一种多电路处理型LED恒流驱动电源制造技术

技术编号:13908209 阅读:127 留言:0更新日期:2016-10-26 17:19
本发明专利技术公开了一种多电路处理型LED恒流驱动电源,其特征在于,主要由控制芯片U2,二极管整流器U1,三极管VT1,三极管VT2,极性电容C1,极性电容C5,二极管D5,过压保护电路,浪涌电压抑制电路,场效应恒流驱动电路,以及串接在控制芯片U2的DRV管脚与场效应恒流驱动电路之间的电流检测电路组成。本发明专利技术能对输入电压的瞬间高电压进行消除或抑制,并且本发明专利技术能提高电压的耐压性,并能对电流的中间零点偏移进行控制,从而确保了本发明专利技术能输出稳定的电压和电流,有效的确保了LED灯亮度的稳定性,同时有效的延长了LED灯的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域,具体的说,是一种多电路处理型LED恒流驱动电源
技术介绍
LED灯作为新型节能光源,以其环保、节能、寿命长、体积小等特点,已经被人们广泛接纳和采用。由于LED是特性敏感的半导体器件,又具有负温度特性,因此在应用过程中,LED电源对于促使LED处于稳定的工作状态起着相当重要的作用。目前使用的LED电源因受到外界的电磁波干扰而存在输出电压和电流不稳定的问题,导致LED灯的亮度不稳定,从而影响了LED灯的使用寿命。因此,提供一种能输出稳定的电压和电流的LED恒流电源便是当务之急。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的LED电源因受到外界的电磁波干扰而存在输出电压和电流不稳定的缺陷,提供的一种多电路处理型LED恒流驱动电源。本专利技术通过以下技术方案来实现:一种多电路处理型LED恒流驱动电源,主要由控制芯片U2,二极管整流器U1,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R7后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5,N极经电阻R11后与控制芯片U2的DRV管脚相连接、P极经电阻R8后与三极管VT2的基极相连接的二极管D5,串接在二极管整流器U1与控制芯片U2之间的过压保护电路,串接在二极管整流器U1的负极输出端与过压保护电路之间的浪涌电压抑制电路,分别与三极管VT1的集电极和控制芯片U2相连接的场效应恒流驱动电路,以及串接在控制芯片U2的DRV管脚与场效应恒流驱动电路之间的电流检测电路组成;所述三极管VT1的发射极与二极管整流器U1的正极输出端相连接;所述控制芯片U2的FB管脚与三极管VT2的发射极相连接、其GND管脚接地;所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成本恒流驱动电源的输入端;所述场效应恒流驱动电路的输出端作为本恒流驱动电源的输出端。进一步,所述电流检测电路由放大器P,三极管VT8,正极经电阻R26后与放大器P的正极相连接、负极与控制芯片U2的DRV管脚相连接的极性电容C14,正极经电阻R24后与极性电容C14的负极相连接、负极接地的极性电容C15,P极顺次经电阻R28和电阻R25后与极性电容C14的正极相连接、N极经电阻R31后与三极管VT8的集电极相连接的二极管D11,负极经电阻R27后与放大器P的负极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT8的基极相连接的极性电容C16,P极经电阻R21后与放大器P的输出端相连接、N极与场效应恒流驱动电路相连接的二极管D12,以及正极与二极管D12的N极相连接、负极与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C17组成;所述三极管VT8的集电极接地;所述极性电容C16的负极接地。所述浪涌电压抑制电路由场效应管MOS2,三极管VT6,三极管VT7,正极经电阻R17后与场效应管MOS2的源极相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C10,P极电阻R16后与极性电容C10的正极相连接、N极与三极管VT6的发射极相连接的二极管D8,负极与场效应管MOS2的栅极相连接、正极经电阻R18后与二极管D8的P极相连接的极性电容C11,N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极经电阻R19后与三极管VT6的基极相连接的二极管D9,一端与极性电容C11的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的栅极相连接的可调电阻R20,正极与二极管D9的N极相连接、负极经电阻R21后与三极管VT7的基极相连接的极性电容C12,正极经电阻R23后与三极管VT7的集电极相连接、负极接地的极性电容C13,一端与场效应管MOS2的漏极相连接、另一端与三极管VT7的发射极相连接的电阻R22,以及P极与场效应管MOS2的源极相连接、N极与场效应管MOS2的漏极相连接的二极管D10组成;所述三极管VT6的集电极接地;所述三极管VT7的发射极与过压保护电路相连接。所述过压保护电路由三极管VT3,三极管VT4,P极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、N极经电阻R6后与三极管VT4的基极相连接的二极管D4,负极经电阻R5后与三极管VT4的基极相连接、正极与三极管VT3的基极相连接的极性电容C2,正极与控制芯片U2的VON管脚相连接、负极经电阻R4后与三极管VT3的发射极相连接的极性电容C4,P极与三极管VT7的发射极相连接、N极与极性电容C4的负极相连接的二极管D3,N极与控制芯片U2的CS管脚相连接、P极经电阻R3后与极性电容C4的负极相连接的二极管D2,一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与控制芯片U2的IN管脚相连接的电感L1,正极电阻R1后与三极管VT3的集电极相连接、负极经电阻R2后与三极管VT4的集电极相连接的极性电容C3,以及P极与三极管VT3的集电极相连接、N极与极性电容C3的负极相连接的二极管D1组成;所述极性电容C3的负极接地;所述二极管D2的P极与三极管VT4的集电极相连接。所述场效应恒流驱动电路由场效应管MOS1,三极管VT5,正极经电阻R15后与控制芯片U2的VM管脚相连接、负极经电阻R14后与三极管VT5的发射极相连接的极性电容C9,负极与控制芯片U2的VM管脚相连接、正极经电阻R12后与场效应管MOS1的源极相连接的极性电容C8,一端与三极管VT5的集电极相连接、另一端与控制芯片U2的VM管脚相连接的可调电阻R13,负极经电阻R10后与三极管VT5的发射极相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C6,N极与场效应管MOS1的漏极相连接、P极经电感L2后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D6,P极经电阻R9后与二极管D6的P极相连接、N极与场效应管MOS1的源极共同形成场效应恒流驱动电路的输出端的稳压二极管D7,以及正极与稳压二极管D7的N极相连接、负极与场效应管MOS1的源极相连接后接地的极性电容C7组成;所述三极管VT5的基极与二极管D12的N极相连接;所述极性电容C9的负极接地。为了本专利技术的实际使用效果,所述控制芯片U2优先采用NCP1653集成芯片来实现。本专利技术与现有技术相比,具有以下优点及有益效果:(1)本专利技术能对输入电压的瞬间高电压进行消除或抑制,并且本专利技术能提高电压的耐压性,并能对电流的中间零点偏移进行控制,从而确保了本专利技术能输出稳定的电压和电流,有效的确保了LED灯亮度的稳定性,同时延长了LED灯的使用寿命。(2)本专利技术能有效的降低输出电流的泄露电流和损耗电流,并能抑制输出电流的异常波动,使输出电流保持稳定,从而提高了本专利技术的输出电流的稳定性。(3)本专利技术能对输入电压产生的瞬态高浪涌电流进行抑制,有效地将浪涌电流减小到允许的范围内,从而提高了本专利技术输出电压和电流的稳定性。(4)本专利技术的控制芯片U2优先采用了NCP1653集成芯片来实现,该芯片与外部电路相结合有效的提高了输出电压和电流的稳定性,从而确保了本专利技术能输出稳定的电压和电流。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的浪涌电压抑制电路的电路结构示意图。图3为本专利技术的电流检测电路的电路结构示意图。具体实施方式下面结合实施例及其附图对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示,本专利技术主要由控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多电路处理型LED恒流驱动电源,其特征在于,主要由控制芯片U2,二极管整流器U1,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R7后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5,N极经电阻R11后与控制芯片U2的DRV管脚相连接、P极经电阻R8后与三极管VT2的基极相连接的二极管D5,串接在二极管整流器U1与控制芯片U2之间的过压保护电路,串接在二极管整流器U1的负极输出端与过压保护电路之间的浪涌电压抑制电路,分别与三极管VT1的集电极和控制芯片U2相连接的场效应恒流驱动电路,以及串接在控制芯片U2的DRV管脚与场效应恒流驱动电路之间的电流检测电路组成;所述三极管VT1的发射极与二极管整流器U1的正极输出端相连接;所述控制芯片U2的FB管脚与三极管VT2的发射极相连接、其GND管脚接地;所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成本恒流驱动电源的输入端;所述场效应恒流驱动电路的输出端作为本恒流驱动电源的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种多电路处理型LED恒流驱动电源,其特征在于,主要由控制芯片U2,二极管整流器U1,三极管VT1,三极管VT2,正极与二极管整流器U1的正极输出端相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C1,正极与三极管VT1的基极相连接、负极经电阻R7后与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5,N极经电阻R11后与控制芯片U2的DRV管脚相连接、P极经电阻R8后与三极管VT2的基极相连接的二极管D5,串接在二极管整流器U1与控制芯片U2之间的过压保护电路,串接在二极管整流器U1的负极输出端与过压保护电路之间的浪涌电压抑制电路,分别与三极管VT1的集电极和控制芯片U2相连接的场效应恒流驱动电路,以及串接在控制芯片U2的DRV管脚与场效应恒流驱动电路之间的电流检测电路组成;所述三极管VT1的发射极与二极管整流器U1的正极输出端相连接;所述控制芯片U2的FB管脚与三极管VT2的发射极相连接、其GND管脚接地;所述二极管整流器U1的两个输入端共同形成本恒流驱动电源的输入端;所述场效应恒流驱动电路的输出端作为本恒流驱动电源的输出端。2.根据权利要求1所述的一种多电路处理型LED恒流驱动电源,其特征在于,所述电流检测电路由放大器P,三极管VT8,正极经电阻R26后与放大器P的正极相连接、负极与控制芯片U2的DRV管脚相连接的极性电容C14,正极经电阻R24后与极性电容C14的负极相连接、负极接地的极性电容C15,P极顺次经电阻R28和电阻R25后与极性电容C14的正极相连接、N极经电阻R31后与三极管VT8的集电极相连接的二极管D11,负极经电阻R27后与放大器P的负极相连接、正极经电阻R30后与三极管VT8的基极相连接的极性电容C16,P极经电阻R21后与放大器P的输出端相连接、N极与场效应恒流驱动电路相连接的二极管D12,以及正极与二极管D12的N极相连接、负极与三极管VT8的发射极相连接的极性电容C17组成;所述三极管VT8的集电极接地;所述极性电容C16的负极接地。3.根据权利要求2所述的一种多电路处理型LED恒流驱动电源,其特征在于,所述浪涌电压抑制电路由场效应管MOS2,三极管VT6,三极管VT7,正极经电阻R17后与场效应管MOS2的源极相连接、负极与二极管整流器U1的负极输出端相连接的极性电容C10,P极电阻R16后与极性电容C10的正极相连接、N极与三极管VT6的发射极相连接的二极管D8,负极与场效应管MOS2的栅极相连接、正极经电阻R18后与二极管D8的P极相连接的极性电容C11,N极与场效应管MOS2的栅极相连接、P极经电阻R19后与三极管VT6的基极相连接的二极管D9,一端与极性电容C11的正极相连接、另一端与场效应管MOS2的栅极相连接的可调电阻R20,正极与二极管D9的N极相连接...

【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人
申请(专利权)人:成都奥卡卡科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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