将复合物浇注在已刻有图纹的光刻模板上于室温固化20‑24h，轻轻剥下纳米复合物，此时纳米复合物表面已复制有光刻模板上的图纹即得到弹性印章。(4)将弹性印章用等离子体将多余的光刻胶去除，然后用氩离子束进行刻蚀，刻蚀完成后用去铬液将铬膜去除，即可得到所需的纳米印章。

【技术特征摘要】
1.一种防污弹性纳米压印印章的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)称取适量的基本材料，以及防污剂和纳米硅胶混合，经过纳米级的研磨得到混合物，将混合物在80℃-150℃下加热，加入适量的水，将混合物制成液体，再经过高速搅拌，静置12-36h。(2)按比例称取一定量的蒙脱土，并与(1)中制得的溶剂搅拌使混合均匀，静置6-10h后微微加热至40℃-60℃，然后使溶剂挥发冷却至室温，制得纳米复合物。(3)将纳米复合物置于真空干燥器中抽真空10-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，
申请(专利权)人：无锡英普林纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32