用于双向器件制造的系统和方法技术方案

用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理在没有附接操作晶片的情况下发生，或者在附接有高温操作晶片的情况下发生。一旦中温操作晶片被附接，则不会发生高温处理步骤。高温可以被认为是存在铝基金属时可能对所述器件造成损坏的那些温度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】交叉引用要求通过引用被并入本文的2013年12月11日递交的61/914491的优先权。还要求通过引用被并入本文的2014年1月8日递交的61/924884的优先权。还要求通过引用被并入本文的2014年1月21日递交的61/929874的优先权。还要求通过引用被并入本文的2014年6月24日递交的14/313960的优先权。还要求通过引用被并入本文的2014年1月17日递交的61/928644的优先权。背景本申请涉及半导体器件制造，并且更具体地涉及双侧面和双向半导体器件的制造。注意到下文讨论的要点可能体现由已公开的专利技术得到的后见之明，并且不一定被承认为现有技术。通过引用被并入本文的共同所有并且共同未决的申请14/313960教导了新颖的被称为B-TRAN的双向双极晶体管。B-TRAN是每个表面上具有至少两个引线(leads)的三层四端子的双向双极晶体管。取决于所施加的电压的极性，B-TRAN的每个表面上的一个结充当发射极或者集电极。照惯例，因为大部分常规的制造没有被设计为允许每个晶片表面上具有多个电极，因此双侧面器件(如B-TRAN和双向IGBT)的制造是复杂并且昂贵的。大多数集成电路使得所述集成电路的所有单个部件都被制造在芯片的前表面上，尽管可以对芯片的后表面作出电接触。具有三个或更多个端子的大多数分立器件被类似地配置，其中顶部表面具有两个或更多个单独的引线，而整个后表面是另一个电引线。然而，将器件的一个侧面限制为只有单个电引线必然妨碍在两个表面上都具有两个或更多个引线的任何器件的制造。用于双向器件制造的系统和方法除了其他创新之外，本申请教导用于制造双侧面半导体器件的方法，其中多个引线可以被形成在器件的每个表面上。除了其他创新之外，本申请还教导用于制造双侧面半导体器件的系统，其中多个引线可以被形成在器件的每个表面上。除了其他创新之外，本申请还教导用于操作用以制造双侧面半导体器件的系统的方法，其中多个引线可以被形成在器件的每个表面上。在各种公开的实施例中，通过使用至少两个操作晶片的制造顺序实施上述创新，包括单次长时间掺杂剂扩散步骤，该步骤可以被使用来在器件的两个侧面上注入掺杂剂。耐高温和耐中温的操作晶片有利于制造。附图说明公开的专利技术将参考所附的附图被描述，所述附图示出重要的示例性实施例并且所述附图通过引用被合并在本文的说明书中，其中：图1图示示出根据本专利技术的处理流程的一个示例性实施例。图2A示出根据本专利技术制造的B-TRAN的一个示例性实施例。图2B示出根据本专利技术制造的双向p沟道IGBT的一个示例性实施例。图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G、3H、3I、3J和3K示出根据本专利技术的制造工艺的一个示例性实施例。图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G、4H、4I、4J、4K和4L示出根据本专利技术的制造工艺的另一个示例性实施例。图5A、5B、5C和5D示出根据本专利技术的部分制造工艺的另一个示例性实施例。示例性实施例的详细说明本申请的许多创新性教导将具体参考目前优选的实施例(通过举例而非限制的方式)被说明。本申请描述若干专利技术，并且下文陈述中没有应该被认为是一般地限制权利要求书的内容。本申请公开双侧面器件制造的新方法。本专利技术的创新性技术教导，尤其是用于双侧面半导体器件的创新性制造方法，并且特别有利地是垂直对称的双侧面半导体器件的创新性制造方法。在大部分目前优选的示例性实施例(如图1的示例性实施例)中，大部分高温处理步骤首先在一个侧面上执行，直至但不包括掺杂剂扩散步骤。用于第一侧面的所有掺杂剂优选地在高温处理步骤的最后一个步骤中被引入，以最小化由于之后的高温步骤的掺杂剂的不想要的过度扩散或者扩散不足。保护性止蚀层被沉积在第一侧面上，以在之后的处理期间保护第一侧面免遭无意的或者不想要的改变。高温操作晶片随后被附接到止蚀层，这帮助之后移除高温操作晶片。高温操作晶片、止蚀层，以及结合这两者的方法都被选择为基本上不受在之后的掺杂剂注入步骤中使用的高温的影响。在一些目前优选的示例性实施例中，器件晶片随后可以可选地从第二侧面例如通过磨制和抛光变薄，以在第二侧面上的处理开始之前获得最终期望的器件厚度。高温处理步骤随后优选地在第二侧面上执行，其中掺杂剂引入再次优选地在这些步骤中的最后一个步骤中。在所有掺杂剂都已被引入之后，单个相对长时间的掺杂剂注入步骤可以同时地使所有掺杂剂在两个侧面上都扩散到期望的深度，有利地在两个侧面之间在期望的位置提供基本上对称的掺杂剂扩散。中温处理步骤随后可以在外露的第二侧面上执行，在所述中温处理步骤之后，中温操作晶片可以被附接到第二侧面。高温操作晶片被移除，并且中温处理步骤可以在现在外露的第一侧面上执行。中温操作晶片随后可以被移除。常规的晶片处理基本上在这时结束。低温处理可以继续进行，包括电镀晶片的一个或者两个侧面，切割以及测试所得到的芯片。在一些目前优选的示例性实施例中，高温超过在给定的实施例中使用的一种金属或者多种金属的合金化温度。当使用铝基金属系统时，常规的硅晶片可以经受而不遭受不可逆的损坏的最大温度在大约450-500℃的范围内。高过该温度范围，铝开始与硅相互作用，造成泄露、短路和其他熟知的故障。金属沉积由此优选地标志中温处理的开始，其中中温可以被定义为低于可能损坏晶片的那些温度的温度。在大部分目前优选的示例性实施例中，中温还指用于在给定的实施例中使用的一种金属或者多种金属的合金化温度的大致范围内的温度。在大部分目前优选的示例性实施例中，低温是约低于焊料的熔融温度的那些温度。图3A-3L的示例性处理流程示出本专利技术的一个示例性实施例，所述实施例可以被使用来制造如图2A那样的B-TRAN。在一个示例性实施例中，在图3A中制造开始于p型半导体晶片301的侧面321的高温处理。该高温处理可以，例如，包括操作，如热氧化、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、高温退火，以及在掺杂剂引入之前发生的其他处理。任何终止结构最优选地在这个处理阶段被形成。n型掺杂剂303和p型掺杂剂305最优选地在这些高温步骤的最后一个步骤中被引入到晶片301中。侧面321的这个高温处理阶段就在高温掺杂剂扩散步骤将常规地执行之前停止。侧面321被二氧化硅层335覆盖。在该示例性实施例中，n型掺杂剂303最后扩散以形成N+区，取决于电流方向，所述N+区充当用于B-TRAN的发射极区或者集电极区。在侧面321的其他区中的p型掺杂剂305形成将变成P+基极接触区的区域。在图3B中，保护层307随后被沉积在侧面321上。在之后对晶片301的相对侧面323的处理期间，保护层307帮助最小化对侧面321的不想要的改变。在一个示例性实施例中，保护层307可以是单层的，例如，CVD二氧化硅层。在另一个示例性实施例中，保护层307可以是，例如，保护层的夹心结构，例如，被一CVD氮化硅层隔开的两个CVD二氧化硅层。高温操作晶片309在高温下被附接到侧面321上的保护层307，如图3C中看到的那样。高温操作晶片309被选择为基本上不受在高温制造中使用在晶片301上的温度的影响，并且尤其不受在之后的掺杂剂注入步骤中使用的温度的影响。(例如，硅和石英的热膨胀系数的不一致在约400℃或更高的结合温度下可能使硅晶片翘曲。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一导电型掺杂剂引入到半导体块的第一面上的第一区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第二区中；将高温操作晶片附接到所述第一面；将第一导电型掺杂剂引入到所述半导体块的平行于所述第一面的第二面上的第三区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第四区中；执行高温扩散步骤；凭借所述扩散步骤使所述第一导电型掺杂剂和所述第二导电型掺杂剂在所述半导体块中扩散到期望的深度；在所述第二面上执行中温制造步骤；将中温操作晶片附接到所述第二面；移除所述高温操作晶片；以及在所述第一面上执行中温制造步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.11 US 61/914,491;2014.01.08 US 61/924,884;1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：将第一导电型掺杂剂引入到半导体块的第一面上的第一区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第二区中；将高温操作晶片附接到所述第一面；将第一导电型掺杂剂引入到所述半导体块的平行于所述第一面的第二面上的第三区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第四区中；执行高温扩散步骤；凭借所述扩散步骤使所述第一导电型掺杂剂和所述第二导电型掺杂剂在所述半导体块中扩散到期望的深度；在所述第二面上执行中温制造步骤；将中温操作晶片附接到所述第二面；移除所述高温操作晶片；以及在所述第一面上执行中温制造步骤。2.如权利要求1所述的方法，其中p型和n型掺杂剂两者都以相应的图案并且非全部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面两者上。3.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片具有与所述高温操作晶片不同的构成。4.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散步骤使用比其后任何步骤都更高的持续温度。5.如权利要求1所述的方法，其中所述将掺杂剂引入到所述第一面上的所述第一和第二区中的步骤分别使用与所述将掺杂剂引入到所述第二面上的第三和第四区中的步骤相同的图案。6.如权利要求1所述的方法，其中每个所述操作晶片和所述半导体块之间的连接基本上不受在所述相应的附接步骤之后使用的温度的影响。7.如权利要求1所述的方法，其中所述中温制造步骤是在低于约450℃的温度下执行的。8.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散步骤使用超过约600℃的温度。9.如权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述掺杂剂引入到每个所述面之前在相应的面上形成沟槽栅。10.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体块是由硅制成的。11.如权利要求1所述的方法，其中所述第一导电型是N型。12.如权利要求1所述的方法，其中所述中温制造步骤在所述第一面上以及在所述第二面两者上是以基本上相同的方式执行的。13.如权利要求1所述的方法，其中所述高温操作晶片是硅。14.如权利要求1所述的方法，其中所述高温操作晶片是二氧化硅。15.如权利要求1所述的方法，其中所述高温操作晶片是碳化硅。16.如权利要求1所述的方法，其中所述高温操作晶片是蓝宝石。17.如权利要求1所述的方法，其中所述高温操作晶片是氮化镓。18.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是石英。19.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是玻璃。20.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是硅。21.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是二氧化硅。22.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是碳化硅。23.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是蓝宝石。24.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是氮化镓。25.如权利要求1所述的方法，其中所述中温操作晶片是难熔金属。26.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体晶片的第一面上执行高温制造步骤；将第一导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第一区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第二区中；将高温操作晶片结合到所述第一面；在所述半导体晶片的平行于所述第一面的第二面上执行高温制造步骤；将第一导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第三区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第四区中；在超过约600℃的温度下执行扩散步骤；凭借所述扩散步骤使所述第一导电型掺杂剂和所述第二导电型掺杂剂在所述半导体晶片中扩散到期望的深度；在低于约450℃的温度下在所述第二面上执行中温制造步骤；将中温操作晶片结合到所述第二面；从所述第一面移除所述高温操作晶片；在低于约450℃的温度下在所述第一面上执行中温制造步骤；从所述第二面移除所述中温操作晶片；以及在低于约240℃的温度下在所述半导体晶片上执行低温处理步骤；其中至少一些所述高温制造步骤是在超过约600℃的温度下执行的。27.如权利要求26所述的方法，其中p型和n型掺杂剂两者都以相应的图案并且非全部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面两者上。28.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片具有与所述高温操作晶片不同的构成。29.如权利要求26所述的方法，其中所述扩散步骤使用比其后任何步骤都更高的持续温度。30.如权利要求26所述的方法，其中所述将掺杂剂引入到所述第一面上的所述第一和第二区中的步骤分别使用与所述将掺杂剂引入到所述第二面上的第三和第四区中的步骤相同的图案。31.如权利要求26所述的方法，进一步包括在将所述掺杂剂引入到每个所述面之前在相应的面上形成沟槽栅。32.如权利要求26所述的方法，其中所述第一导电型是N型。33.如权利要求26所述的方法，其中所述中温制造步骤在所述第一面上以及在所述第二面两者上是以基本上相同的方式执行的。34.如权利要求26所述的方法，其中所述扩散步骤是在超过约1000℃的温度下执行的。35.如权利要求26所述的方法，其中每个所述操作晶片和所述半导体晶片之间的结合基本上不受在相应的结合步骤之后使用的温度的影响。36.如权利要求26所述的方法，其中所述高温操作晶片是硅。37.如权利要求26所述的方法，其中所述高温操作晶片是二氧化硅。38.如权利要求26所述的方法，其中所述高温操作晶片是碳化硅。39.如权利要求26所述的方法，其中所述高温操作晶片是蓝宝石。40.如权利要求26所述的方法，其中所述高温操作晶片是氮化镓。41.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是石英。42.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是玻璃。43.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是硅。44.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是二氧化硅。45.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是碳化硅。46.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是蓝宝石。47.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是氮化镓。48.如权利要求26所述的方法，其中所述中温操作晶片是难熔金属。49.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体晶片的第一面上执行高温制造步骤；将第一导电型掺杂剂引入到半导体晶片的第一面上的第一区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第一面上的第二区中；在所述第一面上形成保护层；将高温操作晶片结合到所述第一面上的所述保护层；从所述半导体晶片的平行于所述第一面的第二面开始使所述半导体晶片变薄到期望的厚度；在所述第二面上执行高温制造步骤；将第一导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第三区中；将第二导电型掺杂剂引入到所述第二面上的第四区中；执行扩散步骤；凭借所述扩散步骤使所述第一导电型掺杂剂和所述第二导电型掺杂剂在所述半导体晶片中扩散到期望的深度；在所述第二面上执行中温制造步骤，在所述第二面上形成带图案的金属；在所述带图案的金属之上将中温操作晶片结合到所述第二面；从所述第一面移除所述高温操作晶片；从所述第一面移除所述保护层；在所述第一面上执行中温制造步骤，在所述第一面上形成附加的带图案的金属；从所述第二面移除所述中温操作晶片；以及在低于约240℃的温度下在所述半导体晶片上执行低温处理步骤；其中每个所述操作晶片和所述半导体晶片之间的结合基本上不受在相应的结合步骤之后使用的温度的影响；其中所述扩散步骤以及至少一些所述高温制造步骤是在超过约600℃的温度下执行的；其中所述中温制造步骤是在低于约450℃的温度下执行的。50.如权利要求49所述的方法，进一步包括使用化学-机械抛光法来使所述保护层变得平坦。51.如权利要求49所述的方法，其中所述高温制造步骤包括热氧化、化学气相沉积、高温退火中以及形成一个或更多个沟槽栅中的至少一者。52.如权利要求49所述的方法，其中所述中温制造步骤包括执行接触掩膜步骤、钝化层沉积、盘蚀刻，以及金属沉积和掩膜中的至少一者。53.如权利要求49所述的方法，其中所述低温处理步骤包括电镀所述面中的至少一个以及将所述半导体晶片切割成芯片。54.如权利要求49所述的方法，进一步包括在所述移除所述中温操作晶片的步骤之前电镀所述第一面。55.如权利要求49所述的方法，进一步包括在所述移除所述中温操作晶片的步骤之前对所述第一面施加胶带。56.如权利要求49所述的方法，进一步包括在所述移除所述中温操作晶片的步骤之前将所述半导体晶片安装在衬底上。57.如权利要求49所述的方法，其中所述扩散步骤是在超过约1100℃的温度下执行的。58.如权利要求49所述的方法，其中所述扩散步骤使用比金属出现之后的任何步骤都更高的持续温度。59.如权利要求49所述的方法，其中所述中温制造步骤在所述第一面上以及在所述第二面两者上是以基本上相同的方式执行的。60.如权利要求49所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金属的步骤使用与所述在所述第二面上形成带图案的金属的步骤大致相同的图案。61.如权利要求49所述的方法，其中p型和n型掺杂剂两者都以相应的图案并且非全部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面两者上。62.如权利要求49所述的方法，其中所述半导体晶片是硅晶片。63.如权利要求49所述的方法，其中当每个所述带图案的金属被形成时，附加的介电和接触元件也被形成。64.如权利要求49所述的方法，其中所述带图案的金属包括铝。65.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片具有与所述高温操作晶片不同的构成。66.如权利要求49所述的方法，其中所述扩散步骤使用比其后任何步骤都更高的持续温度。67.如权利要求49所述的方法，其中所述将掺杂剂引入到所述第一面上的所述第一和第二区中的步骤分别使用与所述将掺杂剂引入到所述第二面上的第三和第四区中的步骤相同的图案。68.如权利要求49所述的方法，进一步包括在将所述掺杂剂引入到每个所述面之前在相应的面上形成沟槽栅。69.如权利要求49所述的方法，其中所述第一导电型是N型。70.如权利要求49所述的方法，其中每个所述操作晶片和所述半导体晶片之间的结合基本上不受在相应的结合步骤之后使用的温度的影响。71.如权利要求49所述的方法，其中所述高温操作晶片是硅。72.如权利要求49所述的方法，其中所述高温操作晶片是二氧化硅。73.如权利要求49所述的方法，其中所述高温操作晶片是碳化硅。74.如权利要求49所述的方法，其中所述高温操作晶片是蓝宝石。75.如权利要求49所述的方法，其中所述高温操作晶片是氮化镓。76.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是石英。77.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是玻璃。78.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是硅。79.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是二氧化硅。80.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是碳化硅。81.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是蓝宝石。82.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是氮化镓。83.如权利要求49所述的方法，其中所述中温操作晶片是难熔金属。84.一种制造双侧面半导体器件的方法，所述双侧面半导体器件在半导体晶片的两个面上都具有带图案的电流运送接触区域，所述方法以除指定以外的任何顺序包括：a)以两个相应的图案将掺杂剂引入到所述晶片的第一面中；并且随后b)将第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)以两个相应的图案将掺杂剂引入到所述晶片的第二面中；d)加热所述晶片，以由此使所述掺杂剂在所述晶片的所述第一和第二面两者中扩散和活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成带图案的金属，并且随后将第二操作晶片附接在所述带图案的金属之上；f)移除所述第一操作晶片，并且随后在所述晶片的所述第一面上形成附加的带图案的金属；并且随后g)移除所述第二操作晶片，并且完成双侧面半导体器件的制造。85.如权利要求84所述的方法，其中p型和n型掺杂剂两者都以相应的图案并且非全部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面两者上。86.如权利要求84所述的方法，其中所述半导体晶片是硅晶片。87.如权利要求84所述的方法，其中当每个所述带图案的金属被形成时，附加的介电和接触元件也被形成。88.如权利要求84所述的方法，其中所述带图案的金属包括铝。89.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片具有与所述第一操作晶片不同的构成。90.如权利要求84所述的方法，其中所述加热步骤使用比其后任何步骤都更高的持续温度。91.如权利要求84所述的方法，其中所述加热步骤使用比金属出现之后的任何步骤都更高的持续温度。92.如权利要求84所述的方法，其中所述引入掺杂剂的步骤在所述第一和第二面两者上使用相同的图案。93.如权利要求84所述的方法，其中所述在所述第一面上形成附加的金属的步骤使用与所述在所述第二面上形成带图案的金属的步骤大致相同的图案。94.如权利要求84所述的方法，进一步包括在所述步骤b)之前将初始操作晶片附接到所述晶片的初始步骤。95.如权利要求84所述的方法，进一步包括在所述步骤b)之前使所述晶片变薄至小于所述晶片宽度的20％，并且将初始操作晶片附接到所述晶片的初始步骤。96.如权利要求84所述的方法，进一步包括在所述步骤b)之前使所述晶片变薄至小于80微米，并且将初始操作晶片附接到所述晶片的初始步骤。97.如权利要求84所述的方法，其中所述步骤c)是在所述步骤b)之后执行的。98.如权利要求84所述的方法，其中所述第一导电型是N型。99.如权利要求84所述的方法，其中每个所述操作晶片和所述半导体晶片之间的结合基本上不受在相应的加热步骤之后使用的温度的影响。100.如权利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是硅。101.如权利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是二氧化硅。102.如权利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是碳化硅。103.如权利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是蓝宝石。104.如权利要求84所述的方法，其中所述第一操作晶片是氮化镓。105.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是石英。106.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是玻璃。107.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是硅。108.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是二氧化硅。109.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是碳化硅。110.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是蓝宝石。111.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是氮化镓。112.如权利要求84所述的方法，其中所述第二操作晶片是难熔金属。113.一种制造双侧面半导体器件的方法，所述双侧面半导体器件在半导体晶片的两个面上都具有带图案的电流运送接触区域，所述方法以除指定以外的任何顺序包括：a)以一图案将掺杂剂引入到所述晶片的第一面中；并且随后b)将第一操作晶片附接到所述晶片的所述第一面；c)以一图案将掺杂剂引入到所述晶片的第二面中；d)加热所述晶片，以由此使所述掺杂剂在所述晶片的所述第一和第二面两者中扩散和活化；e)在所述晶片的所述第二面上形成带图案的金属，并且随后将具有与所述第一操作晶片不同的构成的第二操作晶片附接在所述带图案的金属之上；f)移除所述第一操作晶片，并且随后在所述晶片的所述第一面上形成附加的带图案的金属；并且随后g)移除所述第二操作晶片，并且完成双侧面半导体器件的制造。114.如权利要求113所述的方法，其中p型和n型掺杂剂两者都以相应的图案并且非全部地被引入在所述晶片的所述第一和第二表面两者上。115.如权利要求113所述的方法，其中所述半导体晶片是硅晶片。116.如权利要求113所述的方法，其中当每个所述带图案的金属被形成时，附加的介电和接触元件也被形成。117.如权利要求113所述的方法，其中所述带图案的金属包括铝。118.如权利要求113所述的方法，其中所述加热步骤使用比其后任何步骤都更高的持续温度。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德·A·布兰查德，威廉·C·亚历山大，
申请(专利权)人：理想能量有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US