一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片技术

一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片，用于给芯片确定适宜的驱动电流。该确定芯片管脚驱动电流的方法包括如下步骤：检测该芯片的工艺参数；获得该芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据该第一映射确定与该芯片的工艺参数以及该芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定该芯片管脚的驱动电流为该第一驱动电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及计算机领域，特别涉及一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片。
技术介绍
芯片的工艺偏差导致同样配置下芯片管脚的驱动能力差异较大，例如，在根据工艺角(英文：Process Corner)将芯片分为SS、TT、FF等不同类型时，在相同的驱动电流和驱动电压下，FF芯片管脚的驱动能力最强，TT芯片管脚的驱动能力次之，SS芯片管脚的驱动能力最弱。目前，芯片制造者为了保证驱动能力较弱的芯片管脚的驱动能力，一般基于SS芯片发布芯片管脚的驱动电流，但是，基于SS芯片管脚驱动能力发布的驱动电流会使得TT芯片和FF芯片管脚的驱动能力过高，不仅会导致TT芯片和FF芯片功耗增加，还会造成TT芯片和FF芯片管脚的信号质量劣化。
技术实现思路
本申请提供一种确定芯片管脚驱动电流的方法、设备及芯片，用于给芯片确定适宜的驱动电流。第一方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的方法，包括：检测所述芯片的工艺参数，工艺参数可以为芯片的工艺角(英文：process corner)类型；获得所述芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并将所述第一驱动电流作为所述芯片管脚的驱动电流。上述步骤可以由芯片自身执行，如由芯片内部的专用集成电路(英文：application specific integrated circuit，ASIC)执行上述步骤，或者，由芯片内部的中央处理器(英文：central processing unit，CPU)来执行上述步骤；另外，上述步骤也可以由与芯片进行通信的外部器件执行。上述方案中，由于该第一映射为根据大量的仿真结果或实验结果所确定的每一种工艺参数、驱动电压组合下适宜的驱动电流，该驱动电流能够兼顾芯片管脚的驱动能力以及芯片管脚的信号质量，提高芯片的整体性能。在一种可选的实现中，通过检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。在一种可选的实现中，在所述确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流之后，将所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以便在芯片下一次启动时，芯片能够读取该存储单元中存储的第一驱动电流，进而将自身的驱动电流配置为该第一驱动电流，而不用再一次执行步骤101至步骤103，减少芯片确定自身驱动电流的时间，使芯片能够快速启动。在一种可选的实现中，在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。本实现中芯片能够获得自身的温度，并根据工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射，确定出芯片当前工作条件下适宜的驱动电流，保证芯片具有较佳的性能。第二方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，该设备用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该定位设备包括用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法的模块。第三方面，本申请实施例提供一种芯片，该芯片用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该芯片包括工艺参数检测单元、接口、存储单元以及处理单元，该工艺参数检测单元用于检测芯片的工艺参数，该接口用于从外部存储器获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射，该存储单元用于存储芯片管脚的驱动电压以及接口获得的第一映射，该处理单元用于通过接口、存储单元以及工艺参数检测单元执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。第四方面，本申请实施例提供一种确定芯片管脚驱动电流的设备，该设备用于执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。具体的，该设备包括：处理单元、存储单元以及接口。其中，存储单元用于存储指令；接口用于连接芯片，实现设备与芯片的通信。处理单元用于通过接口以及存储单元执行上述第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法。第五方面，本申请提供了一种计算机可读介质，用于存储计算机程序，该计算机程序包括用于执行第一方面或第一方面的任意可能的实现中的方法的指令。本申请在上述各方面提供的实现的基础上，还可以进行进一步组合以提供更多实现。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例1中确定芯片管脚驱动电流方法的流程示意图；图2为本申请实施例1中确定芯片管脚驱动电流方法的另一流程示意图；图3为本申请实施例2中外部器件与芯片的连接关系的示意图；图4为本申请实施例3中确定芯片管脚驱动电流设备的结构示意图；图5为本申请实施例4中芯片的结构示意图；图6为本申请实施例5中确定芯片管脚驱动电流设备的结构示意图。具体实施方式下面通过附图以及具体实施例对本申请技术方案做详细的说明，应当理解本申请实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。在制造芯片时，不同批次的芯片之间不可避免地存在工艺偏差，且同一批次的芯片之间也同样存在工艺偏差，工艺偏差将导致芯片性能偏差，例如，在相同驱动电流和驱动电压下芯片管脚的驱动能力不同。通常，芯片管脚的驱动电压是给定的，为了保证所有芯片都有足够的驱动能力，芯片制造者基于驱动能力较差的芯片提供指导驱动电流，但是，在该指导驱动电流下，驱动能力较强的芯片管脚的驱动能力会过大，不仅增加功耗，还会导致芯片管脚的信号质量劣化，例如，驱动电流过大时，芯片管脚信号的信号完整性(英文：signal integrity，SI)变差，且芯片的输入/输出(英文：input/output，IO)接口的电磁干扰(英文：electro magnetic interference，EMI)增强。实施例1图1为本申请实施例1提供的确定芯片管脚驱动电流的方法，该方法由该芯片自身执行，包括如下步骤：步骤101：检测芯片的工艺参数；具体的，芯片的工艺参数用于表征芯片的工艺偏差水平，工艺参数可以有多种实现方式。例如，工艺参数可以为工艺角(英文：process corner)类型，在3工艺角模型中，芯片被分为TT、FF、SS三类，其中，TT指的是N型场效应晶体管的典型工艺角和P型场效应晶体管的典型工艺角(英文：NFET-Typical corner&PFET-Typical corner)，FF指的是N型场效应晶体管的快工艺角和P型场效应晶体管的快工艺角(英文：NFET-Fast corner&PFET-Fast corner)，SS指的是N型场效应晶体管的慢工艺角和P型场效应晶体管的慢工艺角(英文：NFET-Slow corner&PFET-Slow corner)。具体实施时，工艺角类型不限于上述3工艺角模型中的三种，还可以为其他模型中定义的各种工艺角，如5工艺角模型中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种确定芯片管脚驱动电流的方法，其特征在于，包括：检测所述芯片的工艺参数；获得所述芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。

【技术特征摘要】
1.一种确定芯片管脚驱动电流的方法，其特征在于，包括：检测所述芯片的工艺参数；获得所述芯片管脚的驱动电压；获得工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测芯片的工艺参数，包括：检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流之后，所述方法还包括：将所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以使所述芯片从所述存储单元读取作为驱动电流的所述第一驱动电流。4.如权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，还包括；在所述芯片工作时，获得所述芯片的工作温度；获得工艺参数、驱动电压、工作温度与驱动电流的第二映射；根据所述第二映射确定与所述芯片的工艺参数、所述芯片管脚的驱动电压以及所述工作温度对应的第二驱动电流；将所述芯片管脚的驱动电流调整为所述第二驱动电流。5.一种确定芯片管脚驱动电流的设备，其特征在于，包括：检测模块，用于检测所述芯片的工艺参数；获得模块，用于获得所述芯片管脚的驱动电压以及工艺参数、驱动电压与驱动电流的第一映射；确定模块，用于根据所述第一映射确定与所述芯片的工艺参数以及所述芯片管脚的驱动电压对应的第一驱动电流，并确定所述芯片管脚的驱动电流为所述第一驱动电流。6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述检测模块具体用于：检测所述芯片的时序特性，根据检测的所述时序特性确定所述芯片的工艺参数。7.如权利要求5或6所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：保存单元，用于将所述确定模块确定的所述第一驱动电流写入所述芯片的存储单元，以使所述芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张潜龙，靳亚东，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44